脉冲时间分辨光声量热法用于光厚溶液

近年来,用光声量热法(photoacoustic calorimetry,缩写PAC)测量液相体系中的光物理或光化学过程有了较快发展.这对于观测无辐射的瞬态粒子有重要意义。Peters及其同事曾分析过这种光声技术的原理.简言之,脉冲激光被体系吸收后将     

VA族元素氢化物的紫外光解和多光子电离Ⅱ. PH3的多光子电离光谱

用染料激光器在波长为300-640 nm范围内扫描, 观察到PH_3的一系列多光子电离光谱。其中351-398 nm的近二十条谱带, 其能级间隔约263 cm~(-1), 拟归属于通过Ã态的(2+1)电离谱。在460-495 nm的弱谱, 428-452 nm的六条谱带和385-398 nm之间的四条谱带, 则分别认证为相应于经历了B, C和D态的(3+1)MPI光谱。求得B态的项值T_0≤60729 cm~(-1), D态的T_0≤75567 cm~(-1), 而D态的反演振动频率ω_2为510 cm~(-1).     

气相CCl2自由基的发射光谱

在CCl₄蒸汽的直流放电中,观测了从520到630nm波长范围的荧光发射并确认为CCl₂自由基A→X跃迁。近400条谱带归属为³⁵Cl-C-³⁵Cl和³⁵Cl-C-³⁷Cl的(v₁′,v₂′,0)→(v₁″,v₂″,0)一系列前进带组,并排列成Deslandres表。光谱分析给出CCl₂在激发态和基态的v₁和v₂振动频率及同位素位移,其中气相CCl₂在基态的数据尚未见文献报道。 关键词：     

Multiphoton Ionization of Monosilane

The (3 + 1) photon ionization spectra of SiH_4 have been measured. A basically continuous spectrum was recorded in laser wavelengths from 428 to 458 nm.Two vibrational progressions were found in the UV laser region of 347-392 nm, anda fine structure of the band at 363.5 nm was assigned.The fragment ions were detected by a time-offlight mass spectrometer. No parent ion SiH_4~+ was observed whereas SiH_2~+ and SiH_3~+ were the major products. The ratio of SiH_2~+/SiH_3~+ was approximately equal to that of single photon ionization at the same energy, but the fraction of Si~+ was increased. Some additional bands appeared in Si~+ spectrum in the range of 384-390 nm implicating that the increased Si~+ might be generated from SiH_2~+ and SiH~+ ions.     

四甲基硅的多光子电离光谱和质谱

在半导体生产中常用化学气相沉积(CVD)方法制备纯硅.所用的硅化合物原料中,四甲基硅是很重要的一种.与其它种类相比,它不象硅甲烷那样易爆,又不象卤代硅烷那样有腐蚀性,化学性质是比较稳定的.另一方面,它的分子结构Si(CH_3)_4与一般有机金属化合物类似,具有一定代表性.因此研究这个分子的离解和电离过程,以及光物理与光化学性质,在应用和学术方面都是有价值的。     

CHCI_3和CDCI_3的红外光谱研究

用付里哀变换光谱仪记录了CHC1_3和CDCI_3的红外谱带并作了标识,得到大部分非谐性常数和柯里奥利常数,讨论了这两种同位素分子在CO_2激光的11μ带的光学选择性。     

甲硅烷的多光子电离

本文测量了SiH_4的(3+1)电离光谱。在激光波长428—458nm基本上是一个连续谱,在激光紫外区347—392nm,得到两个振动前进带组,并标识了一个位于363.5nm的谱带精细结构。用飞行时间质谱仪检测了碎片离子,没有观察到母体离子SiH_4~+,主要的产物离子是SiH_2~+和SiH_3~+,SiH_2~+和SiH_3~+离子产率的比值近似等于相同能量下的单光子电离结果,但Si~+的产率明显增加。在384—390nm范围的Si~+离子的光谱中比其它离子的光谱多出一些谱带,其增加的Si~+可能来自SiH_2~+和SiH~+离子的离解过程。