中性硅3s23P2 3P2,1D2→3s3p3 3D3o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算

本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了²⁹Si的3s²3p^{2 3}P₂,¹D₂→3s3p³D₃⁰跃迁能量和³P₂,³D₃⁰超精细结构A常数以及Si同位素²⁹Si,³⁰Si和³¹Si相对于²⁸Si在3s²3p^{2 3}P₂→3s3p^{3 3}D₃⁰跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发（SD）和三电子激发（SDT）,分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小.     

20 Ne(34 Ne)原子与18 Na2(23 Na2,37 Na2)分子低温下冷碰撞的同位素效应研究

本文用多体刚性椭球模型计算了相对入射能量为190 meV时,氖的同位素原子²⁰Ne,³⁴Ne与钠的同位素分子¹⁸Na₂,²³Na₂,³⁷Na₂ 替代碰撞体系的态态转动激发积分散射截面和总转动激发积分散射截面,在此基础上计算并分析了相互作用势的不同区域对²⁰Ne-¹⁸Na_{2关键词： 多体刚性椭球模型 转动激发积分散射截面 钠同位素分子 椭球等势面}     

Al0.6Ga0.4N/GaN/Al0.3Ga0.7N/Al0.6Ga0.4N量子阱中的Rashba自旋劈裂

正如人们所知, 可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性(SIA)和Rashba自旋劈裂. 本文研究了Al_0.6Ga_0.4N/GaN/Al_0.3Ga_0.7N/Al_0.6Ga_0.4N量子阱中第一子带的Rashba 系数和Rashba自旋劈裂随Al_0.3Ga_0.7N插入层(右阱)的厚度w_s以及外加电场的变化关系, 其中GaN层(左阱)的厚度为40-w_s Å. 发现随着w_s的增加, 第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂首先增加, 然后在w_s>20 Å 时它们迅速减小, 但是w_s>30 Å时Rashba自旋劈裂减小得更快, 因为此时k_f也迅速减小. 阱层对Rashba系数的贡献最大, 界面的贡献次之且随w_s变化不是太明显, 垒层的贡献相对比较小. 然后, 我们假w_s=20 Å, 发现外加电场可以很大程度上调制该体系的Rashba系数和Rashba自旋劈裂, 当外加电场的方向同极化电场方向相同(相反)时, 它们随着外加电场的增加而增加(减小). 当外加电场从-1.5×10⁸ V·m^-1到1.5×10⁸ V· m^-1变化时, Rashba系数随着外加电场的改变而近似线性变化, Rashba自旋劈裂先增加得很快, 然后近似线性增加, 最后缓慢增加. 研究结果表明可以通过改变GaN层和Al_0.3Ga_0.7N层的相对厚度以及外加电场来调节Al_0.6Ga_0.4N/GaN/Al_0.3Ga_0.7N/Al_0.6Ga_0.4N量子阱中的Rashba 系数和Rashba自旋劈裂, 这对于设计自旋电子学器件有些启示.     

GdB3O6中Gd3+的级联发射特性

报道了Gd³⁺离子在GdB₃O₆基质中的光子级联发射特性。用Hitachi M850荧光分光光度计测定了Gd^{3+ 6}G_J能态的位置和Gd³⁺离子的光子级联发射光谱,Gd³⁺离子的第一个光子发射为⁶G_J→⁶P_J(～600nm)和⁶G_J→⁶I_J(～780nm),第二个光子的发射为⁶P_J→⁸S_7/2(～310nm)。由于⁶D_9/2与⁶I_11/2间能级差(～2900cm^-1)和⁶I_7/2与⁶P_J间能级差(～3900cm^-1)较小,多声子弛豫的几率明显超过辐射跃迁几率。因此,当用⁸S_7/2→⁶G_J(202nm)的紫外光激发时,只能观察到⁶P_J→⁸S_7/2(～310nm)、⁶G_J→⁶P_J(～600nm)和⁶G_J→⁶I_J(～780nm)的发射跃迁,未能观察到⁶I_J→⁸S_7/2(～275nm)和⁶D_J→⁸S_7/2(～250nm)的发射跃迁。     

BaFCl0.5Br0.5:Sm2+的荧光特性分析

本文是对无机光谱烧孔的典型材料BaFCl_0.5Br_0.5:Sm²⁺的发光动力学过程进行的探索。通过实验得到了⁵D₂、⁵D₁、⁵D₀→⁷F₀的荧光强度、荧光衰减曲线随温度的变化关系,对⁵D₂→4f5d带的热激活、⁵D_J间的无辐射弛豫,⁵D_J→⁷F₀的辐射跃迁等过程进行了分析。     

Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的相变特性研究

采用磁控二靶(Ga₃₀Sb₇₀和Sb₈₀Te₂₀)交替溅射方法制备了新型Ga₃₀Sb₇₀/Sb₈₀Te₂₀纳米复合多层薄膜, 对多层薄膜周期中Ga₃₀Sb₇₀层厚度对相变特性的影响进行了研究. 结果表明, 多层薄膜的结晶温度可以通过周期中Ga₃₀Sb₇₀层厚度进行调节, 且随着Ga₃₀Sb₇₀层厚度的增加而升高. Ga₃₀Sb₇₀/Sb₈₀Te₂₀纳米复合多层薄膜的光学带隙随Ga₃₀Sb₇₀层厚度的增加而增大. 采用皮秒激光脉冲抽运光探测技术研究了多层薄膜的瞬态结晶动力学过程, 利用不同能量密度的皮秒激光脉冲可以实现Ga₃₀Sb₇₀/Sb₈₀Te₂₀多层薄膜非晶态和晶态的可逆转变.     

PrxLa1-xP5O14的发光理论和浓度效应

本文利用Judd-Ofelt理论求得PrP₅O₁₄晶体的振子强度参数Q₂,比较了计算和实验的振子强度,计算了³P₁,³P₀,¹D₂和¹G₄能级的电偶极和磁偶极辐射跃迁几率及¹D₂→¹G₄和³H₄→³F₄能级对间的多极矩耦合的无辐射迁移几率。讨论了¹D₂能级发射强度的浓度效应。并且,给出¹D₂能级发射强度的表达式和强度随着浓度和单位时间内激发光引起的³H₄到¹D₂跃迁的诱导跃迁几率的变化图。 关键词：     

K5Bi0.9Er0.1(MoO4)4的晶体生长和光学性质

在化学计量的熔料里,用提拉法生长了K₅Bi_0.9Er_0.1(MoO₄)₄单晶。该晶体属于三方晶系,空间群为R3m,z=1.5,晶胞参数为a=6.029?,c=20.823?(六方表示)。晶体具有层状结构,沿着(0001)面容易解理。晶体在室温下的吸收光谱包括有若干条吸收带,它们是稀土离子所特有的。其中三个主要的吸收峰分别相当于从Er³⁺离子的基态 ⁴I_15/2向 ⁴G_11/2, ²H_11/2和 ⁴I_13/2能级的跃迁。本文还给出晶体中相当于 ⁴I_13/2→ ⁴I_15/2跃迁的荧光发射光谱。 关键词：     

LnP5O14晶体中Tb3+和Eu3+的发光光谱特性

本工作测量了室温下TbP₃O₁₄和EuP₅O₁₄晶体的吸收和发射光谱。根据吸收光谱和Judd-Ofelt理论计算了Tb³⁺和Eu³⁺的实验和理论的振子强度。用最小二乘法拟合实验与理论的振子强度得到唯象强度参量Ω_λ。然后计算了Tb³⁺的⁵D₃→⁷F₅,⁵D₄→⁷F₄和⁵D₄→⁷F₆以及Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂,⁵D₀→⁷F₄的跃迁几率和寿命。同时用时间分辨光谱测量了不同温度下相应的荧光辐射寿命。计算与实验结果基本相符。理论和实验的结果表明Tb³⁺的⁵D₃态的寿命主要取决于⁵D₃→⁵D₄和⁷F₆→⁷F₀两能级对之间的电偶极-电偶极交叉弛豫。 关键词：     

SiH2体系的分子反应动力学

基于多体展式方法所导出的SiH₂（X¹A₁）分析势能函数,用准经典的Monte Carlo轨线法研究了Si（¹D_g）+H₂（0,0）和H（²S_g）+SiH（0,0）的原子与分子反应动力学过程.研究结果表明：Si（¹D_g）与H₂（0,0）的碰撞在低能时（小于209.20 kJ/mol）生成稳定的络合物SiH₂（X¹A₁）,该反应是无阈能反应;而H（²S_g）与SiH （0,0）碰撞不能生成稳定的络合物,主要发生交换反应H（²S_g）+SiH （0,0）→Si（¹D_g）+H₂（0,0）,该反应也是无阈能反应. 关键词： 2')" href="#">SiH₂ 势能函数 反应截面 轨线     

