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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽、高和腐蚀深度分别为8、3和2.6μm;2)对Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm、23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成,长度约2mm。结果表明,这种结构器件的内量子效率可达88%。 相似文献
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Si1—xGex/Si脊形波导X型分支器的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
采用分子束外延方法制作低损耗Si1-xGe/Si异质结脊形光波导,在X型交叉波导上实现了Si1-xGex/Si光分支器的功能,设计中采用了SiGe大截面脊形波导的单模条件和交波导传输特性分析的结果。X型光分支器的实现为进下Si1-xGex/Si光开关和光电调制器积累了经验。 相似文献
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GexSi1—x/Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
对GexSi1-x/Si应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计,优化结构为:i-Si雪崩区厚是1.8~2μm;p-Si区的掺杂浓度是10^18cm^-3厚为17nm超晶格总厚为340nm,它可探测1.3~1.6μm的红外光。 相似文献
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硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n^+/n Si材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5V偏压下PIN控制器的最小暗电流为0.8μA,最大光响应电流为2.7μA,最大总量子效率为14%,工作波长为λ=1.3μm。 相似文献
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导出了两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程,并讨论了Si衬底上生长的应变GexSi1-x/Si多量子阱光波导的模式截止特性。 相似文献
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用多模干涉原理分析和设计了光通信波长(1.30μm~1.55μm)的Si1-xGex/Si滤波器,并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现,在Ge含量x=0.04时,干涉区的脊高和宽度分别为6.35μm和8μm。如果多模干涉区长度LM=2302.5μm,可滤1.30μm而通1.55μm的波长。且具有31dB的对比度和0.01dB的插入损耗;如果多模干涉区长度LM=2512.5μm,可滤1.55μm而通1.30μm的波长。具有16dB的对比度和0.09dB的插入损耗。 相似文献
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GexSi1-x/Si和Ge/Si应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型.本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题,列举了它在器件应用方面的例子.给出了共度生长时超晶格的临界厚度值,超晶格中GexSi1-x合金层能隙随成分的变化,以及界面处的能带失配值等.最后介绍了由Ge,Si原子层有序排列而组成的新晶体. 相似文献
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硅衬底上锗硅合金光波导设计及工艺的优化考虑 总被引:2,自引:0,他引:2
报道用射频加热化学气相沉积法制备Si/GeSi/Si大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善,GeSi合金层中Ge的含量X要满足脊形光波导是单模,光波导的数值,孔径接近单模光纤值,脊高小于临界厚度值等,计算表明兼顾上述三项要求应取x=1~3%,脊的高与宽受大断面及单模的制约。Si的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡,为此起始脊宽取5~6μm为宜;腐蚀液,抛光液的选取人保证脊则壁及波导面端的优良镜 相似文献
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本计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。首次用解析的方法研究了它们与Ge组份x和温度T的依赖关系。我们发现,随Ge组份x的增加,由于Si1-xGex层中应力的影响,导带和价带有效态密度随之快速减少,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组份x的增加而减少得越快,而本征载流子浓度上升得越快。同时,我们还发现,具有大Ge组 相似文献
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提出一种简便可行的GexSi1-x异质结无间向耦合光开关(BOA型-Bifurcatin OpticalActive)。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关学调制查理;采用异质结超注原理分析了开关的电学性质,并根据曲单模脊形波导理论和上述,设计了利用双模干涉机制工作的Ge0.05Si0.95/Si异质结BOA型光开并的结构参数和电学参数。 相似文献
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热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温溶液法,以Bi2O3/B2O3为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石(TbYbBi)3Fe5O12(简称TbYbBiIG)晶体。晶体外形规则,最大尺寸为7×6×4mm3,X射线衍射分析证实,生长的晶体为TbYbBiIG单相单晶体,扫描电镜能谱分析其组成为Tb2.06Yb0.46Bi0.48Fe5O12。在1.0μm~1.7μm波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ=1.55μm时,在10°C~80°C温度范围内测得法拉第旋转θF的温度系数为dθF/dT=-2.3×10-2deg·mm-1K-1。研究结果表明,TbYbBiIG单晶体在近红外波段θF约为YIG单晶的3倍,温度系数小,是制作高性能光隔离器的一种好材料 相似文献
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本文通过Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体超晶格ZnSe/Zn1-xMnxSe的光致发光谱的测量,对其应力效应进行了讨论。样品的组分x=0.2,0.3,0.4,测量温度为T=11 ̄300K。结果表明:由于应力效应,ZnSe/Zn1-xMnxSe超晶格中的激子能量随x值增加而发生红移。在相同组分下,不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化,从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度 相似文献
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本文计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度.首次用解析的方法研究了它们与Ge组份x和温度T的依赖关系.我们发现,随Ge组份x的增加,由于Si1-xGex层中应力的影响,导带和价带有效态密度随之快速减少,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加.而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组份x的增加而减少得越快,而本征载流子浓度上升得越快.同时,我们还发现,具有大Ge组份x的应变Si1-xGex层,其用Si的相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积与温度T的依赖关系弱,而具有小Ge组份x的应变Si1-xGex层,上述归一化参数与温度T的依赖关系强,这和目前仅有的文献[8]中它们于温度依赖关系的定性研究结果相一致.本文得到的定量结果对探索应变SiGe层的物理性质、对应变SiGe层基器件的设计、模拟及对低温SiGe器件物理的理解有重要意义. 相似文献