纵向磁场中超导金属玻璃Zr78Co22的载流电阻态

在低于T_c较远的温度下,发现金属玻璃Zr₇₈Co₂₂带在纵向磁场中的I-V和H-V特性曲线上存在着两类电压跃变阶梯。与以往在准一维或准二维均匀超导体中发现的I-V曲线上出现阶梯结构的条件和特点作了系统的比较,综合应用超导相分离模型和由热涨落诱发的相位滑移中心的概念解释了所观察到的现象。 关键词：     

超导金属玻璃Zr_(78)Co_(22)中局域的有阻态

本文系统地研究了在无外磁场时,超导金属玻璃Zr_(78)Co_(22)的I-V特性。观察到电流引起的由超导态向正常态的转变是以阶梯跃变的方式完成的。阶梯的出现是局域的,且与电流扫描速率有关。分析表明,有阻态阶梯的出现,是由于材料本身的不均匀性而导致热斑出现的结果。一维热流方程可以用来描述金属玻璃Zr_(78)Co_(22)局域的有阻态,但必须计及各热斑间的相互作用和样品本身的自吸热等效应。     

Cs/C(0001)-(2×2)表面结构分析低能电子衍射动力学计算

采用背散射微扰(RSP)、重整化前向散射(RFS)等低能电子衍射(LEED)动力学计算法,计算了Cs/C(0001)-2×2表面的各种可能模型的I-V曲线。将这些曲线与实验曲线拟合,用可靠性因子在这一百多条I-V曲线中搜寻最佳结构。结果排除了Cs原子插入石墨层中和吸附在碳原子顶位的可能。该表面的最可能结构为Cs原子吸附在石墨面上芯位,Cs原子层与C原子层的层间距为2.80?,衬底石墨的结构与其体结构相同。 关键词：     

cosθ项对超导隧道结I-V特性曲线的效应

在常电流外源下,超导隧道结电流位相关系中cosθ项前面的系数为正值.本文用相平面法和数值计算法讨论这一结论对I-V特性曲线的效应.所用的准粒子电流电压关系Iq(v)为实验曲线.求得的I-V特性曲线表明,cosθ项的存在使曲线的(辶回)滞特性减弱,电压跳跃点提前.     

YBa2Cu3O7—x薄膜的I—V特性和K—T相变

测量了零磁场下 YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的 I-V 特性和ρ-T 关系.发现在小电流下,I-V特性表现为幂函数关系 V(?),α(T)和ρ(T)随温度的变化符合 K-T 相变理论,从而显示了 YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的准二维性质.同时还对大电流下 I-V 特性偏离幂函数关系的行为进行了讨论.     

DC SQUID 中电感不对称性对I-V特性曲线的效应

DC SQUID的I-V曲线依赖于穿过它的外加磁通,在不同的给定磁通下DC SQUID具有一组I-V曲线.在某些有关DC SQUID的实验中,发现在两个不同给定磁通下,相应的两条I-V曲线不再象通常那样呈现准平行的特点,而是具有一个或几个交点.本文的计算表明,如果DC SQUID具有的电感不对称程度较为显著时,确实会出现上述实验现象.这是一种造成上述实验结果的可能解释.     

通过纳米硅中量子点的共振隧穿

用纳米硅(nc-Si∶H)薄膜制成了隧道二极管，并在其I-V曲线上发现了不连续的量子化台阶.二极管的I-V曲线可分成二部分：(1)0—7V，电流随外加电压增大而增大；(2)7—9V，电流随外加电压急剧增大并出现三个量子化台阶.量子化台阶的出现直接与纳米硅中的晶粒有关，根据nc-Si∶H的独特结构，对载流子的传导通道进行了讨论；用通过nc-Si∶H中量子点的共振隧穿对I-V曲线进行了初步解释. 关键词：     

InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释

本工作应用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结构的(110)解理面.扫描隧道谱(STS)测量结果显示,InGaAs的电流-电压(I-V)隧道谱呈现与衬底InP(110)面完全不同特点.InP的I-V谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)接近材料带隙,可基于平带模型解释.In_(0.53)Ga_(0.47)As的表观带隙却比其带隙(室温0.74 eV)高出约50%.这反映了针尖与InGaAs发生隧穿时的不同物理图像,需应用针尖诱导能带弯曲(TIBB)模型来解释.基于三维TIBB模型的计算,我们发现表面态密度是对隧道谱线特征具有敏感影响的参数.适当选取参数不仅能定量解释InGaAs的I-V谱的零电流平台宽度,而且能较准确预言零电流平台的起、止能量位置,并能计算给出与实验高度重合的I-V理论谱线.     

介观Al-Ag交叠结构中相滑中心的研究

用光刻镀膜的方法,先后在硅衬底上制备了Ag线和Al线. Al线横在Ag线上方并与之接触,形成Al-Ag交叠结构.采用四引线法测量了该结构的R-T曲线和固定温度下的I-V曲线,发现其I-V曲线呈现多个台阶结构, 台阶的数量和位置都随温度变化而变化. 磁场也会对台阶的出现有影响.     

