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本利用分子间的相互作用模型,研究了固体C60势能面的特性,分析了固体C60的取向无序和有序,以及取向相变的物理原因。 相似文献
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对晶体C60的取向相变,热滞及压力诱导相变现象进行了Monte Carlo模拟,数值结果与实验基本一致。 相似文献
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用极限动力学模型研究了C60分子在有序-无序相变和玻璃态相变温度区间取向角为98°和38°的取向概率与温度的关系.计算结果在玻璃态相变点附近的85!K,90!K和有序-无序相变点的260!K分别与实验值相吻合,取向概率对实验值更精确的拟合及其对温度的二阶导数预言玻璃态相变点在84!K.导出了弛豫规律,其结果表明:双能级的C60分子从非平衡态到平衡态的弛豫行为与非指数因子β有关,其总的弛豫时间决定于其中一个较短的弛豫时间,展宽指数形式保持不变.讨论了KWW方程的非指数因子β与分子间协同作用的关系,发现与双取向态间的能级差有关,计算值与实验结果相同. 相似文献
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采用交换相互作用的分子场理论模型对金属间化合物HoMn6Sn6的自旋重取向相变进行了研究. 从理论上计算了HoMn6Sn6的易磁化方向以及Ho和Mn离子磁矩与c轴夹角随温度的变化. 基于单离子模型计算了Ho离子的一阶和二阶磁晶各向异性常数K1R和K2R随温度的变化. 研究表明,为了很好描述该化合物的自旋重取向相变,必须考虑Ho离子的四阶晶场项及相应的二阶磁晶各向异性常数K2R,K2R与K1R和Mn离子磁晶各向异性常数K1t之间的相互竞争是导致HoMn6Sn6自旋重取向相变的重要因素.
关键词:
稀土-过渡族金属间化合物
自旋重取向
磁晶各向异性 相似文献
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测量了Ni52Mn24Ga24单晶样品在磁场加载和未加载情 况下马氏体相变时的相变应变.分析结果表明:用提拉法生长单晶时在晶体内部引入了单一取向的内应力,该取向内应力可诱导马氏体变体择优取向,从而导致马氏体相变时产生大的相变应变.从理论上计算了该内应力的大小.另外,对样品在马氏体态单纯磁诱导应变的热动力学研究,表明取向内应力在马氏体态依然存在.
关键词:
马氏体相变
磁感生应变
内应力 相似文献
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研究铁电-铁电相变附近的热电性,可以获得关于相变前后自发极化的大小和取向,相变的温度分布和时间过程以及新相对称性的信息.因此,热电性测量是研究铁电-铁电相变的一个重要手段. 相似文献
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应用弱噪声展开方法,计算了偏离势条件情况下,双模三次激光模型中福克-普朗克方程的近似稳态解。讨论了稳态中最可几光场分布随参量的变化规律。当I2为弱场时,不管考虑Qst(Il,I20)还是约化几率分布Q^-st(I1),都可以观察到一阶类相变现象。在双模光场情形,模间锅台对产生一阶类相变的影响不可忽略。 相似文献
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采用交换相互作用的分子场理论模型对金属间化合物HoMn6Sn6的自旋重取向相变进行了研究.从理论上计算了HoMn6Sn6的易磁化方向以及Ho和Mn离子磁矩与c轴夹角随温度的变化.基于单离子模型计算了Ho离子的一阶和二阶磁晶各向异性常数K1R和K2R随温度的变化.研究表明,为了很好描述该化合物的自旋重取向相变,必须考虑Ho离子的四阶晶场项及相应的二阶磁晶各向异性常数K2R,K2R与K1R和Mn离子磁晶各向异性常数K1t之间的相互竞争是导致HoMn6Sn6自旋重取向相变的重要因素. 相似文献
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在向列型液晶的硬棒理论中引入分子取向短程关联。理论的出发点是Sin-DooLee的自由能表示,这一表示基于Carnahan-Starling状态方程。用包括了分子短程关联的取向熵代替原来平均场形式的取向熵项,得到新的自由能表示。通过自由能对分子取向分布求变分确定平衡态分布。对液晶PAA进行了数值计算。给出了相变点序参数、熵变、相变点致密度和相对密度变化的计算值。考虑短程关联后的理论值较通常硬棒理论有显著改进。因此,在某种程度上克服了硬棒理论的困难。 相似文献
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采用区熔法制备了Ni50550.5Mn2424Ga25525.5取向晶体,在底部、中部和顶部各切取一块样品进行相变应变测试.在中部样品中获得了高达14%的相变应变,应变随加热冷却循环次数的增加而逐步降低,第9次和第10次相变时应变为08%.在底部和顶部样品中,降温过程的应变随温度的变化呈现先收缩后膨胀或先膨胀后收缩的现象,我们认为这是由于样品中高度择优取向的马氏体变体竞争的结果所致.
关键词:
NiMnGa
取向晶体
相变应变 相似文献
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本文介绍以拉曼峰强为分子晶体相变有序度的概念,并以KH_(1-x)D_(x)F_2和K_(1-x)Na_(x)F_2为例说明晶格振动模在相变过程中的临界性质可以因此得到。晶格振动模的临界性质反映着掺杂体系的丰富信息。 相似文献
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通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量,系统研究了近正配分比Ni505Mn245Ga25单晶的预马氏体相变特性.在自由样品中观察到预马氏体相变应变.在预相变点,沿[010]方向施加大小约为80kA/m的磁场,在晶体母相的[001]方向上获得了高达505ppm的磁致伸缩,该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的5倍多.同时,报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果.利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点,分析了预相变应变产生的机理.而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争.利用磁性测量结果证实和解释了预相变过程中[001]和[010]轴方向间进一步增大的各向异性.进而对磁场沿[001]和[010]两个晶体学方向所导致的应变特性的差别,包括最大磁致伸缩、饱和预相变应变、饱和场等,进行了分析和讨论.
关键词:
预马氏体相变
应变
磁致伸缩
磁弹耦合 相似文献