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本文主要证明了如下结果: 设ρ级整函数f(x)具有k(1≤k<+∞)个判别有穷渐近值。如果k=2ρ,则有 1) f(z)不能有有穷亏值, 2) 对任意值θ,0≤θ<2π,或者半直线argz=θ是f(x)的一条Julia方向,或者有... 相似文献
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设X的分布密度是f(x,θ)=exp{θx-ψ(θ)}(关于某测度v),这里θ是未知参数,θ∈(θ-,θ-),-∞≤ < ≤∞,给定θ0,θ1(<θ0<θ1<θ-),对于检验问题“零假设是θ≤θ0,对立假设是θ≥θ1”,找出了一类截尾的序贯检验法,其第一类错误的概率不超过α,第二类错误的概率不超过β,而且α+β→0时平均样本量对一切θ均渐近地最小。 相似文献
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设(x1,t≥0)是概率空间(Ω,(?),Pθ)上的指数型随机过程,这里θ∈(-∞,∞),νt是测度.为了检验假设θ≤θ0(对立假设是θ>θ0),我们找出了一类截尾的序贯检验法,其第一类错误概率不超过给定的α且平均观测时间在α→0时是渐近最短的. 相似文献
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设 f(z)为下级μ<+∞的平面内的亚纯函数,argz=θk(k=1,2,…,m;1≤m <+∞;0≤θ1<θ2<…<θm<2π,θm+1=θ1+2π为平面内m条射线,使得对任意的ε>0及X=0,∞有 这里ρ为一任意给定的非负实数.如果f(1)(z)(l≥0)具有一个有穷非零亏值 a,则f(z)的级λ≥max(π/ωρ)其中ω=min (θk+1-θk). 相似文献
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在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论. 相似文献
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得到了算子在空间 Lp(Ωa,dvλ)(1< p< ∞)上有界的充分必要条件,其中h(ξ)=(1-|z|2)α-|w|2,Ks,u,v)( ξ , ξ'' )为一核函数.作为应用,证明了对所有多重指标α=( α1,…,αn)和β=(β1,…,βn),f∈LHp(Ωα, dvλ)蕴含1≤ p<∞. 相似文献
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本文考虑非线性混合型方程 k(x,y)uxx+uyy+α(x,y)ux+β(x,y)uy+γ(x,y)u-|u|ρu=f(x,y)的Tricomi 问题.利用能量积分和不动点原理,在很弱的条件下证明了H1强解的存在性. 相似文献
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Sn是n个文字的对称群,Td为C[x1,x2,…,xn]中d次齐式所成的子空间.Td做为Sn模所确定的Sn的表示记为ρd.π(α)为与分析α相对应的既约表示.记Ndα为,π(α)进入ρd的重数,做为文献[1]的继续,本文简化了幂级数所满足的递推公式,并具体求出了母函数的表达式。 相似文献
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本文对较一般条件下的Fourier积分算子(1)研究了它的保持L_p有界性问题。此时设非退化位相函数Φ(x,ξ)在临界点处的Hessian矩阵之秩至少为r(0≤r≤n-1),而振幅a(x,ξ)∈Sρ-m,(1/2) 相似文献
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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
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设△是由平面R2={(x1,x2):x1,x2∈R}上三族直线 x1=n,x2=n,x2-x1=n,n∈Z所构成的分划。R2上的函数s称为是关于分划△的一个k次样条函数,如果s在R~2\△的各连通分支上与一个全次数≤k的多项式相一致。全体k次样条函数所成的空间记为πk,△。令πk,△ρ=πk,△∩Cρ。以φk,ρ表示由πk,△ρ内所有箱样条组成的集合,以m(k,ρ)表示φk,ρ所具有的局部逼近阶。迄今为止,关于m(k,ρ)仅有deBoor与Hollig,及Dahmen与Micchelli的少量结果。本文完全确定了m(k,ρ)的值,其结果如下: (1)m(k,ρ)=2k-2ρ,如果2k-3ρ=2, (2)m(k,ρ)=2k-2ρ-1,如果2k-3ρ=3或4, (3)m(k,ρ)=k+1,如果ρ=0, (4)m(k,ρ)=min{2k-2ρ-2,k},如果2k-3ρ≥5且ρ≥1。 相似文献