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1.
本文在晶场理论的基础上,考虑了Cu2+-Cu2+离子间的交换作用后,得到了(φ4As) CuCl3晶体中Cu2--Cu2-离子对的跃迁能级,g-因子和零场分裂,计算结果与实验符合较好。 相似文献
2.
基于配位场理论,建立d3组态离子在三角晶场中的完全能量矩阵,采用完全能量矩阵的对角化计算方法,研究了绿宝石晶体Cr3+:Be3Al2(SiO3)6的光谱和EPR谱,理论值与实验值符合得很好.通过分析绿宝石晶体中(CrO6)9-团簇的光谱和EPR谱,研究了配体在络合物中的极化现象.结果表明由于周围配位环境的影响,绿宝石晶体中(CrO<
关键词:
3+:Be3Al2(SiO3)6体系')" href="#">Cr3+:Be3Al2(SiO3)6体系
光谱
EPR谱
局域结构极化 相似文献
3.
掺杂LiF的ESR谱和ENDOR谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
LiF:Mg,Cu热释光(TL)磷光体在γ辐照后产生F0顺磁中心,其g因子为gxx=2.0030,gyy=2.0450,gzz=2.0251,裂分为Axx=511.04G,Ayy=505.42G,Azz=507.26G。F0中心的浓度随Mg++浓度的增加而下降。磷光体的ENDOR谱显示F0中心附近有铜核存在。照射前和照射后24h测量均未发现Cu++的ESR谱,表明铜是以Cu+形式掺入的,照射并未引起Cu+离子化合价的改变。LiF:Mg,Cu,P在γ辐照前具有轴对称的Cu++离子的ESR谱,辐照后产生了O-空穴中心和PO32-自由基,改变了Cu++的环境,使Cu++的谱发 相似文献
4.
本文采用Cu2+斜方对称电子顺磁共振(EPR)参量的高阶微扰公式计算了晶体Cu1-xHxZr2(PO4)3中Cu2+的EPR参量(g因子和超精细结构常数A因子).计算结果表明,晶体Cu1-xHxZr2(PO4)3中[CuO6]10-基团的Cu-O键长分别为R||≈0.241 nm,R⊥≈0.215 nm,平面键角τ≈80.1°;由于对称性降低,中心金属离子基态2A1g(θ)和2A1g(ε)有一定程度混合,混合系数α≈0.995.所得EPR谱图的理论计算值与实验数据符合得很好. 相似文献
5.
RbMgF3 :Ni2+ 体系晶格局域结构的EPR理论研究 总被引:7,自引:2,他引:5
在考虑掺杂晶体局域畸变的影响后, 建立了联系RbMgF3: Ni2+体系的局域畸变结构与EPR谱间的关系, 并计算了RbMgF3: Ni2+晶体在C3v和D3d对称下的零场分裂参量和g 因数. EPR谱的理论计算值与实验值符合甚好. 相似文献
6.
Cu-CeO2体系因其特殊的催化能力而在固体氧化物燃料电池和水煤气转化反应等多个催化领域有重要应用. 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 在原子和电子层面上系统地研究了单个Cu原子及Cu小团簇在CeO2(110)面上的吸附构型, 价键特性和电子结构, 结果表明: 1) 单个Cu原子的最稳定吸附位是两个表面O的桥位; 2) Cu团簇的稳定吸附构型为扭曲的四面体结构; 3) Cu原子及Cu团簇的吸附在CeO2(110)面的gap区域引入了间隙态, 这些间隙态主要来自于Cu及其近邻的O和表层还原形成的Ce3+, 间隙态的出现表明Cu的吸附增强了CeO2(110)表面的活性; 4) 吸附的单个Cu原子及Cu团簇分别被CeO2(110)面表层的Ce4+离子氧化形成了Cuδ+和Cu4δ+, 并伴随着Ce3+离子的形成, 这个反应可归结为Cux/Ce4+→Cuxδ+/Ce3+; 5) Cu团簇的吸附比Cu单原子的吸附引入了更多的Ce3+离子, 进而形成了更多的Cuδ+-Ce3+催化活性中心. 结合已报道的Cu/CeO2(111)界面特性, 更加全面地探明了Cu与CeO2(111)和(110)两个较稳定低指数表面的协同作用特性, 较为系统地揭示了Cu增强CeO2催化特性的原因及Cu与CeO2协同作用的内在机理.
关键词:
2')" href="#">Cu/CeO2
U')" href="#">DFT+U
吸附
电子结构 相似文献
7.
本文用ESR研究MgCL2-n-BuOH-i-Bu3Al-TiCl4/i-Bu3Al催化剂乙丙共聚机理。ESR谱表明烷基化Ti3+活性中心有单空配位和双空配位两种状态,在乙烯或乙丙烯混和单体存在下ESR谱变化指出g=1.954和g=1.941的共振吸收峰和活性中心有关。结合共聚产物组成及竞聚率的13C-NMR谱分析,提出镁钛系载体催化剂活性中心上乙丙同时配位的机理。 相似文献
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9.
