熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy的交流磁化性质

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U(J, Hdc, T)(J-(Hdc-0.75(1-T2/Tc2)3/2,其中μ约为0.13与理论预期的μ=1/7相一致,表明该样品中可能存在涡旋玻璃相变.     

熔融织构YBa2Cu2．99Li0．01Oy的交流磁化性质

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2．99Li0．01Oy样品交流磁化率的温度关系．基于非线性磁通耗散理论，研究了交流场的大小和频率x″的蜂值温度Tp的影响，获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系，U（J，Hdc，T）（J^-cHdc-0．75（1-T^2/Tc2）^3／2，其中μ约为0．13与理论预期的μ=1／7相一致，表明该样品中可能存在涡旋玻璃相变．     

La2/3Ca1/3MnO3薄膜自旋输运特性研究

本文通过射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜.该薄膜在接近峰值电阻温度Tp(Tp=308K)发生铁磁金属相-顺磁绝缘体相相变.磁场的作用下,电阻温度曲线较无磁场时发生右移,而且Tp点也向高温移动,(H=0.5T时,Tp≈314K;H=1.0T时,Tp≈318K);1T磁场所产生最大的磁电阻值为34%.激光作用下,电阻温度曲线向左移动,Tp变为300K,其最大的光致电阻变化相对值为43.5%.能带理论定性分析表明产生这一不同现象主要是由于eg电子的不同状态引起的.     

熔融织构的YBCO超导体的交流磁化率频率响应

在涡漩玻璃理论的基础上,我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程,可表示为Tp=Cf1/(v(z-1)).实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好.利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v(z-1)的数值.     

RUSr2EU1.4Ce0.6Cu2O10-δ超导体的磁特性研究

RuSr2Eu1.4Ce0.6Cu2O10-δ超导样品的交流磁化率曲线在TM2～125 K和Tp～75 K处出现峰值.我们通过测量不同频率下的交流磁化率和电子自旋共振谱,对这两个峰的起源进行了详细的研究.通过对铁磁共振线的强度、线宽和共振场与温度依赖关系的讨论,我们得出TM2附近的峰对应着体系的反铁磁转变.Tp处的峰随着测量频率的增加向高温移动,且峰的强度逐渐减小,这一结果证实了体系中存在自旋玻璃态.     

Bi系（2223）银包套超导带的A.C.磁化率研究

分别测量高 T_c(2223相)BSCCO 银包套超导带的交流磁化率实部 X′-T 和虚部 X″-T 曲线与交流场振幅的关系,其虚部损耗峰高度及对应的温度随交流场振幅增加分别有上升和下降的趋势.当磁场垂直样品 c 轴(平行样品 c 轴)时,损耗峰的移动幅度小于平行时的移动.     

交流磁场振幅和频率对J_c不均匀超导体谐波的影响

本文采用Jc不均匀超导体模型来研究多晶超导体的磁性质,运用非线性磁通蠕动模型,通过数值模拟得到交流磁化率基波及谐波随温度的变化关系.系统分析了交流磁场振幅和频率改变对Jc不均匀超导体交流磁化率基波及谐波的影响.结果表明,交流磁场振幅和频率的变化对交流磁化率的影响存在显著差异,并归因为交流磁场振幅和频率的改变引起的磁弛豫时间的改变不同所致.上述结果为分析Jc不均匀超导体交流磁化率的实验现象提供了相关依据.     

熔融织构的YBCO超导体的交流磁化率频率响应

在涡漩玻璃理论的基础上，我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程，可表示为Tp=Cf^1/（v（z-1））．实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好．利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v（z-1）的数值．     

钙钛矿锰氧化物La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)的磁性和电性研究北大核心CSCD

采用固相反应法制备双层钙钛矿La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)多晶样品,通过测量样品的磁化强度与温度变化曲线(M-T)、不同磁场下的磁化率乘温度与温度的变化曲线(χT-T)以及不同温度下磁化强度与外加磁场的变化曲线(M-H)对样品的磁性进行了研究.结果表明,样品的三维磁有序温度(T=350K)对应铁磁团簇的居里温度.FM-AFM转变温度(T=208K),出现了相分离,样品在低温部分出现了团簇玻璃行为.从磁化率随温度的变化图和磁化强度随温度的变化图中可以明显看出,在100K^TN(奈尔温度)之间,样品磁化率和磁化强度随温度降低而减小,因此FM减弱,AFM增强。在不同磁场下,TN以下(100K^TN)的χT值随温度的降低而减小,χT值在TN以上(208K^380K)随温度的降低而增加.通过对样品的电性分析发现,样品在0T与1T时的电阻率随温度的变化曲线(ρ-T),随温度的降低,无论是否施加外场,样品的电阻率都出现了一个峰值,这表明样品存在金属绝缘转变,不同的是施加外场后(1T),样品的电阻率降低.对该样品高温部分的ρ-T曲线进行拟合后发现,样品在高温部分的导电方式遵循热激活模型的导电方式.     

