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1.
镉(Ⅱ)-meso(4-磺基苯)卟啉络合物的极谱伏安行为   总被引:6,自引:0,他引:6  
王小萍  张勇  潘景浩 《分析化学》2001,29(3):290-292
用紫外分光光度法和循环伏安法考察了镉与meso(4-磺基苯)卟啉在强碱性溶液中形成的络合物的特性.结果表明,加入Cd(Ⅱ)后该卟啉的索瑞特(Soret)吸收带发生发红移,循环伏安图上出现了新的还原峰,峰电位为-1.20V(vs.SCE),络合物的络合比为11,稳定常数β=1.19×107.本文还用多种电化学技术证明了络合物的还原峰电流具有吸附特征;用示波极谱法二阶导数波测试了峰电流与镉离子浓度的关系,结果表明镉离子在3×10-7~1×10-5mol/L的浓度范围内与络合物峰电流有良好的线性关系;并求得了电极反应的电子转移数为2.此外本文还对络合物的电极反应机理进行了探讨.  相似文献   

2.
碱性介质中甘氨酸在纳米金膜电极上的吸附和氧化   总被引:4,自引:0,他引:4  
运用原位红外反射光谱(in situ FTIRS)和电化学石英晶体微天平(EQCM)在分子水平上研究了碱性介质中甘氨酸在纳米金膜电极上的解离吸附和氧化过程.结果表明,甘氨酸在很低的电位下(-0.8 V, vs SCE)就可发生解离吸附.其解离产物氰基(CN-)与电极表面存在较强的化学吸附作用,形成AuCN-物种(红外吸收谱峰位于2100 cm-1附近).吸附在纳米金膜表面的CN-给出红外吸收显著增强、红外谱峰方向倒反和半峰宽增加的异常红外效应特征.吸附态CN-在低电位抑制H2O和OH-的吸附,当电位高于0.2 V可氧化产生OCN-;进一步升高电位到0.3 V则形成.溶液相物种OCN-和对应的红外吸收峰分别为2169 cm-1和2145 cm-1.实验结果指出,金以的形式溶解是导致电极表面质量显著减少的主要原因.  相似文献   

3.
应用程序电位扫描法和电化学原位FTIR反射光谱从定量角度在分子水平 上研究了CO2在Rh电极上的电催化还原性能。红外光谱结果指出CO2还原的吸附产物为线型和桥式吸附态CO物种。在所研究和还原电位范围(-0.15-0.40V)和相同还原时间,CO2还原吸附物种的氧化电量随还原电位的负移而增大,在每个还原电位下,时间超过250s时都可达到一个相应的饱和值。原位红外光谱和电化学研究结果表明,CO2的还原与Rh电极表面氢吸附反应密切相关,同时需要一定数量相邻表面位的参与。因此生成的CO不能在Rh电极表面达到满单层吸附,而是形成均匀的亚单层分布。  相似文献   

4.
用电化学循环伏安法和电化学石英晶体微天平(EQCM)技术研究了Sb在Au电极上不可逆吸附的电化学过程. 研究结果表明, 在-0.25 V到0.18 V(vs SCE)范围内, Sb可在Au电极上稳定吸附, 并且在0.15 V附近出现特征氧化还原峰. 根据EQCM实验数据, 在电位0.18 V时, Sb在Au电极上的氧化产物是Sb2O3; 同时Sb的吸附阻止了电解液中阴离子和水在Au电极上的吸附. 当电极电位超过0.20 V时, Sb2O3会被进一步氧化成Sb5+化合物, 同时逐渐从Au电极表面脱附.  相似文献   

5.
循环伏安实验显示, 缺位磷钨杂多阴离子 的酸性水溶液在玻碳(GC)电极上有两对可逆的还原-氧化波. 第一对波的电荷迁移数为1.4, 有2个质子参与反应; 第二对波的电荷迁移数为1.0, 参加电极反应的质子数为1. 根据峰电流与电位扫描速率平方根的关系得到 在0.1 mol•L-1 NaOAc+HOAc溶液中的扩散系数 Do为3.54×10-6 cm2•s-1. 交流伏安和交流阻抗实验表明, 的电极过程包含吸附和脱附步骤, 第一对波的电荷迁移阻抗较大, 第二对波的较小, 对应的交换电流密度i0分别为4.6×10-5和6.7×10-4 A•cm-2. 电极过程的可逆性及其缺位特性使它对H2O2的还原有显著的电催化作用, 因此有望用于有机物的氧化和降解. 同时, 还提出了一个相关的电催化机理.  相似文献   