掺杂晶体材料Al2O3∶Ni2+中顺磁离子N2+局域结构及其电子顺磁共振参量的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
按照叠加模型和微扰理论,建立了电子顺磁共振(EPR)参量(D, g∥, g⊥)与Al2O3∶Ni2+晶体局域结构之间的定量关系. 利用EPR参量决定了Al2O3∶N i2+晶体的局域结构. 通过考虑适当的晶格畸变,成功地解释了Al2O3∶Ni2+晶体基态很大的零场分裂和各向异性的g因子. 获得了Ni2+ 离子上方最近邻的三个O2-离子偏向111〕晶轴0.603°, 而Ni2+离子下方的三个O2-离子偏向〔111〕晶轴0.598°. 相似文献
10.
该文用顺磁离子对其近邻13C核的NMR吸收增宽效应,系统地研究了抗坏血酸在不同溶剂中对金属离子Mn2+、Gd3+的配合行为.在水溶液中,抗坏血酸可通过两种配合方式与Mn2+作用,但与Gd3+的作用只有一种稳定的结构.在水中抗坏血酸对金属的配位活性部位分别是1位羟基氧,3位离解的羟基氧和6位羟基氧.在DMSO中,3位羟基由于H+对该基团的静电遮蔽而变得对金属离子Mn2+表现为配位惰性,同时6位羟基配位活性较大增强.对Gd3+来说,此时没有优势配位活性部位存在.文章还讨论了抗坏血酸在H2O-DMSO混合溶剂中的13C NMR谱及在DMSO中NaOH对其13C NMR谱及其与金属络合结构的影响. 相似文献
11.
利用1H-1H COSY,1H-13C HMQC,HMBC等2D NMR技术对一种新的配体1-(2-羧基苯基甲酰基)氨基硫脲(H3L)进行1H、13C NMR谱数据分析与归属,对于它与Cu+离子配位的化合物[Cu2(H3L)2Cl2](H2O)3也作了1H、13C NMR的测定,简单讨论了它的配位行为,粗略确定了它的结构. 相似文献
12.
我们测定了四个结构新颖的V-Cu-S簇合物的1H,13C,51V NMR谱.结果表明;在这些异金属簇合物中,存在着Cu+的d电子向V5+的空的d轨道的电子转移,从而加宽了配体R2NCS2的1H NMR谱线;在溶液中存在着配体交换反应的化学平衡. 相似文献
13.
合成了双水杨醛缩乙二胺席夫碱(SALEN)与镍的配合物Ni3(SALEN)2(NO3)6·H2O及镧系镍的异核配合物Ln2Ni3(SALEN)6(NO3)12·H2O(Ln=La,Nd,Sm,Gd,Yb,Y).以紫外、红外光谱、磁化率,特别是1H NMR及EPR波谱等方法研究了它们在组成、结构和配位等方面的异同.Gd-Ni-SALEN配合物的EPR谱表明其在低温THF中呈"单峰效应".文中讨论了配合物在不同溶剂中峰宽的相对关系、配合物晶体场强度及Gd3+周围局部对称性问题. 相似文献
14.
15.
在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心. 本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心. 研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出Td场和C3v场下Cu2+ d轨道的分裂情况. 计算结果表明,CdTe太阳电池中的Ev+0206 eV和Ev+0122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子. 计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量.
关键词:
深能级瞬态谱
第一性原理
CdTe
Cu杂质 相似文献
16.
用射频/直流磁控溅射法制备了CeO2/Nb2O5双层氧敏薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS),描述并解释了单层CeO2薄膜中氧随温度变化的动力学行为,以及CeO2/Nb2O5薄膜界面对氧敏特性的影响.通过对Ce3d XPS谱的高斯拟合,计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志.结果表明,界面效应可以提高CeO2/Nb2O5薄膜中Ce4+的还原能力,使之远远高于单层CeO2薄膜,这对薄膜的氧敏特性是极为有利的.
关键词: 相似文献
17.
报道了CuGeO3单晶在96GHz频率,1 4K温度下的电子顺磁共振(EPR)实验,测量了主轴g因子.导出了Cu2+离子在CuGeO3自旋佩尔斯系统中的混合d轨道基态波函数.采用近似自洽场方法计算了CuGeO3的主轴g因子.使实验结果得到了解释. 相似文献
18.
19.
考虑界面粗糙散射,在Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论框架下,通过求解Bogoliubov-de-Gennes(BdG)方程,分别计算T=0K和有限温度下,d(x2-y2)+idxy混合波正常金属绝缘层超导体结中的准粒子输运系数和隧道谱.研究表明:隧道谱中的电导峰的劈裂程度强烈地依赖于dxy波分量的强度、超导体的晶轴方位和界面粗糙强度,而温度的升高能压低电导峰.
关键词:
NIS结
(x2-y2)+idxy混合波超导体')" href="#">d(x2-y2)+idxy混合波超导体
隧道谱 相似文献
20.
按照叠加模型与EPR零场分裂参量的三阶微扰理论,建立了KCdF3:Cr3+晶体EPR零场分裂参量与四角对称Cr3+-Cd2+缺陷中心局域结构之间的定量关系.证实Cd2+空位与晶格畸变的存在,我们获得:围绕Cr3+离子的六个F-配体分别向中心Cr3+移动Δ1=0.00294nm,Δ2=0.0010nm,Δ3=0.0028nm (参见图2).EPR零场分裂参量与实验一致表明:Cd2+空位与晶格畸变的假设是合理的.尽管四角晶场主要来自Cd2+空位,但晶格畸变的贡献不可忽略. 相似文献