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施敏教授所著<半导体器件物理与工艺>的英文第2版由美国John Wiley & Sons出版公司出版,其简体中文版由苏州大学电子信息学院组织翻译,于2002年12月由苏州大学出版社出版.该书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术,具有权威性且充分体现教育性是此书的显著特色. 相似文献
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在不同退火温度下,有一薄层钛覆盖层的镍-硅经过固相反应生成了镍硅化物/n-硅(100)接触,研究了其在80K到室温的电流-电压(I-V)特性。低温I-V曲线在低偏压区的电流显著地比传统的热电子发射(TE)模型预计的要大。用基于Tung的夹断模型简化得到的双肖特基势垒模型分析了实测的I-V曲线,从中可以得到肖特基势垒不均匀性的量度。较高温度退火导致较大的势垒不均匀性,意味着硅化物薄膜均匀性的变坏。钛覆盖薄层可以稍微提高硅化镍的相转变温度,以及形成的一硅化镍的热稳定性。 相似文献
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微机电系统红外脉冲光源调制特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对微机电系统热激发红外光源的动态特性,采用一种新的计算方法。即通过建立光源在不同初始温度下升温与加电时间、功率之间的关系,定量估算不同脉冲频率下辐射功率的调制深度。该方法可以计算调制深度大情况下的动态特性。就其中两个重要影响因素加电方式和发射率分别进行讨论,得到:饱和功率相同的前提下,采用恒压源供电方式相比恒流源供电和恒定功率供电响应时间更小,从而更有利于改善光源的动态调制特性;相同条件下,选择高发射率的光源材料也有利于缩短上升时间。结合计算结果,对一个微型铂金薄膜红外光源的频响特性进行了验证测试,测试结果与计算分析符合较好。 相似文献
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