Nb_3Sn正常-超导转变时的比热反常

在16.0°K—20.3°K之间测量了Nb_3Sn样品的热容量。Nb_3Sn在临界温度附近的比热跳跃值ΔC=2.21(±5％)焦耳/克分子·度。样品的临界温度T_c=17.88°K,转变宽度ΔT_c≈0.2°K。ΔC值利用热力学关系式确定了Nb_3Sn在0°K时的热力学临界场H_0=5300奥斯特。 利用本文的结果和文献上关于热膨胀系数的跳跃值Δα及T/P值验证了热力学关系式。 扼要地描述了比热测量装置.     

炭电阻低温温度计(Ⅳ)

本文报道了炭电阻低温温度计批量性元件低温性能实验结果:低温稳定性、低温复现性、电阻-温度关系式等.并给出0—5.4T,小于4.2K 和0—10T、4.2K 的磁致电阻曲线.     

在低温和强磁场下使用的热敏电阻温度计

本文报道了用Co-Ni-Ba-O_2合成的氧化物半导体材料制成的热敏电阻温度计。使用温区为2.8—100K,电阻从几十千欧姆光滑地变化到几十欧姆。相对灵敏度[—dR/dT×1/R]从4.2 K的60％/K左右变化到100 K的1.5％/K左右,达到了实用要求。此温度计的特点是可在强磁场下使用,在4.2 K、7T情况下,磁阻引起的温度变化为1.5～2.0％。温度计的磁阻变化可套用经验公式100×△R/R=c_1H~2/(1+c_2H~2)×T~(-1.5)。当温度不变时(T=4.2K),磁场引起的电阻变化与此公式相符。当磁场不变,磁阻随温度的升高而减小。     

HT-7装置逆磁测量

通过在HT 7装置的内真空室安装一对同心圆逆磁线圈 ,并运用软件补偿的方法 ,对HT 7装置的逆磁通量进行了测量。在杂散场测量与软件补偿实验中 ,发现同心圆逆磁线圈感应的杂散信号主要来自垂直场、涡流电流、等离子体电流和纵场电流的变化。逆磁测量结果表明 ,在等离子体线平均密度 ne 很低时 ( ne <2 .2 ×10 1 3cm- 3) ,HT 7等离子体的总体能量约束时间τE 随 ne 线性变化 ;在 ne 很高时 ( ne >2 .2 × 10 1 3cm- 3) ,τE 则趋于饱和 ,其饱和值约为 2 1ms。并运用计算机统计分析的方法给出了欧姆加热的τE 定标律为τE =1.5 7 ne0 .72±0 .0 4 ×Ip0 .35± 0 .0 2 B0 .31 ± 0 .0 3T 。     

无限深方势阱的求解中存在的一普遍错误

许多量子力学和近代物理教课书中,在求一维无限深方阱中粒子的能级及其对应的波函数时,取区间0≤x≤L内,势为零,其他区域,势为无穷大。在阱内,不含时的薛定谔方程是这里K=2mE/h2≥0,m是粒子的质量,E是粒子的能量。波函数　(x)遵从这条伴(0)=(L)=0。 在此问题的标准处理中,写出(1)的通解,其形式是其中A=A(K), B=B(K)。在x=0,边界条件要求B=0.因为这两个任意常数至少有一个不为零,在x=L处,这条件要求K=n/L,这里。的可能值是0,±1,±2,…….n取负值仅导致波函数符号的改变,而这在物理上无关紧要,因此可以弃掉。 n=0的值必须弃去,在标准处…     

Nb3Sn正常-超导转变时的比热反常

在16.0°K—20.3°K之间测量了Nb₃Sn样品的热容量。Nb₃Sn在临界温度附近的比热跳跃值ΔC=2.21(±5％)焦耳/克分子·度。样品的临界温度T_c=17.88°K,转变宽度ΔT_c≈0.2°K。ΔC值利用热力学关系式确定了Nb₃Sn在0°K时的热力学临界场H₀=5300奥斯特。利用本文的结果和文献上关于热膨胀系数的跳跃值Δα及?T/?P值验证了热力学关系式。扼要地描述了比热测量装置.     

非晶态Co_(70)Cr_(20)Zr_(10)合金在居里温度附近的磁性

本文研究非晶态Co_(70)Cr_(20)Zr(10)合金在居里温度附近的磁性,样品的磁特性符合二级相变规律。得到临界指数β=0.45±0.02,γ=1.9±0.1,δ=5.13±0.05。Co_(70)Cr_(20)Zr_(10)合金的居里温度为Tc=(186.7±0.2)K。临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,但临界指数值都偏离三维Heisenberg模型的理论值,这种行为可能起源于非晶态合金磁的不均匀性。讨论了Kouvel-Fisher(K-F)参数γ(T)对温度T的依赖关系。     

强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.结果表明:Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%;在4.2-77K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境.     