6.
水溶液中Eu^3+与meso-四(4-磺苯基)卟啉(TPPS)不易形成卟啉络合物,但在乙酸,酒石酸,丙二酸等共存时,在循环伏安图上可得一对Eu^3+还原-氧化的可逆或准可逆峰,此峰与Eu^3+在NaClO4底液中的还原峰相比,峰电位正移,峰电流增高,从6种Eu^3+-羧酸络合物与TPPS共存时的实验中证明这些络合物并没有和TPPS形成三元络合物,而是吸附在汞电极上的TPPS产生电催化作用。  相似文献   

7.
应用电化学循环伏安方法(CV)和原位傅里叶变换红外反射光谱(in situ FTIRS)研究了酸性溶液中Pt多晶电极表面NO和CO的共吸附行为及吸附态CO对吸附物种NO氧化还原反应的影响.研究结果表明,0.20V(VS.SCE)时,CO和NO能同时稳定吸附在Pt电极表面,CO以线性吸附态(CO L)存在,NO以桥式吸附态(NOB)和线性吸附态(NO L)共存.CO L 的共存使得NO的还原电流峰电位负移约0.024V,并且促使不易被氧化的NO B在0.93V处被氧化.原位FTIRS研究进一步表明,NO可以置换预吸附在电极表面的CO,NO和CO在Pt多晶电极表面的吸附是一个竞争吸附的过程.在0.45V-1.2V电位区间,NO和CO都能转化为环境友好产物,分别为NO3-和CO2.且Pt电极表面共吸附物种CO的量直接影响NO B的氧化产物NO3-的生成量.  相似文献   

8.
Au/PATP/PANI膜电极和Au/PATP/PANI/TiO2膜电极的光电化学   总被引:7,自引:0,他引:7  
聚苯胺(PANI)是一种结构、 性质不同于聚乙炔和聚吡咯的新型导电高聚物,有着十分广泛的应用[1,2].近年来利用光电化学研究聚苯胺的电子结构、 掺杂情况引起人们的重视[3~5].在酸性溶液中电聚合制备聚苯胺的循环伏安曲线上出现两对氧化还原峰,其峰值电位分别为E11/2=0.13 V和E21/2=0.7 V(对饱和甘汞电极).通过改变电极电位,可获得部分氧化态、还原态、氧化态等3种状态的聚苯胺.部分氧化态具有金属导电性,还原态和氧化态均为绝缘体.本文测量3种状态聚苯胺膜电极的光电响应,首次得到其光电流谱,发现聚苯胺一些新的光电化学实验结果.提出了覆盖绝缘体的金属内发射的光电化学模型.同时,在聚苯胺膜上电沉积纳米TiO2微粒膜,得到广谱区的复合光电材料.  相似文献   

9.
舒乐安定在铂离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
舒乐安定在0.1 mol/L NH3-NH4Cl缓冲溶液(pH 9.40)中,用线性扫描伏安法,在Pt/GC离子注入修饰电极上,形成一良好的线性扫描伏安还原峰,峰电位Ep=-0.70V(vs.SCE)。其峰电流与舒乐安定浓度在3.0×10-9-1×107和1×10-7-1.5×10-6mol/L范围内呈线性关系,相关系数均为0.9999,检出限为3.0×10-9mol/L。并用于片剂的测定,回收率在96.5%~98.5%之间,结果是可靠的。用循环伏安法研究了体系的性质。实验表明,电极过程为不可逆吸附。用AES、XPS和SEM等表面分析方法证明,Pt离子确实注入到玻碳基体电极表面,Pt以原子态存在,催化了舒乐安定的还原。  相似文献   

