ATLEED研究6H-SiC(0001)(3~(0.5)×3~(0.5))R30°重构表面

低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接 ,它们之间的垂直距离为 0 171nm .通过对该表面 10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射 (ATLEED)计算 ,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态 (surfacetermination)的混合比例为S1∶S2∶S3 =15∶15∶70 ,理论计算与实验I V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0 .16 5 ,RP=0 .142 ,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制     

光电子衍射谱Fourier变换分析方法的垂直单电子束模型

利用垂直单电子束(0,0,束)模型推导了光电子衍射I-V曲线的解析公式。对于系统C(2×2)Se(3d)/Ni(001)进行了数值计算,求出这个系统的光电子衍射谱及“相移”,从“相移”推算出“层距修正”值。另一方面对光电子衍射谱作Fourier变换直接求得“层距修正”。计算表明从两种途径求得的“层距修正”值十分接近,从而证明光电子衍射谱的Fourier变换可能成为表面结构分析的一种直接方法。 关键词：     

ATLEED研究6H-SiC(0001)-(√3*√3)R30o重构表面

关键词：     

遗传算法在低能电子衍射结构分析中的应用

提出了一种在低能电子衍射( L EED)结构分析中自动搜寻最佳模型的优化方法——遗传算法和张量 L EED相结合的联合方法. 这种新方法的特点是能在全部参数变化范围内自动搜寻,避免了陷入“局域”优化模型的困难中. 本文给出了这一方法的应用实例 ,并且展望了这种方法在表面结构研究中的应用前景.     

ATLEED研究6H-SiC(0001)-(3×3)R30°重构表面

低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明,该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接,它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制.