大规模制备Ni80Fe20纳米线阵列及其磁学特性研究

利用电化学沉积方法在高度有序纳米孔氧化铝模板中大规模制备了Ni80₈₀Fe 20₂₀纳米线阵列.该方法得到的Ni80₈₀Fe20₂₀ 纳米线产率高（约1012^{12—101313/cm22）, 而且这些纳米线阵列具有（111）择优生 长取向和很高的纵横比.与体材料相比,这些Ni80₈₀Fe20₂₀纳 米线阵列具 关键词： 纳米线阵列 磁性}     

BeAl2O4:Cr3+的晶场能级

金绿宝石中镜对称格位上Cr³⁺(Ⅱ)离子的⁴T₂,⁴T₁和²E能级与该材料的激光运转有关。⁴T₂和⁴T₁能级各分裂成三个子能级。为从偏振吸收谱上确定BeAl₂O₄:Cr³⁺的能级图,本文计算了⁴T₂和⁴T₁的分裂,找到了对谱方法,得到了表征能级分裂的参量K_{1和K2的值。最后给出了以低点群不可约表示标号的、BeAl2O4:Cr³⁺(Ⅱ)的晶场能级图。 关键词：}     

Tm3+浓度对Y2（MoO4）3：Tm3+，Yb3+荧光粉上转换发光性质的影响

采用传统的高温固相反应法合成了Tm³⁺/Yb³⁺共掺杂Y₂（MoO₄）₃系列荧光粉。XRD结果表明合成的样品为相纯度好的Y₂（MoO₄）₃。在980 nm光激发下,样品具有较强的位于487 nm和800 nm的蓝色和近红外发射,同时伴有较弱的位于649 nm的红光发射。它们分别来自于Tm³⁺的¹G₄→³H₆、³H₄→³H₆和¹G₄→³F₄跃迁。根据功率相关的上转换发射和能级图分析了Tm³⁺的上转换发光机制。结果表明,¹G₄和³H₄能级的布居分别来自于三光子和两光子的能量传递上转换。此外,随着Tm³⁺浓度的增加,蓝色、红色和近红外发射带均呈先增加后降低的趋势,即发生了浓度猝灭。同时,蓝光发射和近红外发射的强度比随Tm³⁺掺杂浓度的增加而减小。     

沟道层厚度对室温制备的In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

在室温下采用直流磁控溅射以SiO₂/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In₂O₃薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In₂O₃薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In₂O₃薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为10⁶,场效应迁移率为6.2 cm²·V^-1·s^-1。     

绿色发光粉CaBa2(BO3)2 ∶ Tb3+的 制备和发光特性

采用高温固相法合成了绿色荧光粉CaBa₂(BO₃)₂ ∶ Tb³⁺ 并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496, 549, 588, 622 nm,分别对应Tb³⁺的⁵D₄ →⁷F₆、⁵D₄ →⁷F₅、⁵D₄ →⁷F₄、⁵D₄ →⁷F₃ 能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射峰最强,样品呈现很好的绿色发光。 主要激发峰位于200~300 nm之间,属于4f⁷5d¹宽带吸收。考察了Tb³⁺掺杂 浓度和Li⁺ , Na⁺ 和 K⁺ 作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,几乎不发生浓度猝灭现象,Li⁺的补偿效果最好。还确定了原料CaCO₃、BaCO₃、H₃BO₃的最佳配比,当H₃BO₃过量3%时,合成的晶体发光亮度最好。     

SrZn2(PO4)2:Sn2+,Mn2+荧光粉的发光性质及其能量传递机理

采用高温固相法制备了SrZn₂(PO₄)₂:Sn²⁺(SZ₂P:Sn²⁺), SrZn₂(PO₄)₂:Mn²⁺(SZ₂P:Mn²⁺), SrZn₂ (PO₄)₂:Sn²⁺, Mn²⁺(SZ₂P:Sn²⁺, Mn²⁺) 荧光粉. 通过X射线衍射、激发和发射光谱详细研究了荧光粉的物相和发光性质. 在SrZn₂(PO₄)₂ 基质中, Sn²⁺离子发射光谱是峰值位于461 nm宽带谱, 归属于Sn²⁺离子的³P₁→¹S₀能级跃迁, SZ₂P:Mn²⁺激发光谱由基质吸收带(200–300 nm)和位于352, 373, 419, 431和466 nm的一系列激发峰组成, 分别对应Mn²⁺离子的⁶A₁(⁶S)→⁴E(⁴D), ⁶A₁(⁶S)→⁴T₂(⁴D), ⁶A₁(⁶S)→[⁴A₁(⁴G), ⁴E(⁴G)], ⁶A₁(⁶S)→⁴T₂(⁴G)和⁶A₁(⁶S)→⁴T₁(⁴G)能级跃迁, 因此, SZ₂P:Sn²⁺ 的发射光谱与SZ₂P:Mn²⁺的激发光谱有较大范围的重叠. 结果表明Sn²⁺对Mn²⁺发光有明显的敏化作用. 基于Dexter电多极相互作用能量传递公式和Reisfeld近似原理分析, 荧光粉SZ₂P:Sn²⁺, Mn²⁺中Sn²⁺-Mn²⁺离子之间的能量传递机理属于电四极-电四极相互作用引起的共振能量传递, 并计算出Sn²⁺-Mn²⁺离子之间能量传递临界距离R_c ≈ 1.78 nm. 通过改变Sn²⁺, Mn²⁺离子掺杂浓度, 实现了荧光粉发光颜色的调节, 在254 nm短波紫外激发下荧光粉发出较强的蓝白光. 研究结果表明SZ₂P:Sn²⁺, Mn²⁺荧光粉有望应用于紧凑型节能灯照明领域, 随着半导体紫外芯片技术的发展, 有潜力应用于未来的白光发光二极管照明领域.     

