北京谱仪的触发判选系统

本文叙述了北京谱仪触发叛选系统的作用和叛选过程,并分别介绍了系统各部分的物理考虑和构成.     

一台具有8次击中能力的取样-保持线路

本文描述用于漂移室读出电路的一台具有8次击中能力的取样-保持电路. 输入电压脉冲0~+4伏时, 积分线性优于9.5%. 取样门宽80纳秒时, 取样精度达~99%. 保持时间40毫秒, 下降不大于1%.     

一个多次击中的时间-数字变换线路

利用ECL的随机存取存贮器(RAM)E859作了一个具有多次击中能力的时间一数字变换线路.可用于漂移室8根丝的漂移时间的读出,每根丝具有≤128次击中的能力,全量程为2.56微秒,时间分辨为10纳秒,这相应于对漂移室空间分辨的贡献～210微米.     

一个六输入可编程序触发逻辑线路

利用ECL的随机存取存贮器(RAM)E855 64×1作了一个六输入可编程序触发逻辑线路(NIM标准)。能实现输入端数N≤6的任何逻辑功能。当改变不同的逻辑组合时,不需要改变任何硬件和连线,只需重新加载一次就可以了。本线路可以代替输入端数N≤6的任何逻辑功能的各种NIM逻辑单元用于高能物理在线实验中。利用这种原理可期望发展价格低廉的、使用灵活的和规模很大的触发逻辑系统满足高能物理计数器实验的需要。本线路的输入脉冲是脉宽≥4毫微秒的NIM信号。输出亦为NIM信号。输出端给出32毫安的电流,可连接两个50欧姆的负载,组成桥式输出。电路工作于选通和无选通两种方式。     

北京谱仪触发效率的测量

介绍了用实验测量北京谱仪触发判选系统触发效率的方法．着重介绍触发条件表的设置，事例选择和触发效率的计算，给出各触发条件和不同类型事例的触发效率．     

在s~(1/2)=4.03GeV的e~+e~-湮没中D_s~+单标记的研究及D_s~+D_s~-对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机 (BEPC)和北京谱仪 (BES) ,基于在质心系能量s=4.0 3GeV的e+ e-湮没中 ,D+ s 单标记的分析结果 ,测定了D+ s →K 0 K+ 和D+ s →K0 K+ 衰变的分支比。其结果Br(D+ s →K 0 K+ ) =(3.0 2± 0 .94±0 .91) % ,Br(D+ s →K0 K+ ) =(3.2 8± 1.2 2± 0 .94) %与世界平均值在误差范围内一致 .用π+ ,K 0 K+ ,K0 K+ 作为单标记 ,共观测到 94± 13个D+ s 事例 ,测得在e+ e-湮没中D+ s D-s 对产生的截面为σprodD+s D-s =45 1± 6 3± 118pb .     

北京谱仪

北京谱仪是北京正负电子对撞机上的一台大型通用性磁谱仪.它由多种探测器组成,用于测量正负电子湮没后的遍举末态反应,进行粲粒子物理和τ轻子物理研究.它有大的覆盖立体角;优良的荷电粒子分辨;动量分辨和好的低能光子探测效率.本文对谱仪的结构和性能作了详细的描述.     

图象漂移室模型的研制

建立了一台图象漂移室的模型室. 制作了模型室的读出线路,线路具有记录8次击中的能力. 对模型室的性能作了实验研究, 其中包括位置分辨、径迹的左右分辨、双径迹分辨以及多径迹事例的图象识别等. 本文描述了模型室的结构特点、读出线路的原理及线路框图, 给出了第个线路单元的性能指标及读出线路的总体性能. 本文还给出了实验研究的结果, 其中σ_x=280μm, σ_z=3cm, 并给出重建簇射事例的图象.