10.
钯 8 羟基喹啉 5 磺酸形成的络合物的峰电流 (pH 8.6 ,- 0 .6 8V)具有吸附特性 ,为不可逆电极反应过程。其电子转移数 (n)、电子转移系数 (α)及饱和吸附量 (Γs)分别为 2、0 .4 6和 2 .2× 10 - 9mol cm2 ;钯 与8 羟基喹啉 5 磺酸的络合比为 1∶2 ;稳定常数 (K)为 8.73× 10 7。加入阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠未形成三元络合物 ,催化电流是由与十二烷基硫酸钠共吸附在电极表面上的超氧阴离子自由基氧化了络合物的电极反应中间体所产生的。  相似文献   

11.
运用电化学循环伏安和程序电位阶跃方法研究了乙二醇在Pt(111)单晶电极上的解离吸附过程.动力学研究的定量结果指出,乙二醇解离吸附反应的平均速率随电极电位变化呈火山型分布,其最大值在0.10 V(vs SCE)附近.测得在含2×10-3 mol•L-1乙二醇的溶液中,最大初始解离速率vi为4.35×10-12 mol•cm--2•s-1.  相似文献   

12.
循环伏安法表明,在NaOH底液中核黄素丁酸酯(riboflavine tetrabutyrate,RT)在汞电极上有一对氧化还原峰,其峰电位Epc=Epa=-0.64V(vs.Ag/AgCl)。本文用多种电化学手段对RT的吸附特性进行了较详细的研究。吸附粒子为RT中性分子,测得RT在汞电极上的饱和吸附量为5.42×10-11mol/cm2,每个RT分子所占电极面积为3.06nm2,RT在悬汞电极上的吸附符合Frumkin等温式。测得吸附系数β=4.6×105,吸引因素γ= 1. 10,吸附自由能△G°=- 32. 30 kJ/mol。本文还用循环伏安法研究了RT的电极反应动力学性质,测定了其在汞电极上的反应速率常数。  相似文献   

13.
碳基针孔组合微电极的性能测试与理论验证   总被引:2,自引:0,他引:2  
在涂敷绝缘漆的碳电极上,用针尖刺穿绝缘膜,形成组合微盘电极.在铁氰化钾与亚铁氰化钾溶液体系测得电极的循环伏安曲线与理论计算曲线十分吻合.阶梯扫描伏安法测得的极限扩散电流,与亚铁氰化钾浓度和扫描速率平方根都成良好的线性关系.在氯化钾支持电解质溶液中,测得Cd(Ⅱ)的循环伏安曲线是不可逆的, Cd(Ⅱ)的还原波峰电位在-0.98 V(相对于饱和甘汞电极)附近; 800 mV•s-1阶梯扫描速率下,在2.55×10-5 ~1.28×10-4 mol•dm-3浓度范围内, Cd(Ⅱ)的浓度与还原波峰电流成良好的线性关系.  相似文献   

14.
测定人发中铜的桑色素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法   总被引:1,自引:0,他引:1  
制作了用桑色素作修饰剂的化学修饰碳糊电极,利用该电极为工作电极,建立了测定痕量铜的新方法。在甲酸钠-盐酸缓冲溶液(pH4.6)中,在0.20V(vsSCE)下搅拌富集,铜(Ⅱ)与碳糊修饰电极表面的桑色素形成电活性络合物而吸附富集于电极表面,经-0.45V静置还原后,阳极化线性扫描,在-0.05V获得一灵敏的二次导数溶出峰。在不同富集时间下,其二次导数峰电流与铜(Ⅱ)浓度分别在1.0×10  相似文献   

15.
在0.02 mol/L NH4Cl-NH3.H2O(pH8.0)的底液中,采用循环伏安法测定葛根素,得到一良好的氧化峰,峰电位Ep=+0.57V,峰电流Ip与葛根素的浓度在1.046×10-7~5.767×10-5mol/L范围内成线性关系,相关系数r为0.9989,检出限为1.046×10-7mol/L.测定葛根中葛根素的含量,平均回收率在99.8%.并且研究了葛根素在玻碳电极上的电化学行为,结果表明葛根素的电极过程具有吸附性和不可逆性.  相似文献   

