1.55μmSi_(1-x)Ge_x光波导与Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱探测器集成的优化设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分别为８、３和２．６μｍ；２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ、２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。结果表明，这种结构器件的内量子效率可达８８％。     

1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex／Si多量子阱探测器集成的优…

对１。５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽，高和腐蚀深度分别为８，３和２．６μｍ，２）对ＳＩ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ，２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５ＧＥ０．５＋１８ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

四氯合铜酸苯铵盐的结构及其红外与拉曼光谱研究

制备了四氯四铜酸苯铵盐（Ｃ６Ｈ５ＮＨ３）２ＣｕＣｌ４单晶，Ｍｒ＝１８７．２６，由四园衍射数据确定了晶体结构，晶体属单斜晶系，空间群Ｐ２１／ａ，ａ＝０．７１８４（１），ｂ＝０．７４４８（２），ｃ＝１．５０７０（４）ｎｍ，β＝１００．６７（２）°，Ｖ＝０．７９２４ｎｍ＾３，Ｚ＝２，Ｄｘ＝１．６５０ｇｃｍ＾－３，（Ｍｏ，Ｋａ）＝０．０７１０６９ｎｍ，μ＝４．０５６ｍｍ＾－１，Ｆ（０００）＝３８９，Ｒ＝０     

Siδ掺杂AlxGa1—xAs／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＾＊０／ｍ０＝０．０７３，ｍ＾＊１／ｍ０＝０．０６８）。随温度降低，子带     

MyM′1－yFClxBr1－x：Sm2＋的电子跃迁过程和光谱烧孔效率

通过测量无机光谱烧孔系列材料ＭｙＭ′１－ｙＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ２＋（Ｍ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）中４ｆ５ｄ带的激发光谱随组分ｘ和ｙ的变化，５ＤＪ—７Ｆ０（Ｊ＝２，１，０）跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化，对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究．得出结论：在此系列材料中，随着Ｂｒ含量和小半径的碱土离子的增加，Ｓｍ２＋的４ｆ５ｄ带与５ＤＪ能级更加接近，使７Ｆ０—５ＤＪ的电子跃迁几率增大，烧孔效率提高     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

1.30μm／1.55μm SiGe多模干涉滤波器

用多模干涉原理分析和设计了光通信波长（１．３０μｍ～１．５５μｍ）的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ滤波器，并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现，在Ｇｅ含量ｘ＝０．０４时，干涉区的脊高和宽度分别为６．３５μｍ和８μｍ。如果多模干涉区长度ＬＭ＝２３０２．５μｍ，可滤１．３０μｍ而通１．５５μｍ的波长。且具有３１ｄＢ的对比度和０．０１ｄＢ的插入损耗；如果多模干涉区长度ＬＭ＝２５１２．５μｍ，可滤１．５５μｍ而通１．３０μｍ的波长。具有１６ｄＢ的对比度和０．０９ｄＢ的插入损耗。     

混晶GaAs_（1－x）P_x∶N中N_x发光的声子伴线结构

本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究．在低温下，选择激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ∶Ｎ低温发光谱中类似的声子伴线结构．根据实验结果，给出了混晶中各种声子的能量．另外，对组分为ｘ＝０．７６的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ混晶样品，我们还首次观察并分析了多声子重现光谱．     

90 degrees phase-matched third-harmonic generation of CO(2) laser frequencies in AgGa(1-x)In(x)Se(2)

AgGa(1-x) In(x)Se(2) with x=0.474 was found to be 90 degrees phase matchable for third-harmonic generation of CO(2) laser wavelengths 9.2714-10.5910 mum by means of temperature tuning. Sellmeier equations and the thermo-optic constant for this crystal are presented.     

新型GeSe2-In2Se3-AgI玻璃性能研究

采用传统熔融-淬冷法制备了一系列新型(100-x)(4GeSe2-In2Se3)-xAgI(x=20,30,40mol%)硫系玻璃样品.利用X射线衍射分析、差热分析、可见-近红外吸收光谱、红外透过光谱、喇曼分析等技术手段研究了该玻璃系统的组成、结构、热稳定性和光学特性等.利用Tauc方程计算出了样品的间接带隙;测试了部分样品在不同升温速率下的差示扫描量热曲线,并采用Kissinger法计算了玻璃样品的析晶活化能.X射线衍射数据表明,该玻璃体系在较宽的组分范围内有良好的非晶特性,成玻范围较宽;差热分析和析晶动力学研究表明,玻璃样品70(4GeSe2-In2Se3)-30AgI具有较好的热稳定性(ΔT=114℃)和较高的活化能(Ea=320.4kJ/mol).随着AgI含量的增加,玻璃的短波吸收限蓝移,并且光学带隙有增大的趋势.此外,红外透过光谱分析表明该玻璃体系具有良好的红外透过性能,其红外截止波长不会随着AgI含量的增加而发生明显变化,皆为16μm左右.     

