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令β > 0, 考虑实直线R 上服从HβE 分布的n 个点λ1, λ2,..., λn. Dumitriu 和Edelman 发现了三对角矩阵模型, 并证明了规范化经验测度的整体Wigner 半圆律. 本文将证明当支撑内点处区间长度大于√log n 时, 其包含的点个数依概率收敛, 即局部半圆律成立. 并且(0,∞) 上点的个数围绕均值n/2 正态波动, 方差为log n/π2β. 结果的证明主要依赖于Valkó 和Virág 所用的计数表示以及经典鞅方法. 相似文献
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本文利用美国Kitt峰天文台McMath太阳塔13.5m摄谱仪观测到的1972年12月12日宁静日珥的光谱资料,通过非局部热动平衡计算,同时解流体静力学平衡、统计平衡、辐射转移方程以及粒子数守恒方程,得到了日珥四个不同高度处的半经验模型。根据这些模型,计算得到的八条谱线(Hα,Hβ,Hγ,CaⅡH,CaⅡK以及电离钙的λ8498,λ8542,λ8662红外三重线)的谱线轮廓同观测结果相当符合。对半经验模型的研究表明,日珥表面处的压强和日珥内的湍流速度基本上不随高度而变化,日珥运动温度从日珥表层到中心单调减小。日珥表层的运动温度随高度增加而略有增加,但在日珥中心,温度随高度增加而显著减小,其梯度则迅速增加。研究还表明,在日珥表层,不存在辐射平衡,总辐射损失有一极大值,且主要来自Lα,CaⅡ的辐射损失同氢相比可忽略。在日珥中心则近似有辐射平衡。 相似文献
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该文在一般线性混合模型中, 研究了固定和随机效应线性组合的估计问题.对观测向量的协方差阵可以为奇异矩阵情形下,导出了该组合的最佳线性无偏估计,并证明了它的唯一性.在一般线性混合模型的特例, 三个小域模型下, 得到了小域均值ui 和方差分量的谱分解估计. 进而, 获得了基于谱分解估计的两步估计均方误差的二阶逼近. 相似文献
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通过YBa2Cu3x)SnxO7+y体系样品的结构参数、XPS和Mssbauer谱、电阻-温度关系、氧含量以及热分解温度的综合测量,发现:Sn在该体系中替代了Cu的位置并保持4价状态;在x<0.4范围内Sn替代Cu对晶体结构没有影响,引起Tc的变化也极小;Sn替代Cu使体系的氧含量增加,并明显地影响了Cu的价态,使Cu呈现+3价,实验在结构、氧缺位及电子态方面为认识超导电性的起源提供了一些重要信息,在综合分析实验结果的基础上,本文提出:金属原子与氧原子间的耦合程度决定了体系的超导电性。 相似文献
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本工作发现,用DSC测定从熔体等速降温时辐照样品的结晶温度Tc随辐照剂量R增加而线性变低,即辐照前后样品的△Tc=Tco-TcR=KR。依据Charlesby-Pinner方程,导出一新关系式,S+S1/2=A+B/△Tc。已经证明,式中的Tc只与聚合物的交联度有关,与辐射交联方法和过程无关。因此,该方程可用于结晶聚合物的强化辐射交联,以获得非无规交联的瞬时G(c,1)值。本文为定量研究结晶聚合物的无规交联与非无规交联提供了一个简便的方法。 相似文献
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从积算符理论和实验上详细研究了异核AXn自旋体系(CHCl3的CH双自旋体系,CH2Cl2的CH2自旋体系,CH3OH的CH3自旋体系)Raman磁共振谱的多量子峰强度和共振频率对不同射频场强度及频偏的依赖关系,表明积算符理论的计算与实验不仅在弱射频场而且在强射频场时都符合得相当好.研究指出,小的射频场频偏虽然提高了多量子峰的灵敏度,但是它可能不利于多量子峰的分离和归属.强射频场将导致去耦现象的发生,使多量子峰无法观测;而太弱的射频场亦不利于各阶多量子峰的检测.在RMR实验中适当设置射频场频偏及强度可以使不同阶多量子峰在频率轴上按不同频率区域进行分离和归属. 相似文献
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通过测量Ni50Al50,Ti50Al50,Fe60Al40,Fe72Al28合金和高定向石墨晶体的正电子寿命谱参数,分别计算了这些样品基体和缺陷态的自由电子密度.结果表明,合金基体的自由电子密度较低,合金中金属键和共价键共存.以具有确定键组成的石墨晶体作为参照,计算了这些合金中分别参与形成金属键和共价键的价电子数占总价电子数的百分比.不同的合金具有不同的键组成,Ni50Al50,Ti50Al50和Fe60Al40合金中的共价键成分都比较高,均高于Fe72Al28合金中的共价键成分.金属间化合物中的成键特征对其晶体结构和晶界结构有较大的影响.共价键成分高的合金中,其晶界缺陷处的自由电子密度较低.讨论了自由电子密度、微观缺陷和键组成对合金力学性能的影响. 相似文献
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本文对一种X光度条件几率函数——A-T函数进行了观测上的再检验,选用的检验方法包括计算类星体对宇宙X射线背景辐射的贡献百分数U,计算X流量计数并与观测对比,对只测出X流量上限值源α0x,分布预测的合理性等,讨论了所有参量对U可能的影响,并在与X计数对证后,获得α0x更合理分布基础上调整A-T函数的参量,最后获得U的最佳值在7—23之间,以往在处理X射线资料时往往无法采用上限源的X数据,Avni-Tananbaum的D-B方法可以计入其影响,本文用上限源的预测分布作为决定参量的重要依据。 相似文献
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采用机械合金法制备了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x系列样品 .用X射线粉末衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )、M ssbauer谱和Faraday磁天平系统地研究了该系列样品不同Fe合量和不同球磨时间的微结构和磁性 .实验表明样品的微结构和磁性与球磨时间和Fe含量密切相关 .当样品的Fe含量少于 2 0wt% ,并球磨了 80h后呈现出非常复杂的微观结构 :α -Fe纳米晶粒和Fe团簇镶嵌在SiO2 基质中 ,形成α -Fe纳米岛状和纳米尺度的类三明治结构 .Fe-SiO2 界面的相互作用和渗透效应、纳米晶的尺寸效应和类三明治的特殊微观结构导致了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x的物理性能的变化 相似文献
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薛其坤 厉建龙孙牧 陆华T. Hashizume Y. Ling Y. Hasegawa K. Ohno Z.Q. Li Y. Kawazoe T. Sakurai H. Kamiyama H. Shinohara 《中国科学A辑》2000,30(6):529-536
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaals C60 膜在室温下较之C60 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C60分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C60分子上 .有趣的是 ,该固态C60 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C60膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C60薄膜的晶体生长 相似文献
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本文用键长、键角和二面角力系数,给出了含有n=N1×N2×N3个同类原子的简单立方结构体系的简谐振动方程.对n值由8逐渐增大至1728,并且n值相同而N_j值不同的各种体系进行了数字计算。观察到方程的解随n增大而收敛的性质以及体系维数过渡的情况。给出了从零维到一维和三维体系的真简谐振动频谱,一些低频模的花样,以及力系数取值范围的临界值Hc。找到了在Hc值上导致结构不稳定的晶化软模。对采用循环边界条件和自由边界条件得到的不同结果作了比较,说明了其间的关系,提出了简谐子的概念。对旋转模在循环边界条件下发生的变化,以钛酸钡晶体为例作了说明。 相似文献