16.
二甲基甲酰胺中Y-Mg-Co合金膜的电化学制备   总被引:6,自引:0,他引:6  
研究了二甲基甲酰胺(DMF)中Y(Ⅲ) 和Mg(Ⅱ) 及Co(Ⅱ)在Pt电极上的电化学行为.结果表明,Y(Ⅲ)、Mg(Ⅱ)及Co(Ⅱ)在Pt电极上一步不可逆还原为Y(0)、Co(0)和Mg(0).在301 K时,利用循环伏安法分别测定出Mg(ClO4)2-LiClO4-DMF中Mg(Ⅱ)的扩散系数和传递系数为2.95×10-6 cm2•s-1和0.11;CoCl2-LiClO4-DMF中Co(Ⅱ)的扩散系数和传递系数为1.34×10-5 cm2•s-1和0.24;Y(NO3)3-LiClO4-DMF中Y(Ⅲ)的扩散系数和传递系数为1.68×10-5 cm2•s-1和0.10.在铜电极上于-1.50~-3.00 V(vs SCE)下恒电位电沉积,得到黑色、光滑致密、粘附性好的Y-Mg-Co合金膜,其中Y含量为3.88%~58.66%;Mg含量为4.51%~17.52%.  相似文献   

17.
聚阿魏酸修饰电极的电化学特性及电催化性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了阿魏酸在玻碳电极表面电聚合成膜的方法和条件,测量了应用电化学方法制备不同厚度的阿魏酸修饰电极的循环伏安行为及其它电化学性质.对厚度为0.5 μm的阿魏酸膜,测得的电子转移系数为0.49,表观电极反应速率常数(ks)为6.56 s-1.扩散系数DR为7.9×108 cm2•s-1,Do为4.48×108 cm2•s-1.该修饰电极对烟酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)氧化具有很好的催化作用.NADH浓度在0.01~5.0 mmol•dm-3范围内与峰电流呈现良好的线性关系.  相似文献   

18.
阿西美辛的吸附伏安特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
在乙酸 -乙酸钠 ( p H 4.2 0 )底液中 ,阿西美辛 ( ACE)在汞电极上有一线性扫描还原峰 ,峰电位 Epc=- 1 .1 8V( vs.Ag/Ag Cl) ,该峰具有明显的吸附性。吸附粒子为 ACE中性分子 ,测得 ACE在汞电极上的饱和吸附量为 1 .1 9× 1 0 - 10 mol/cm2 ,每个 ACE分子所占电极面积为 1 .43nm2 ,ACE在悬汞电极上的吸附符合 Frumkin等温式。测得吸附系数β =1 .2 9× 1 0 6 ,吸引因素γ =1 .0 4 ,电子转移数 n为 2 ,不可逆吸附的电子转移系数α为 0 .86,表面电极反应速率常数 ks=0 .32 /s。建立了吸附伏安法测定 ACE的最佳条件 ,检出限为 1 .0× 1 0 - 9mol/L  相似文献   

19.
通过球形扩散模型推导了恒压-恒流充电容量比(简称RPG)与石墨电极中锂离子固相扩散系数的关系,给出了一种测量锂离子在石墨负极中固相扩散系数的新方法即RPG法.理论结果表明固相扩散系数D与RPG值q,颗粒半径R和恒流充电时间tG有关.当q ≤ 0.5时,其关系式可通过最小方差线性化拟合为D=R2/(15.36qtG) (q ≤ 0.5).实验结果表明,RPG法具有非常好的重现性,不同恒流充电电流和时间下测得1.5 V(vs Li/Li+)的锂离子固相扩散系数值均在1.060×10-10 cm2•s-1左右.采用RPG法对石墨电极在1.0~2.5 V(vs Li/Li+)高电压区的锂离子固相扩散系数进行了测试,结果表明在1.0~2.5 V的高电压区,随着电压的升高,D值从4.292×10-10 cm2•s-1减小到1.219×10-11 cm2•s-1.  相似文献   

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