Strong valence-band offset bowing of ZnO1-xSx enhances p-type nitrogen doping of ZnO-like alloys

Photoelectron spectroscopy, optical characterization, and density functional calculations of ZnO1-xSx reveal that the valence-band (VB) offset E(v)(x) increases strongly for small S content, whereas the conduction-band edge E(c)(x) increases only weakly. This is explained as the formation of local ZnS-like bonds in the ZnO host, which mainly affects the VB edge and thereby narrows the energy gap: E(g)(x=0.28) approximately E(g)(ZnO)-0.6 eV. The low-energy absorption tail is a direct Gamma(v)-->Gamma(c) transition from ZnS-like VB. The VB bowing can be utilized to enhance p-type N(O) doping with lower formation energy DeltaH(f) and shallower acceptor state in the ZnO-like alloys.     

Silver halide single-mode strip waveguides for the mid-infrared

We report the demonstration of single-mode AgCl(x)Br(1-x) strip waveguides for the mid-infrared (MIR). The waveguides were made by the deposition of AgCl(x)Br(1-x) layers on top of a Si-SiO(2) substrate, followed by photolithographic and lift-off processing. The propagation losses of 20 dB/cm were measured at λ=10.6 μm using the cut-back method. The development of these waveguides is a crucial step toward realizing AgCl(x)Br(1-x) MIR integrated optical circuits, which would be used for applications such as chemical sensing and stellar interferometry.     

Cascaded Raman shifting of high-peak-power nanosecond pulses in As₂S₃ and As₂Se₃ optical fibers

We report efficient cascaded Raman scattering of near-IR nanosecond pulses in large-core (65 μm diameter) As?S? and As?Se? optical fibers. Raman scattering dominates other spectral broadening mechanisms, such as four-wave mixing, modulation instability, and soliton dynamics, because the fibers have large normal group-velocity dispersion in the spectral range of interest. With ~2 ns pump pulses at a wavelength of 1.9 μm, four Stokes peaks, all with peak powers greater than 1 kW, have been measured.     

氢化物发生-原子荧光法直接测定锑及其化合物中的硒和铋

通过研究在不同酸度下Sb5+对Se,Bi的干扰情况,发现在高酸度下,Sb对Se,Bi的干扰明显减弱,并结合锑在不同价态发生氢化反应的差异性,建立了不需通过任何化学分离而直接测定锑及其相关产品中的微量硒和铋的方法,并用于实际样品的分析.方法对实际样品加标回收率在95%～105%之间,检测下限(含量)硒和铋分别为0.00004×10-2mg@L-1和0.0001×10-1mg@L-1,对实际样品分析精度分别为RSD(Se)=2.4%(含量为0.00169×10-2mg@L-1时),5.4%(含量为0.00056×10-mg@L-1时)和RSD(Bi)=5.0%(含量为0.00024×10-2mg@L-1时),1.3%(含量为0.00229×10-2mg@L-1时),完全满足实际样品分析的要求.     

新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展

利用红外非线性光学晶体材料对已有的成熟的激光光源进行频率转换是获得3~5μm和8~12μm"大气窗口"红外激光的主要方法。传统的红外非线性光学晶体存在缺陷,不能满足应用要求,需要探索新型的红外材料。综述了以硫族化合物为研究对象,寻找新型中红外非线性光学晶体材料的研究进展。介绍了Li MQ2(M=Ga,In;Q=S,Se,Te),BaGa4S7,BaGa4Se7,BaGa2MQ6(M=Si,Ge;Q=S,Se)及Li2In2MQ6(M=Si,Ge;Q=S,Se)的研究进展。     

Picosecond mid-infrared optical parametric amplifier based on the wide-bandgap GaS(0.4)Se(0.6) pumped by a Nd:YAG laser system at 1064 nm

Operation of a GaS(0.4)Se(0.6) optical parametric amplifier is demonstrated with a 5-11 μm idler tuning range, maximum energies of ～10 μJ for sub-30-ps pulse durations, and performance ～3 times better than with pure GaSe.     

Pressure Dependence of the Bandgap Bowing in Zinc-Blende ZnTe 1− x Se x

We report on the pressure dependence of the bandgap bowing in the ZnTe 1 m x Se x alloy, in the whole composition range. The bandgap bowing parameter is shown to increase almost linearly with pressure from 1.23 at ambient pressure to 1.6 at 7 GPa. Saturation effects observed in the pressure dependence for x =0.1 and x =0.2 are shown to be related to the direct-to-indirect crossover. Results are discussed and interpreted in the framework of structural relaxation models for gap bowing. A prediction of these models (the negative bowing of the o 15 m ;X 1 transition) is shown to be compatible with the fact that the direct-to-indirect crossover pressure increases with the Se content.