多层膜［Co85Cr15/Pt］20的磁性、垂直磁记录特性和微结构的关系

采用磁控溅射法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的［Co85₈₅Cr15_{15/Pt］2020 多层膜，研究了溅射气压对［Co8585Cr1515/Pt］2020多层膜微结构和磁性的 影响.研究结果表明，Ar溅射气压对［Co8585Cr1515/Pt］2020多层膜的微结构 、垂直磁各向异性和矫顽力有重要的影响 关键词： 溅射气压 多层膜 垂直磁各向异性 有效磁各向异性常数}     

Cr3+掺杂的Ca3Al2Ge3O12石榴石的光谱性质

在此报告钙铝锗石榴石Ca₃Al₂Ge₃O₁₂中Cr³⁺离子的光谱特性,依据不同浓度的样品在不同温度下发射光谱的实验结果,分析了不等价Cr³⁺发光中心零声子线R₁,R₂的位置变化情况。通过对Cr³⁺吸收和发射光谱的分析,估算了Cr³⁺所处格位的晶场强度参数Dq和Racah参数,同时,对低温下Cr³⁺R线边带振动光谱的精细结构的起因进行了分析和指认。在室温和低温下测得Cr³⁺的⁴T₂→⁴A₂和²E→⁴A₂能级跃迁的荧光衰减为单指数规律。     

Mn2+离子掺杂的NaTaOGeO4:Tb3+的发光性能

采用高温固相法制备了颜色可调的NaTaOGeO₄∶Tb³⁺,Mn²⁺荧光粉,并研究了其发光特性以及能量传递机理。在244 nm激发下,NaTaOGeO₄∶Tb³⁺的发射光谱的发射峰分别位于380,413,436,492,544 nm,分别属于Tb³⁺的⁵D₃→⁷F_J和⁵D₄→⁷F_J（J=6,5,4）能级跃迁,为蓝光和绿光发射。在280 nm波长激发下,在492 nm和544 nm处有较强的发射峰,分别属于Tb³⁺的⁵D₄→⁷F₆、⁵D₄→⁷F₅能级跃迁,为绿光发射。在248 nm波长激发下,NaTaOGeO₄∶Mn²⁺的发射光谱由位于576 nm处的宽带组成,属于Mn²⁺的⁴T₁→⁶A₁能级跃迁。当在NaTaOGeO₄∶Tb³⁺荧光粉中共掺杂Mn²⁺时,可以同时观察到Mn²⁺和Tb³⁺的发射峰,通过改变浓度掺杂比,可以得到颜色可调控的荧光粉。     

Mg3Y2Ge3O12∶Pr3+材料的多色发光及余辉性能

采用高温固相法制备了一种具有颜色变化的长余辉发光材料Mg₃Y₂Ge₃O₁₂∶Pr³⁺。通过X射线衍射、激发发射光谱、余辉衰减及热释光曲线等,对样品的结构、发光及余辉性能进行了系统分析。在283 nm激发下,发射光谱在485 nm和609 nm处表现出两个较强的尖峰发射,分别归属于Pr³⁺离子的³P₂→³H₄及³P₀→³H₆能级跃迁。通过对Pr³⁺离子浓度的调控,有效改变了绿光和红光的相对发射强度,从而实现了发光颜色的多色化。此外,在激发光源停止后该材料同样具有多色的余辉发射,对于最佳样品(Mg₃Y₂Ge₃O₁₂∶0.015Pr³⁺)的余辉时间可达1 20...