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本文采用Cu2+斜方对称电子顺磁共振(EPR)参量的高阶微扰公式计算了晶体Cu1-xHxZr2(PO4)3中Cu2+的EPR参量(g因子和超精细结构常数A因子).计算结果表明,晶体Cu1-xHxZr2(PO4)3中[CuO6]10-基团的Cu-O键长分别为R||≈0.241 nm,R⊥≈0.215 nm,平面键角τ≈80.1°;由于对称性降低,中心金属离子基态2A1g(θ)和2A1g(ε)有一定程度混合,混合系数α≈0.995.所得EPR谱图的理论计算值与实验数据符合得很好. 相似文献
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采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法, 计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4 (A=Ca, Sr, Ba, Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//, g⊥和零场分裂b20, b40, b44, b60, b64). 矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算. 计算结果显示, 应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量A2 (R0), A4 (R0)和A6 (R0)], 计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好, 表明该方法可用于计算或解释Gd3+在晶体中的自旋哈密顿参量.
关键词:
AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体')" href="#">AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体
自旋哈密顿参量
晶体场理论
对角化能量矩阵 相似文献
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报道了Ni(C3H10N2)2NO2(ClO4)晶体在T=1.5K温度和W波段的ESR实验.建立了d8离子基态3A2(F)的零场分裂参量D,E,和g因子与斜方对称晶场势参量间的关系,并应用于Ni(C3H10N2)2NO2(ClO4)晶体.计算值与实验数据符合很好,表明所给关系式是合理的. 相似文献
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应用群论及原子分子反应静力学方法推导MgB2分子的电子状态及其离解极限,采用密度泛函B3LYP和从头计算QCISD方法在6-311++G**基组水平上,对MgB2分子可能的状态进行优化计算,得出MgB2的三重态能量最低,其稳定构型为C2v,平衡核间距Re=2.2977,键角αBMgB=41.5521°,能量为-248.9645a.u.同时还计算了基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率ν(B2)=315.4430 cm-1,反对称伸缩振动频率ν(A1)=418.1883 cm-1和弯曲振动频率ν(A1)=968.9672 cm-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出了基态MgB2分子的解析势能函数,其等势面准确再现了基态MgB2平衡结构和离解能,并由此讨论了B+MgB和Mg+BB分子反应的势能面静态特征.
关键词:
2')" href="#">MgB2
多体项展式理论
解析势能函数 相似文献
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木文研究了Al2O3对B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl非晶态的形成和电学性能的影响,我们发现:加入适量的Al2O3后,无需借助液氮骤冷技术,直接将熔体倾倒在室温下的紫铜板上就很容易形成大块非晶锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3。Al2O3的加入使B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl的电导率有所降低,但在高温下不太明显,电导激活能略微升高,实验发现:Al2O3含量x=0.03是较合适的剂量,较容易形成大块非晶态,对电导率的影响也不大。
关键词: 相似文献
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本文考虑到d8电子组态中所有自旋三重态和自旋单态对基态的影响,用高阶微扰法导出了d8电子组态在三角对称晶场下光谱和基态EPR普遍公式。发现在三角对称晶场下,d8电子组态离子的g⊥ > g‖或g⊥ < g‖和D > 0或D < 0是以立方对称晶场为界,晶体中顺磁离子的配体沿C3轴伸长或压缩所致。利用所得公式计算了NiCl2和NiSiF6·6H2O晶体的EPR参量,其结果与实验吻合较好。 相似文献
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文章考察了Mo-SiO2催化剂体系在丙烯歧化反应过程中的动态ESR波谱,发现在催化歧化反应过程中有两种Mo5+顺磁中心,一种为扰动八面体配位,g||=1.89,g⊥=1.94;另一种为扰动四棱锥配位,g||=1.86,g⊥=1.95。测得同位素95,97Mo5+的各向异性超精细耦合常数A||=90.3×10-4cm-1,A⊥=44.8×10-4cm-1;观测到反应产生的积炭信号,g≈2.0O2;氧阴离子自由基信号g1=2.018,g2=2.011,g3=2.005。用LCAO-MO理论对上述Mo5+的ESR波谱进行计算,求得分子轨道系数,发现并总结出△g||/△g⊥与△g成直线关系,并建议用△g||/△g⊥=4(△E(B2→E))/(△E(B2→B1)(β1/ε)2之比值作为衡量C4v扰动程度的尺度。 相似文献
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用高温熔融法制备了Tm2O3掺杂浓度为0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5 mol%的40 GeO2-35TeO2-15PbO-5Al2O3-2.5CaO-2.5SrO锗碲酸盐玻璃. 热学性质测试表明该玻璃的转变温度为446 ℃, 没有析晶峰. 玻璃的最大声子能量约为750 cm-1. 利用Judd-Ofelt 理论计算了Tm3+ 的Judd-Ofelt 参数Ωt(t = 2, 4, 6)、不同浓度下Tm3+ 离子各激发态能级的自发辐射几率、荧光分支比以及辐射寿命等参数. 采用808 nm 波长抽运源测试了Tm3+ 离子的荧光光谱. 发现掺杂浓度为1 mol% 时约1.8 μm 处的荧光强度最强. 根据McCumber 理论计算了3F4 →3H6 的发射截面, 其峰值发射截面为6.5 × 10-21 cm2. 根据速率方程计算了玻璃中OH 引起的Tm3+ 的3F4 能级的无辐射弛豫速率, 随着Tm3+ 浓度增加, OH 对3F4 能级的猝灭速率增加. 这种玻璃有望研制成一种新型的约2 μm 的激光玻璃材料.
