单相Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3陶瓷中的多铁性

溶胶凝胶法制备了Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品,X射线衍射(XRD)分析表明陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿(ABO3)型结构且没有杂质相的形成.随着Mn含量的增加,XRD峰向高角度方向移动,表明Mn离子进入Na0.5Bi0.5TiO3晶格.掺杂样品均表现出室温铁磁性和铁电性.磁测量表明样品中存在复杂的磁相互作用,包括铁磁,反铁磁和顺磁相互作用.以上结果表明,通过Mn的掺杂可以使铁电材料Na0.5Bi0.5TiO3转变为多铁材料.     

稀土元素Gd掺杂BiFeO3的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的局域自旋密度近似加U法（LSDA+U:Hubbard参数）计算了多铁材料BiFeO3铁电相以及稀土元素Gd掺杂BiFeO3材料的能带结构、态密度（DOS）、原子轨道占据数和净电荷分布等,对稀土元素Gd掺杂BiFeO3可能引起的电子结构、介电常数和铁磁性的改变进行了第一性原理研究。计算结果表明：Gd掺杂对材料钙钛矿结构影响不大,BiFeO3铁电性主要来源于Fe原子3d轨道和O原子2p轨道杂化;掺杂Gd后材料中的Fe原子和O原子的共价性减弱,Bi原子和O原子的离子性增强,禁带宽度变窄,绝缘性减弱,铁磁性明显增强;计算得到的光学性质表明材料的静态介电常数有所增加。     

稀土元素Gd掺杂BiFeO3的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的局域自旋密度近似加U法（LSDA+U:Hubbard参数）计算了多铁材料BiFeO3铁电相以及稀土元素Gd掺杂BiFeO3材料的能带结构、态密度（DOS）、原子轨道占据数和净电荷分布等,对稀土元素Gd掺杂BiFeO3可能引起的电子结构、介电常数和铁磁性的改变进行了第一性原理研究。计算结果表明：Gd掺杂对材料钙钛矿结构影响不大,BiFeO3铁电性主要来源于Fe原子3d轨道和O原子2p轨道杂化;掺杂Gd后材料中的Fe原子和O原子的共价性减弱,Bi原子和O原子的离子性增强,禁带宽度变窄,绝缘性减弱,铁磁性明显增强;计算得到的光学性质表明材料的静态介电常数有所增加。     

钆掺杂对0.7BiFe_(0.95)Ga_(0.05)O_3-0.3BaTiO_3陶瓷的结构、介电性能和多铁性能的影响

采用固相烧结法制备了不同Gd掺杂含量的0.7Bi_(1-x)Gd_(x)Fe_(0.95)Ga_(0.05)O_(3)-0.3BaTiO_3(BG_xFG-BT,x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷,系统研究了Gd掺杂对BG_xFG-BT陶瓷的晶体结构、微观形貌、介电性能以及多铁性能的影响.通过X射线衍射图谱分析、扫描电镜形貌分析、X射线光电子能谱分析等工具表明,Gd掺杂会使BG_xFG-BT陶瓷由菱面体(R3c)结构转变为赝立方(P4mm)结构,晶粒尺寸会明显减小,从未掺入Gd时的6.2μm)降低到约3.2μm左右,同时发现少量的Gd掺杂能够抑制BFG-BT陶瓷中Fe~(2+)离子的产生,减少氧空位的存在.最终导致,在适量的Gd掺杂下,陶瓷的介电性能和铁电性能均得到明显改善.适量的Gd掺杂可使介电常数增加、介电损耗减少、电滞回线形状改善、剩余电极化强度增加(最高达9.06μC/cm~2).同时,在磁性能方面,Gd掺杂陶瓷均表现铁磁性,剩余磁极化强度与饱和磁化强度均有显著提高.     

Gd和Ti共掺杂对BiFeO_3矫顽力和剩余磁矩的影响(英文)

通过快速液相烧结法制备了BiFeO3、Bi0.9Gd0.1FeO3和Bi0.9Gd0.1Fe0.95Ti0.05O3(BGFTO)块材.x射线衍射和拉曼散射光谱表明Gd和Ti共掺杂后的BGFTO样品产生结构相变.共掺杂样品BGFTO室温下的铁磁性得到显著提高,矫顽力达到1.51T,剩余磁矩为0.175emu/g.磁性得到显著提高的根本原因是共掺杂引起元素替换导致了体系中的螺旋磁结构被抑制.A位和B位共掺杂是引发BiFeO3自发磁化的最有效的方法.     