急冷Al_(80)Mn_(20)合金准晶T相的晶化动力学

本文研究了急冷Al_(80)Mn_(20)合金准晶T相的晶化过程。DSC实验证实在晶化过程中激活能保持不变,从而得到了晶化转变机理实验曲线,并确定了晶化激活能和频率因子的数值,它们分别为224kJ/mol和1.2×10~(12)s~(-1)。分析结果表明准晶T相的晶化是由长程扩散所控制的,并在晶化过程中没有显著的新核形成。     

钛－镍－硅固相反应形成的镍硅化物/n-硅(100)接触的I-V-T研究

在不同退火温度下，有一薄层钛覆盖层的镍－硅经过固相反应生成了镍硅化物/n-硅(100)接触，研究了其在80K到室温的电流－电压（I-V）特性。低温I-V曲线在低偏压区的电流显著地比传统的热电子发射（TE）模型预计的要大。用基于Tung的夹断模型简化得到的双肖特基势垒模型分析了实测的I-V曲线，从中可以得到肖特基势垒不均匀性的量度。较高温度退火导致较大的势垒不均匀性，意味着硅化物薄膜均匀性的变坏。钛覆盖薄层可以稍微提高硅化镍的相转变温度，以及形成的一硅化镍的热稳定性。     

Al-I(10~2)-nGaAs势垒二极管中载流子的输运

在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约10~2A)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P;反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面态的存在而有所改变,并且随外加电压而变化;正向偏置时,界面层的影响可以用理想因子n来描述。经过上述修正后推得的理论I-V,I-1/T关系式(表1)与实测曲线符合较好。文中讨论了透射系数与有效势垒高度提高的关系。     

强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响

 利用强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO₂界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了解释。     

Al_(72)Ni_(20)Co_8十次准晶的新结构模型

198 4年准晶的发现刚由Ｓｈｅｃｈｔｍａｎ等人发表 ,立即就有科学家借用英国数学家、物理学家Ｐｅｎｒｏｓｅ研究数学上的拓扑问题时提出的拼砌图 (ｔｉｌｉｎｇｐａｔ ｔｅｒｎ)来描述其结构 .它至少需要两种结构单元按照一种严格的匹配规则 (ｍａｔｃｈｉｎｇｒｕｌｅ)无重叠地铺满整个平面来得到完美的准周期结构 .这就带来了疑问 :为什么准晶的结构需要两种以上的结构单元 ?这种严格的匹配规则和长程序如何能在急冷凝固这种非平衡条件下得到保证 ?研究准周期结构生长模型的物理学家们分别从能量最小稳定和熵最大稳定的角度探讨了如何由…     

ATLEED研究6H-SiC(0001)-(3×3)R30°重构表面

低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明,该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接,它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制.     

稀土区奇奇核πh_(11/2)νi_(13/2)带B(M1)/B(E2)比值增强特性

在稀土区奇奇核πh11/2νi13/2转动带中,系统地观测到随转动频率或角动量增加,B(M1)/B(E2)曲线表现出所谓parabola like形状,即在增加到某一转动频率或自旋后,B(M1)/B(E2)比值快速增强。基于推转模型和粒子转子模型关于奇奇核二准粒子转动带磁偶极约化跃迁几率的描述,对稀土区双奇核的这一行为进行了讨论。指出该现象的发生与νi13/2准中子转动顺排特性密切相关。B(M1)/B(E2)比值在接近第二带交叉(即BC准中子对顺排)的较高频率处的增强效果,可以理解为主要来源于带交叉引起的波函数中混合四准粒子成分的结果。通过对B(M1)/B(E2)比值的增强效果发生在较低频率处的分析,对稀土区奇奇核πh11/2νi13/2带角动量耦合图像有了进一步认识。     

用AFM对Y1Ba2Cu3O7-δ微桥局部改性研究

用AFM对高温超导Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜微桥进行局部改性，形成非超导的微区。对形成的SNS结构测量了I-V曲线。个别样品发现其I-V曲线对微波辐照异常灵敏。     

Bi-2212单晶本征Josephson结的制备及其非线性行为

采用自助熔剂固态反应法制作了Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶,使用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术在Bi-2212单晶表面制作了台阶结构的Josephson本征结.用三引线和四引线法分别测量了该样品零场下c轴方向的电阻-温度(R-T)关系和恒定温度(14.4K)时的I-V特征曲线.I-V曲线具有典型的多分支非线性行为,并对该实验结果进行了讨论.     

Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响

通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在Zn O晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂MgxZn1-xO薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO∶Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 me V,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。     

急冷Al-Si-Ge超导合金的I-V特性

在大块合金(急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金薄带)的超导转变区的I-V特性曲线上,观察到电压阶跃及回滞现象。 关键词：