LiNbO_3晶体-熔体界面的失稳及向胞状界面演化的实验研究

利用周期旋转生长条纹作为时标(timemarker),研究了直拉法掺钇LiNbO_3的各向异性生长系统中晶体-熔体界面的失稳及向胞状界面的演化。测得平界面失稳的临界条件,观测到失稳初期的界面上存在的两种干扰,即正弦式干扰和正弦式行波干扰。实验结果表明,平界面失稳后,经历正弦干扰、干扰振幅的增长、干扰的小面化、干扰的合并,最后演化为稳态胞状界面。实验观测还表明,稳态胞状界面的波长甚大于界面初始干扰的波长,且为初始干扰波长的整数倍;以及同一系统中平界面向胞状界面转变的临界生长速度小于胞状界面向平界面转变的临界速度,这表明小面化的胞比非小面的平面更为稳定。     

前言

金秋十月,值此第八届全国内耗与力学谱会议(10月19-22日)在南京召开之际,迎来了王业宁教授的八十寿辰.……     

前言

金秋十月,值此第八届全国内耗与力学谱会议(10月19-22日)在南京召开之际,迎来了王业宁教授的八十寿辰.     

Preparation of Silver—Coated Polystyrene Composite Particles

We report a feasible approach to the preparation of monodispersed metal-shell composite microspheres based on a combination of surface reaction and surface seeding techniques. The method was implemented for coating polystyrene (PS) spheres with silver shell having a variable thickness by controlling the amount of reagents in the reaction procedure. These composite spherical particles in dimensions of the submicrometer range may become attractive building blocks for the creation of metallo-dielectric photonic band gap materials when they are organized into crystals.     

中国黄土地上成长起来的物理学家--冯端院士

光阴似箭 ,流年如水 ,不知不觉中 ,我的老师冯端教授 ,今年迎来了他的 80华诞 .屈指数来 ,冯先生已在科学事业和教育战线辛勤耕耘了近 6 0个春秋 ,至今仍然笔耕不辍 ,主持撰写《凝聚态物理学》专著 .他是一位才思敏捷 ,治学严谨 ,融会贯通的学者 ,是一位诲人不倦 ,能凝心聚力的学术领导人 ,是一位中国黄土地上成长起来具有开拓进取精神的物理学家 ,为我国教育事业和物理学事业作出了巨大贡献 .1　博览群书 ,积健为雄冯先生 ,祖籍浙江绍兴 ,192 3年出生于江苏苏州的书香门第 ,父亲冯祖培 ,长诗词 ,工书法 .兄姐四人 ,长兄冯焕 ,在美国获博士…     

直拉法生长的LiNbO_3单晶体中的生长条纹和铁电畴组态间的对应关系

对应于旋转条纹和功率条纹,观测到晶体中铁电畴组态的相应变化,确定了旋转条纹与铁电畴组态间的一一对应关系,利用扫描电子显微镜中的X射线能谱分析测定了旋转条纹中的溶质浓度分布,得到了溶质浓度梯度决定了铁电畴组态的结论,自发极化与溶质浓度梯度间的耦合首次得到了实验证实。     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

INFLUENCE OF C+-IMPLANTATION DOSE ON BLUE EMISSION AND MICROSTRUCTURES OF Si-BASED POROUS β-SIC

Crystal Si were implanted with different doses of C⁺ from 10¹¹ to 10¹⁷ cm^-2 at an energy of 50 keV. β-SiC precipitates were formed by thermal annealing at 1050 ℃ for 1 h and porous structures were prepared by electrochemical anodization. Under the excitation of ultraviolet, the samples, with C⁺ dose ≥10¹⁵ cm^-2 have intense blue emission which is stronger than the photoluminescence (PL) intensity of reference porous silicon (PS), and increases as C⁺ dose increases; the samples with C⁺ dose ≤10¹⁴ cm^-2 show similar PL spectra to those of PS. The blue peak intensity in PL spectra is correlated with the TO phonon absorption strength of β-SiC in infrared absorption spectra. The transmission electron microscopy study shows that the blue peak is also correlated with the microstructures. Because porous β-SiC is nanometer in size, it is suggested that the quantum confinement effect be responsible for the blue light emission.     

微米超晶格的概念、效应和应用

通过固体微结构的调制，使晶体材料的物性常数得到调制，若调制波长为微米数量级，可与光波、超声波波长比拟，将会出现一系列新颖的非线性光学、光学、声学效应，并在光电子学和声电子学中得到应用。我们将这类人工微结构材料称之为微米超晶格或光学超晶格和声学超晶格，“微米超晶格”概念是“聚片多畴”概念的发展。本将评述本实验室在冯端教授指导下在关于微米超晶格理论与实验方面所完成的系统的工作。     

聚片多畴LiNbO_3晶体的倍频效应

通过对聚片多畴LiNbO_3晶体倍频效应的研究,从实验上对Bloembergen等人所提出的准位相匹配理论进行了细致的检验。首先运用Maker条纹法在实验上直接测定了单畴LiNbO_3晶体在e~ω·e~ω→e~(2ω)非位相匹配下的倍频光强,并采用角度扫描和温度扫描方法,以获得满足准位相匹配条件时的不同片数的聚片多畴晶体的最大倍频强度,从而验证了聚片多畴晶体倍频相对光强与片畴数N成平方关系。在N<200时,取得令人满意的结果。把聚片多畴晶体的倍频光强与同质量同长度单畴晶体在o~ω·o~ω→e~(2ω)位相匹配下的倍频光强进行比较,其倍频强度提高一个数量级之多。最后,还从实验上讨论了倍频增强效应的结构敏感性。