Pr含量对Bi_5Fe_(0.5)Co_(0.5)Ti_3O_(15)室温多铁性的影响

采用改良的固相烧结工艺制备了Bi5-xPrxFe0.5Co0.5Ti3O15(BPFCT-x,x=0.25,0.50,0.75,0.80)陶瓷样品.X射线衍射结构分析表明:镨(Pr)含量对样品微观结构产生了影响,但所有样品均为层状钙钛矿结构;BPFCT-x样品的剩余极化强度(2Pr)随着掺杂量的增加呈现出先增大后减小的变化趋势,当Pr含量为0.75时,样品的2Pr达到最大值,为6.43μC/cm2.样品的磁性与铁电性能具有相同的变化规律,室温下样品的剩余磁化强度(2Mr)也呈现出先增大后减小的趋势,并且也在x=0.75时达到最大为0.097 emu/g.随着Pr掺杂量增大,样品的室温下铁电和铁磁性能得到明显改善,并且当掺杂量为0.75时,样品室温多铁性最好.Pr掺杂降低了样品中的缺陷浓度,从而提高了样品铁电畴动性,这有助于提高样品铁电性能.而样品铁磁性能的改善可能与Pr对样品晶格畸变产生的影响有关.     

双掺杂锰酸钙基热电陶瓷的制备及电学性能研究

利用传统固相反应法成功制备出Nb掺杂量x不同的Ca_0.9Yb_0.1Mn_1-xNb_xO₃热电陶瓷. X射线衍射分析和扫描电子显微镜分析表明: 样品均形成了单一的钙钛矿正交结构,空间群为Pnma. 晶格常数a和晶胞体积随着Nb掺杂量x的增加而增大,陶瓷样品具有很好的结晶度和很高的致密性, 相对密度达到97%左右. 在3 关键词： 3陶瓷')" href="#">CaMnO₃陶瓷 电阻率 Seebeck系数     

Y1-xRxBa2Cu3O7-δ体系R=Eu、Gd)的正电子寿命和超导性研究

本文报道了对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ(R=Eu、Gd)两个系列样品的超导电性研究结果.首先,发现随着Eu、Gd掺杂量x的增加,Y1-x〗EuxBa2Cu3O7-δ和Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ的晶胞体积均随之增大,但所有样品均保持与Y-123样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命实验结果表明Cu-O链处局域电子密度ne随Eu、Gd掺杂浓度x的增加而减小,说明Eu、Gd对Y位的替代引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布;超导转变温度T\-c随Eu、Gd掺杂浓度x增加而略有增加,反映了Eu、Gd掺杂虽然改变了体系的局域电子结构,但没有破坏超导所需的Cu-O链与CuO2面之间的耦合;Y位掺杂体系的超导电性与掺杂离子的磁性无关,而与掺杂离子的半径有关.     

(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3陶瓷的弛豫铁电性能

通过对(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3(0≤x≤0.15)陶瓷的相组成、晶体结构和介电性能的研究发现,该陶瓷为单一的钙钛矿结构相.当x含量较小(x＜0.1)时为正交相结构,x≥0.1时转变为四方相结构.随着SrTiO3掺杂量的增加,样品的致密度增加,样品由正常铁电相逐渐向弥散铁电相转变,且相变温度明显下降,其相变峰的半高宽D和临界指数γ,随 x 的增加而增加.样品损耗ε″r(复介电常数虚部)随温度T的变化表明低温时弛豫极化损耗起主要作用,高温时漏导损耗起主要作用.同时介电常数实部ε′r随频率的变化显示(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3弛豫为德拜弛豫.     