在s=4.03GeV的e+e－湮没中Ds+单标记的研究及Ds+Ds－对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机(BEPC)和北京谱仪(BES),基于在质心系能量s=4.03GeV的e+e–湮没中,D+s单标记的分析结果,测定了D+s→K0K+和D+s→K0K+衰变的分支比.其结果Br(D+s→K0K+)=(3.02±0.94±0.91)%,Br(D+s→K0K+)=(3.28±1.22±0.94)%与世界平均值在误差范围内一致.用π+,K0K+,K0K+作为单标记,共观测到94±13个D+s事例,测得在e+e–湮没中D+sD–s对产生的截面为σprod D+s D–s=451±63±118pb.     

在s~(1/2)=4.03GeV的e~+e~-湮没中D_s~+单标记的研究及D_s~+D_s~-对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机 (BEPC)和北京谱仪 (BES) ,基于在质心系能量s=4.0 3GeV的e+ e-湮没中 ,D+ s 单标记的分析结果 ,测定了D+ s →K 0 K+ 和D+ s →K0 K+ 衰变的分支比。其结果Br(D+ s →K 0 K+ ) =(3.0 2± 0 .94±0 .91) % ,Br(D+ s →K0 K+ ) =(3.2 8± 1.2 2± 0 .94) %与世界平均值在误差范围内一致 .用π+ ,K 0 K+ ,K0 K+ 作为单标记 ,共观测到 94± 13个D+ s 事例 ,测得在e+ e-湮没中D+ s D-s 对产生的截面为σprodD+s D-s =45 1± 6 3± 118pb .     

渗碳玻璃电阻温度计(CGRT)磁阻的计算

本文给出一组经验公式,非常成功的计算了CGRT的磁阻。在温度范围从4.2至306K,磁场强度从0至19T,磁阻计算的误差小于0.5％,磁阻计算误差造成的温度误差小于0.2％。在磁汤强度从0至8T,温度差小于0.1％。     

ErFe11-xCoxTi化合物的结构与磁性研究

粉末样品的X射线衍射和热磁曲线测量表明，所有的ErFe_11-xCo_xTi(x=0—11)化合物都结晶ThMn₁₂型结构，且具有良好的单相性.Co替代Fe导致居里温度的显著提高和晶格常数的单调减小，4.2K下的饱和磁化强度M_s随Co含量的增加在x=3处呈现极大值.ErFe_11-xCo_xTi化合物当x≤4时，在室温下具有单轴磁晶各向异性，当6≤x≤9时，样品的易磁化方向垂直于c轴 关键词：     

Y_2O_3·Cr_2O_3复合氧化物热力学性质的研究

在1182—1386K温度范围内,用固体电解质氧浓差电池: Mo|Cr,Y_2O_3,Y_2O_3·Cr_2O_3|ZrO_2(+MgO)|Cr,Cr_2O_3|Mo测定了复合氧化物Y_2O_3·Cr_2O_3的热力学性质。对于反应 Y_2O_(3_(s))+Cr_2O_(3(s))=Y_2O_3·Cr_2O_(3(s)),得到 △G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=39160-34.97T(实验误差±350cal/mol)或 △G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=163900-146.3T(实验误差±1450cal/mol).因为△G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0与温度T的关系为直线关系,所以若将△G~0=a+bT与△G~0=△H~0-T△S~0两式比较,a和-b的物理意义可认为分别相当于在公式适用温度范围内△H~0与△S~0的平均值。因此 △H_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=39160cal/mol或193900J/mol, △S_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=34.97cal/(mol·K)或146.3J/(mol·K)。 如将化合物写作YCrO_3的形式,各热力学数据为上述各值的一半。     

青铜法多芯Nb_3Sn(Ti)复合线的超导性能

本文报道了青铜法55×55芯 Nb/Cu-7.4at％Sn-(0.5、0.6)at％Ti复合线的超导性能。导体临界电流密度J_c(青铜十铌)最佳值:Nb/Cu-7.4at％Sn-0.6at％Ti复合线,在4.2K、16T和20T下分别为300A/mm_2和133A/mm_2。Nb/Cu-7.4at％Sn-0.5at％Ti复合线,在4.2K和ZK、20T下分别为119A/mm_2和219A/mm_2。超导转变温度T_c为17.30～17.45K。上临界磁场B_(c2)~*在4.2K和2K下分别为26.0～26.8T和29T。     

强磁场下Cernox^TM温度传感器的磁致电阻效应研究

以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300...     

