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将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理. 借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能. 通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响. 相似文献
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本文用DFT计算方法研究了LiFexMn1-xPO4的热力学稳定性和嵌/脱锂电位. 结果表明,LiFexMn1-xPO4固溶体的自由能比相分离的LiFePO4/LiMnPO4混合物略高,这两种形式可能在实际LiFexMn1-xPO4材料中共存. 计算表明,LiFexMn1-xPO4固溶体的嵌/脱锂电位随锰/铁比以及过渡金属离子的空间排列而变化,并用计算结果解释了放电曲线的形状. 采用固相反应法合成了LiFexMn1-xPO4材料并研究了其电化学性质,实验中观察到附加的放电平台,其出现可能与LiFexMn1-xPO4固溶体的存在有关. 相似文献
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利用X射线粉末衍射方法,在室温高压下观察到了Hg1-xCdxTe(x=0.19)的相变。实验是在DAC高压装置上完成的,压力从0逐步加至10.1 GPa。在常温常压下Hg1-xCdxTe(x=0.19)具有闪锌矿结构。从实验结果看到,在压力为3 GPa和6.8~8.3 GPa之间有两个结构相变存在。初步认为,后一个相变与Hg1-xCdxTe(x=0.19)的金属化有密切关系。通过计算,得到了它在相变前的状态方程,并且与二元HgTe化合物在相变规律上进行了比较。 相似文献
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用密度泛函理论和非谐振子模型计算了晶体HgGa2S4和Hg0.5Cd0.5Ga2S4的能带结构、态密度、化学成键及线性、非线性光学性质。结果表明:HgGa2S4的价带顶部主要是Ga-S成键态的贡献,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献; Hg0.5Cd0.5Ga2S4的价带顶部主要由S-3p轨道组成,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献。布居分析表明Ga-S键主要是共价成分,而Hg-S和Cd-S键主要是离子成分。HgGa2S4的折射率计算值与实验值在低能量区很好吻合。另外,HgGa2S4的能隙计算值比Hg0.5Cd0.5Ga2S4小,而二阶非线性极化率比Hg0.5Cd0.5Ga2S4大。 相似文献
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用密度泛函理论B3LYP方法和6-311G(d,p)/Lanl2DZ优化得到黄曲霉素B1(AFB1)分子及其复合物AFB1-Ag的稳定结构,并计算了复合物的表面增强拉曼光谱和预共振拉曼光谱. 结果表明,AFB1分子的拉曼光谱很大程度依赖于吸附位点以及入射光的激发波长. 与分子的常规拉曼光谱相比,复合物表面增强拉曼光谱中C=O伸缩振动模的增强因子约为102~103复合物的极化率增强而导致的静态化学增强,并分析了振动模式的振动方向与其拉曼强度的关系.选择复合物最大吸收峰附近激发光266和482 nm以及远离共振吸收波长785和1064 nm作为入射光,计算得到不同入射光激发下复合物的预共振拉曼光谱.结果表明其增强因子最大达到104量级,主要是由电荷转移产生的共振增强引起的. 相似文献
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通过在碱液中共沉淀Mn2+、Ni2+和Fe2+后制备了棒状的前躯体,前躯体于不同温度煅烧后制得了MnxNi0:5-xZn0:5Fe2O4棒状体. 利用X射线衍射仪和透射电镜对棒状体的物相、形貌及粒径进行了表征,并利用振动样品磁强计对磁性能进行研究. 结果表明长径比大于15的棒状,随着x值的增加,MnxNi0:5-xZn0:5Fe2O4样品的直径增加,长度下降,长径比变小,当x=0.5时其直径在50 nm左右而长径比减小到7~8. 随着x值的增加,样品的矫顽力先增加后减少,x值达到0.4时样品的矫顽力再次增加,当煅烧温度为600 oC,x=0.5时样品的矫顽力最大为134.3 Oe. 饱和磁化强度随着x值的增加先增加后减少,当煅烧温度为800 oC和x=0.2时达到最大为68.5 Oe. 相似文献
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现代可编程约瑟夫森电压基准的核心器件是约瑟夫森结阵.目前最具有优势的约瑟夫森结阵是 Nb/NbxSi1-x/Nb材料的结阵. Nb/NbxSi1-x/Nb材料的约瑟夫森结 具有三层薄膜的制作过程简便, Nb和NbxSi1-x刻蚀工艺相同以及NbxSi1-x 势垒层成分可调等优点.中国计量科学研究院设计制作了Nb/NbxSi1-x/Nb约瑟夫森单结. 通过在4.2 K低温下对所做单结进行直流电流-电压特性测量,观测到了清晰的超导隧穿电流和 从零电压态向电压态的跳变,最后就测量结果进行了分析讨论.此项工作属于国内首个开展 Nb/NbxSi1-x/Nb材料约瑟夫森单结研究的工作. 相似文献