Y1-xRxBa2Cu3O7—δ体系（R=Eu、Gd）的正电子寿命和超导性研究

本文报道了对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ（R=Eu、Gd）两个系列样品的超导电性研究结果．首先，发现随着Eu、Gd掺杂量x的增加，Y1-x]EuxBa2Cu3O7-δ和Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ的晶胞体积均随之增大．但所有样品均保持与Y-123样品相同的单相正交结构；正电子平均寿命实验结果表明Cu—O链处局域电子密度ne随Eu、Gd掺杂浓度x的增加而减小．说明Eu、Gd对Y位的替代引起晶胞结构参量的变化不汉改变了Y位的电子密度．同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布；超导转变温度Tc随Eu、Gd掺杂浓度x增加而略有增加，反映了Eu、Gd掺杂虽然改变了体系的局域电子结构．但没有破坏超导所需的Cu-O链与CuO2面之间的耦合：Y位掺杂体系的超导电性与掺杂离子的磁性无关，而与掺杂离子的半径有关．     

(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb的真空紫外光谱特性

(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系,具有R32的空间群,掺入Ce3 ,Tb3 杂质后,其晶格结构没有变化。(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb随着Gd3 摩尔浓度增大,基质吸收带红移。Gd3 和Tb3 之间存在着很有效的能量传递。Gd3 摩尔浓度在一定范围内(0~0·75mol)增大时,样品在120~300nm光谱范围内的激发强度均是增强的;但是,Gd3 浓度过高造成Gd3 的发射增强,GdAl3(BO3)4:Tb在120~240nm光谱范围内激发强度很明显下降。(Y,Gd)Al3(BO3)4:Ce,Tb在真空紫外激发下,发现Tb3 的发光明显的被Ce3 猝灭。     

固相反应法制备的Gd0.7Sr0.3MnO3粉末的磁学特性

利用固相反应法制备了用Sr部分替换GdMnO3中Gd的锰基钙钛矿氧化物Gd0.7Sr0.3MnO3.X射线衍射表明其晶体结构为正交晶系,空间群为Pnma.通过测量样品在零场冷却和加场冷却下的磁化强度及磁化率随温度的变化曲线,得出样品显示亚铁磁特性,Mn和Gd两个子晶格相互反平行.根据居里-外斯定律得知其居里温度为61 ...     

(Y,G d)(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发光特性

采用高温固相方法合成了(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺,经X射线结构分析确定为四方晶系,体心结构,空间群为I4₁/amd[141]。研究了(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺在VUV及UV激发下的光谱特性,讨论了激活剂Eu³⁺的浓度对发光亮度的影响。(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺荧光粉的发射主峰在619nm,证明Eu³⁺离子占据了非反演对称中心的位置。在(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺(监控619nm)的激发谱,有一个中心位于156nm的吸收带,它属于基质的吸收带。将(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺的发光性能与PDP商用红粉(Y,Gd)BO₃:Eu³⁺进行了比较。(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺的发射主峰在619nm,比发射主峰为593nm的(Y,Gd)BO₃:Eu³⁺色纯度好,是一种很有应用前景的发光材料。     

La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)的TCR研究(英文)

研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)体系的电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.体系出现大的TCR,来源于Gd掺杂引起的额外磁性耦合.     

Epitaxial growth and band alignment of (Gd(x)La(1-x))(2)O(3) films on n-GaAs (001)

Herein we demonstrate the epitaxial stabilization of single-crystalline (Gd(x)La(1-x))(2)O(3) films on n-GaAs (001) with a controlled lattice match. (Gd(x)La(1-x))(2)O(3) films have an in-plane epitaxial relationship with a twofold rotation on GaAs (001). Spectroscopic characterization by photoemission and absorption confirms that the band gap of (Gd(x)La(1-x))(2)O(3) film is approximately approximately 5.8eV. However, the conduction band offset is increased by the unpinned Fermi level of the n-GaAs in the (Gd(x)La(1-x))(2)O(3) film (x=0.97). The correlation of the crystalline property and the interfacial band offset by the electrical properties, as probed by capacitance and leakage current measurements, is also discussed.     