Mg、B配比对MgB2材料的影响

我们通过固态反应法制备了MgxB2(x=0.2,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4,1.8,2.2,2.6)系列超导样品.用四引线法测量了每一个样品在制备烧结过程中的高温R～T曲线.由这些曲线的升温阶段数据得知MgxB2系列样品的起始成相温度Tonset随着x值的增加而降低.由它们的X光衍射图可知,x≤1.0时,没有Mg和MgO的杂相峰;到x＞1.0后,随x值的增大,杂相Mg和MgO的衍射峰强度逐渐增强.它们的低温R～T曲线表明随x值的增加,正常态电阻减小,起始超导转变温度在39.3 K到39.9 K之间.综合Tc(onset)和△Tc,Mg1.4B2样品呈现出最好的超导状态.这些样品的单位质量M～T测量数据表明起起转变温度处于37.4～38.6 K之间,且Mg1.4B2样品呈现出最高的磁测Tc(onset)=38.60 K.在Mg含量x大于或低于1.4时,磁测Tc(onset)均小于此值.综合R～T和M～T这两种测量,为得到高Tc的MgB2超导块材,胚体MgB2的配比应取x=1.4为好.     

遍举衰变过程D0→Ks0π+π–和D0→Ks0K+K–及其共振态结构的实验研究

利用北京谱仪(BES–Ⅰ)在北京正负电子对撞机(BEPC)e+e–质心系能量为4.03GeV处采集的积分亮度为22.3pb–1的数据,研究了D0→K0sπ+π–,D0→K0sK+K–的衰变及其末态的共振结构.实验测得D0→K0sπ+π–过程的分支比为(5.32±0.53±0.40)%;D0→K–π+,D0→K0ρ0和D0→K0s(π+π–)non resonance过程的分支比分别为(6.05±0.32±0.49)%,(1.17±0.17±0.13)%和(1.35±0.22±0.17)%;测得D0→K0sK+K–,D0→K0和D0→K0(K+K–)non?的分支比分别为(1.04±0.2?4±0?.16)%,(1.12±0.34±0.15)%和(0.27±0.13±0.03)%.     

NbTi/Cu超导线最佳临界电流密度的研究

本文全面地研究了在冷加工和热处理多次交替进行中时效温度、时效时间、时效次数、次数分配、最后一次时效后最终冷变形量等对NbTi/Cu多芯复合线J_c的影响.以上各因素的适当地调整和匹配是获得最佳J_c的关键.选用适宜的各种因素的试验结果得到了最佳J_c=4.0×10~5A/cm~2(4.2K,5T).小批量试制的线材的J_c为2.5—3.0×10~5A/cm~2(4.2K、5T).     

s=4.03GeV下τ±→π+π－π±υτ衰变的测量

利用北京谱仪(BES)在4.03GeV正负电子对撞能量下获取的数据,[研究了,τ+τ-产生过程.借助双标记方法分析了τ±→π+π-π±υτ衰变事例.测定分支比Br(τ±→a1±υτ→ρ0π±υτ,ρ0→π+π-=(7.3±0.5)%,Br(τ±→K*±υτ→Ks0π±υτ,Ks0→π+π-)=(0.6±1.5)×10-3.并由Daliz投影分布的分析,确认a1的主要衰变方式ρπ.同时,也观察到a1衰变中以S波贡献为主的现象.采用Kuhn模型拟合实验数据,得到:ma1=1.24±0.02GeV,Γa1T=0.57±0.07GeV.     

SrTiO3掺杂La-K-Mn-O系统的电磁性质

用溶胶-凝胶制备了La0.833K0.167MnO3-SrTiO3(LKMO/STO)系列样品,并研究了它们的结构、磁性和输运特性.X射线衍射实验表明,1200℃烧结的LKMO/STO(STLK12)是一个均匀的固溶相.其电阻率表现为绝缘体的行为,而纯La0.833K0.167MnO3(LKMO)样品随温度的升高则有金属-绝缘体转变.在低场下(μ0H=0.02 T),对STLK12样品,当温度从220 K降低到4 K时,磁电阻从0.2%升高到11%.在高场下(μ0H=5.5 T),随着温度降低,磁电阻几乎是线性增大.在4.2 K时,达到65%.比纯LKMO样品40%的磁电阻高出了25%.我们用晶界处的自旋极化隧穿效应定性地解释了这种增强的磁电阻效应.