关键词:
锗碲酸盐玻璃
3+掺杂')" href="#">Tm3+掺杂
光谱性质 相似文献
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从能量传递的角度出发,利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)对Pr3+和Mn2+掺杂的SrB4O7粉末样品进行了光谱研究.206nm激发下,在SrB4O7:Pr3+(0.1%,摩尔分数)样品中观察到了来自Pr3+离子1S0能级的光子级联发射.SrB4O7:Pr3+样品的发射谱与SrB4O7:Mn2+样品监测Mn2+离子640nm发射的激发谱在330~430nm的波长范围里存在显著的光谱重叠.这个光谱重叠有利于Pr3+→Mn2+的能量传递发生,从而将Pr3+离子级联发射中第一步不实用的紫外或近紫外光子转换为Mn2+的红光发射.双掺杂样品SrB4O7:Pr3+,Mn2+与单掺杂样品SrB4O7:Pr3+的发射谱比较揭示出Pr3+→Mn2+的能量传递的确存在,并且提供了一种传递效率的估算方法,表明通过“Pr3+-Mn2+”组合有可能获得量子效率大于1的高效真空紫外激发发光材料. 相似文献
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五种还原Keggin结构杂多阴离子的ESR谱 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道了五种具有Keggin结构的还原杂多阴离子的溶液和-150℃冷冻ESR谱,它们是SiV2Mo10O406-、bSiV2Mo9O407--、PV3Mo9O406-、PV3W9O406-和VV3W9O406-。在室温下pH≤3时,所有杂多酸阴离子均为8条锐线,pH=7-8时,均为8+15条线并且随着放置时间增长逐步变成8条线。在-150℃时均呈现出V4+8条线的复杂粉末谱,作者根据一种修正的Ble-aney方法成功地模拟了这些冷冻谱,得出g‖、g⊥、A‖、A⊥,按照DeArmond理论计算了近似的K、α值并讨论了它们的物理意义。最后从异构体的数目和简并度的观点初步解释了观察不到V3物种22条超精细线的原因。Back 相似文献
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The synthesized monoclinic(B-type) phase of Y_2O_3 has been investigated by in situ angle-dispersive x-ray diffraction in a diamond anvil cell up to 44 GPa at room temperature. A phase transition occurs from monoclinic(B-type) to hexagonal(A-type) phase at 23.5 GPa and these two phases coexist even at the highest pressure. Parameters of isothermal equation of state are V_0= 69.0(1) ~3, K_0= 159(3) GPa, K_0= 4(fixed) for the B-type phase and V_0= 67.8(2) ~3, K_0= 156(3) GPa,K'_0= 4(fixed) for the A-type phase. The structural anisotropy increases with increasing pressure for both phases. 相似文献
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报道了Gd3+离子在GdB3O6基质中的光子级联发射特性。用Hitachi M850荧光分光光度计测定了Gd3+ 6GJ能态的位置和Gd3+离子的光子级联发射光谱,Gd3+离子的第一个光子发射为6GJ→6PJ(~600nm)和6GJ→6IJ(~780nm),第二个光子的发射为6PJ→8S7/2(~310nm)。由于6D9/2与6I11/2间能级差(~2900cm-1)和6I7/2与6PJ间能级差(~3900cm-1)较小,多声子弛豫的几率明显超过辐射跃迁几率。因此,当用8S7/2→6GJ(202nm)的紫外光激发时,只能观察到6PJ→8S7/2(~310nm)、6GJ→6PJ(~600nm)和6GJ→6IJ(~780nm)的发射跃迁,未能观察到6IJ→8S7/2(~275nm)和6DJ→8S7/2(~250nm)的发射跃迁。 相似文献
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利用溶胶-凝胶技术与电子束蒸镀相结合的方法在常温下制备了叠层V2O5/Ag/V2O5(VAV)透明导电薄膜,研究了各层薄膜厚度对叠层结构光电特性的影响。用原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪及开尔文探针对样品的表面形貌、光电性能及功函数等性质进行了表征。实验结果表明,该薄膜具有良好的光学和电学性质,可见光(380~780 nm)平均透过率达75%,迁移率为16.89 cm2/(V·s),载流子浓度为-1.043×1022 cm-3,方块电阻值为15.1 Ω/□,功函数为5.17 eV。该制备方法降低了V2O5薄膜的工艺制备难度,为该材料在太阳能电池中的应用创造了良好的前期基础。 相似文献