Noncritically phase-matched frequency conversion in Gd(x)Y(1-x)Ca(4)O(BO(3))(3) crystal

A nonlinear optical crystal YCa(4)O(BO(3))(3) (YCOB) is phase matchable for third-harmonic generation (THG) of a Nd:YAG laser by type I mixing between 1.064 and 0.532mum . By partial substitution of Gd for Y in YCOB, a solid solution Gd(x)Y(1-x)Ca(4)O(BO(3))(3) gradually changes the phase-matching angles of THG to (theta, ?)=(90( degrees ), 90 ( degrees )) . We present the properties of noncritically phase-matched THG in Gd(x) Y(1-x)Ca(4)O(BO(3))(3) (x=0.28) .     

掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析

通过共沉淀法制备了红色荧光粉Gd_2-xEu_x(MoO₄)₃,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对所制备的样品进行结构表征分析,讨论了不同掺杂量下合成的荧光材料的发光性质。研究结果表明:所制备的Gd_2-xEu_x(MoO₄)₃红色荧光粉的三处激发峰分别位于394,465,534 nm。发射光谱中在589 nm和613 nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于613 nm左右,与Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂跃迁对应。随着Eu³⁺掺杂量的增加,所合成的荧光粉的发光强度逐渐增强。在三组实验结果中,Gd_1.4Eu_0.6(MoO₄)₃(x=0.6)的发光强度最强。     

Correlation of photoluminescence of (Y, Ln)VO4:Eu (Ln=Gd and La) phosphors with their crystal structures

We have studied the photoluminescence (PL) of (Y, Ln)VO₄:Eu³⁺ (Ln=La and Gd) phosphors and the correlation of the PL of those phosphor with their crystal structure. It is found that (Y, Gd)VO₄:Eu³⁺ phosphors have the same crystal structure as YVO₄:Eu³⁺, which is tetragonal with a little different lattice parameters. In the case of (Y, La)VO₄:Eu³⁺ phosphors, however, the gradual change from tetragonal to monoclinic structure of host lattice was observed as the amount of La ion increased. To investigate the PL property of (Y, Ln)VO₄:Eu³⁺ (Ln=La and Gd) phosphors, vacuum ultraviolet (VUV) and ultraviolet (UV) excitation were used. The favorable crystal structure for the PL intensity of orthovanadate phosphor under 147 and 254 nm excitation was tetragonal containing Gd ion and under 365 nm excitation was monoclinic containing La ion which might have the lowest site symmetry for Eu³⁺ ion.     

Magnetic order in hybrid frustrated magnets Gd(2-x)Tb(x)Ti2O7 (x = 0.2 and 0.5)

We report on the specific heat, magnetization and ac susceptibility measurements of single crystals of hybrid frustrated magnets Gd(1.8)Tb(0.2)Ti(2)O(7) and Gd(1.5)Tb(0.5)Ti(2)O(7). The analysis of experimental data revealed that, although partial replacing of the Gd(3+) ions by the Tb(3+) ions in the Gd(2)Ti(2)O(7) host lattice slightly enhances antiferromagnetic coupling, as inferred from the evolution of the paramagnetic Curie-Weiss temperature, the ordering temperature gradually decreases. Paramagnetic correlations introduced by the Tb(3+) ions cause this perturbation, altering the effective further neighbor interactions and destabilizing the ground state in Gd(2)Ti(2)O(7). In addition, the low-energy states of Gd(2-x)Tb(x)Ti(2)O(7) are suggested to possess a nature different from those in parent members Tb(2)Ti(2)O(7) and Gd(2)Ti(2)O(7). Finally, the frequency-dependent magnetic susceptibility behavior in Gd(1.5)Tb(0.5)Ti(2)O(7) is consistent with the formation of a spin-glass-like state indicating a pronounced slowing down of the dynamical response of the studied hybrid magnets.     

Tb1-xGdxA3(A=邻氨基苯甲酸,x=0-1)固体配合物的光谱分析和荧光增强

合成了一系列组成为Tb1-xGdxA3(A=邻氨基苯甲酸，x=0-1.0)的固体配合物。利用红外光谱和荧光光谱研究了配合物的结构和荧光性质。红外光谱的结果表明，掺表配合物的结构与未掺杂的邻氨基苯甲酸铽相似。荧光光谱的结果显示，Gd^3 对Tb^3 的发光有明显的增敏作用，并对荧光增敏的机理进行了探讨。