La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

Gd＿（1－x）Ca＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－y）高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｙ）（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ＿ｃ／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ＿ｃ的压力导数随着ｃａ￣（２＋）含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ＿ｃ和ｄＴ＿ｃ／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ＿２面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ＿２面之间耦合解释Ｔ＿ｃ（Ｐ）曲线的非线性关系。     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

Sm＿2Fe＿（17－x）Mo＿xC化合物的内禀磁性和MOssbauer研究

对Ｓｍ＿２Ｆｅ＿（１７－ｘ）Ｍｏ＿ｘＣ化合物的磁性和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ效应进行了系统的研究，少量Ｍｏ对Ｆｅ的有序替代，导致化合物的居里温度稍有增加，磁晶各问异性和内禀矫顽力明显增强，并且都在Ｍｏ浓度在ｘ＝０．６附近出现峰值，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱分析表明，化合物内禀性质的变化与Ｍｏ原子择优占居结构中的１８ｈ晶位有关。     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

新型（Pb，Cd）－1222相化合物的制备、结构和电学性质

本文成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ＇０．７Ｃｅ０．３）２。Ｃｕ２Ｏｘ，Ｒ＝Ｒ＇＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以及（Ｒ，Ｒ’）＝（Ｌａ，Ｅｕ），（Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｅｕ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）．Ｘ－射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系，其结构与（Ｐｂ，ＣＵ）－１２２２相结构相似．其中（Ｒ＇，Ｒ＇）＝（Ｅｕ，Ｇｄ）的样品在氧气中成相得到２３Ｋ的超导转变临界温度．     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

MyM′1－yFClxBr1－x：Sm2＋的电子跃迁过程和光谱烧孔效率

通过测量无机光谱烧孔系列材料ＭｙＭ′１－ｙＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ２＋（Ｍ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）中４ｆ５ｄ带的激发光谱随组分ｘ和ｙ的变化，５ＤＪ—７Ｆ０（Ｊ＝２，１，０）跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化，对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究．得出结论：在此系列材料中，随着Ｂｒ含量和小半径的碱土离子的增加，Ｓｍ２＋的４ｆ５ｄ带与５ＤＪ能级更加接近，使７Ｆ０—５ＤＪ的电子跃迁几率增大，烧孔效率提高     

新型（Pb,Cd）—1222相化合物的制备,结构和电学性质

本成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ‘０．７Ｃｅ０．３）２Ｃｕ２Ｏｚ，Ｒ＝Ｒ’＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以有（Ｒ，Ｒ‘）＝（Ｌａ，Ｅｕ），Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）。     

Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

非晶态（Fe＿（1－x）Co＿x）＿（77．5）Nd＿4B＿（18．5）合金的电阻率的压力系数和压力弛豫研究

在０．０００１－２．４ＧＰａ流体静压力范围详细研究了非晶（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿ｘ）＿（７７．５）Ｎｄ＿４Ｂ＿（１８．５）（０≤ｘ≤１．０）合金的电阻率与压力的关系，得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分ｘ变化的规律。结果表明：用少量的钴（ｘ＝０．２）替代铁，不会影响其硬磁性和热稳定性，同时却可减小电阻率的压力系数，从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在０．５１ＧＰａ保压３－２４ｂ的结构弛豫，进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分ｘ的依赖关系。     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

BaFCl_（x）Br_（1－x）：Sm~（2＋）中_（5）D_2→~（7）F_

本文以ＢａＦＣｌｘＢｒ－１－ｘ：Ｓｍ２＋Ｄ２→７Ｆ０的跃迁几率随ｘ变化为中心对ＢａＦＣｌｘＢｒ－１－ｘ：Ｓｍ２＋体系４ｆ５ｄ带的激发光谱、５Ｄ２→７Ｆ０跃迁的荧光衰减随温度的变化特性、５Ｄ２→７Ｆ０的跃迁几率等进行了研究．从而得出结论：在ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ２＋中，随Ｂｒ含量的增大，４ｆ５ｄ带与５Ｄ２能级更加接近，使７Ｆ０→Ｄ２的吸收截面增大，从而可能提高在５Ｄ２：能级烧孔的效率．     

Co1-xMnx合金电子结构和磁性的理论研究

Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎｘ 合金的磁性强烈地依赖于其结构以及Ｍｎ 的相对含量．从第一性原理出发,用线性缀加平面波（ＬＡＰＷ） 方法,分别计算了ｘ ＝ ０００ ,０２５ ,０５０ ,０７５ ,１００ 的情况下,面心立方（ｆｃｃ） 和体心立方（ｂｃｃ） 结构的Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎ ｘ 合金的电子结构和基态磁性．随ｘ 的增大,ｆｃｃ 结构的Ｃｏ１－ ｘＭｎ ｘ 合金的磁性从铁磁性和亚铁磁性变为反铁磁性;ｂｃｃ 结构Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎｘ 合金从铁磁性减弱到亚铁磁性．较好地解释了有关Ｃｏ１ － ｘ Ｍｎ ｘ 合金的结构和磁性关联的实验结果     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。     

Sm2(Fe,M)17C1.5(M=Ga,Si)化合物的形成和磁性

用电弧炉熔炼方法制备了Ｓｍ₂Ｆｅ_17-xＭ_xＣ_1.5（Ｍ＝Ｇａ，Ｓｉ）化合物，研究了它们的形成、结构与磁性。实验结果表明，用Ｇａ替代Ｆｅ，当２≤ｘ≤６时，可形成Ｔｈ₂Ｚｎ₁₇型单相化合物，而Ｓｉ的替代仅在ｘ＝２时为单相结构。居里温度随Ｇａ含量的增加从ｘ＝２时的６３３Ｋ下降到ｘ＝６时的３５１Ｋ，Ｓｍ₂Ｆｅ₁₅Ｓｉ₂关键词：     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x光波导与Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱探测器集成的优化设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分别为８、３和２．６μｍ；２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ、２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。结果表明，这种结构器件的内量子效率可达８８％。     

La1.85-xSr0.15+xCu1-xMxO4(M = Cr, Mn, Fe, Co, Ga, Al)体系的输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电阻率和电势等实验手段,系统地研究了Ｌａ１．８５－ｘＳｒ０．１５＋ｘＣｕ１－ｘＭｘＯ４（Ｍ＝Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ｇａ ａｎｄ Ａｌ）体系的结构和输运性质。结果表明;所有的三阶离子掺杂都能在较低的掺杂浓度下抑制超导电性,并且引起金属到绝缘体的转变。磁性离子和非磁性离子掺杂引起显著不同的热电势变化,并用ｄ－ｐ杂化态的变化和局域自旋散射来进行分析讨论。     

新块材超导体Pr_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.4≤x≤0.6)的高压合成与超导电性

采用高温高压合成方法，合成出了Ｐｒ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０４≤ｘ≤０６）系列块材超导体，在缺氧的Ｐｒ０．５Ｃａ０．５Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ四方１２３结构样品中得到了Ｔｃ为９８Ｋ．实验结果表明Ｐｒ在１２３结构中的价态为大于３＋的混合价态，因而空穴填充和杂化导致的载流子局域化是Ｐｒ抑制１２３相超导电性的关键因素．     

La1.85Cr0.15Cu1—xFexO4—y的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＲＩＤ直流磁强研究了Ｌａ１．８５Ｃｒ０．１５Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯ４－ｙ（ｘ＝０．０，０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｉｓｓ行为。与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．