钙钛矿锰氧化物La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)的磁性和电性研究

采用固相反应法制备双层钙钛矿La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)多晶样品,通过测量样品的磁化强度与温度变化曲线(M-T)、不同磁场下的磁化率乘温度与温度的变化曲线(χT-T)以及不同温度下磁化强度与外加磁场的变化曲线(M-H)对样品的磁性进行了研究.结果表明,样品的三维磁有序温度(T=350K)对应铁磁团簇的居里温度.FM-AFM转变温度(T=208K),出现了相分离,样品在低温部分出现了团簇玻璃行为.从磁化率随温度的变化图和磁化强度随温度的变化图中可以明显看出,在100K~TN(奈尔温度)之间,样品磁化率和磁化强度随温度降低而减小,因此FM减弱,AFM增强。在不同磁场下,TN以下(100K~TN)的χT值随温度的降低而减小,χT值在TN以上(208K~380K)随温度的降低而增加.通过对样品的电性分析发现,样品在0T与1T时的电阻率随温度的变化曲线(ρ-T),随温度的降低,无论是否施加外场,样品的电阻率都出现了一个峰值,这表明样品存在金属绝缘转变,不同的是施加外场后(1T),样品的电阻率降低.对该样品高温部分的ρ-T曲线进行拟合后发现,样品在高温部分的导电方式遵循热激活模型的导电方式.     

MgB2交流响应teff的电流效应

本文并从磁通守恒方程出发,详细求导了Slab样品(厚度为d)交流磁化率的测量方程,并以MgB2为例,测量了在不同外场H和交流信号的频率γ交流磁化率,求得Ueff和J的关系实际上是满足Zeldov关系,实验结果和理论假设完全自洽.     

超导体的交流磁化率测量

本文探讨利用交流磁化率研究超导电性.测量了MgB2样品的若干超导电参量,包括临界温度Tc,上临界磁场Hc2,临界电流密度Jc,不可逆场Hirr等与温度的关系,交流损耗与频率和温度的关系等.此外还简要介绍了交流磁化率在磁通动力学和非线性性质方面的研究方法.     

Nd1.85Ce0.15 CuO4-δ单晶c-轴方向电阻的低场行为

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1.85Ce0.15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0-0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0.5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/12(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.     

晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δ关键词： 强磁场 磁取向 薄膜生长 材料电磁加工     

多自旋态离子Co替代诱导La2/3Ca1/3MnO3体系的输运反常

利用具有多自旋态的Co离子进行Mn位替代.制备了La2/3Ca1/3Mn1-xCoxO31(0≤x≤0.15)系列样品并研究了体系的结构和输运特性.结果表明,在替代范围内,样品呈现很好的单相结构,各晶格参数随替代量的增大而减小;Co替代导致体系出现电输运反常,具体表现为在居里温度Tc以下电阻-温度曲线的二次金属-绝缘转变(M-I)行为(双峰效应),且随Co替代量的增大,无论是高温峰还是低温峰,其峰值温度均向低温区移动;所不同的是,对Co替代样品而言,随外加磁场增加,高温峰值温度TPH向高温区移动,而低温峰值温度TPL.则保持不变,表现出磁场无关的特征;相应的峰值电阻率对Co替代和外加磁场表现出很强的依赖关系,随Co替代含量的增加,各峰值电阻率增加.而低温峰值电阻对Co替代更为敏感;对照样品磁特性测量结果,证明高温峰对应于未替代体系的M-I转变,低温峰对应的反常变化则与Co3 离子替代Mn4 后在体系中引入氧缺位和高的自旋态相关联.     

Fe84Zr3.5Nb3.5B8Cu1薄带的动态磁化过程

由于铁磁性样品的交流磁化率虚部χ″随磁场强度H的变化是非线性的，在低场(0～12 mT)有一个与铁磁共振信号强度相当的低场非共振信号. 利用ESR谱仪测量交流磁化率虚部χ″对磁场强度H的一次微分随磁场强度的变化dχ″/dH～H，研究Fe₈₄Zr_3.5Nb_3.5B₈Cu₁合金薄带的动态磁化特性. 合金薄带样品是各向异性的，易磁化轴（易轴）在薄带的横向方向，外加磁场H在易轴方向. 样品在可逆磁化区域(0～2.0 mT)和趋近饱和的磁化区域(9.0 mT以上)，dχ″/dH=0；在不可逆畴壁移动过程中，当H为4.2 mT 时, χ″(H)达到最大值χ_max；在磁畴转动过程中，χ″(H)正比于H²（瑞利区）；而实验中却发现，在某些区域交流磁化率虚部χ″(H) 与磁场强度H的n次方即Hⁿ(n≥3)有关；而且发现，在一定区域，有三段不可逆畴壁移动和磁畴转动交替出现的现象. 在这一过程中，dχ″/dH为常数的磁场范围分别为4.8～5.2mT, 5.8～6.4 mT, 8.0～8.5 mT, 其常数相对值分别为1：0.85：0.60. 样品的交流磁化率虚部χ″对磁场H的微分dχ″/dH随磁场H的这一变化规律反映了不可逆畴壁移动和磁畴转动交替发生的微观过程.     

磁场下Tl2Ba2Ca2Cu3Ox单相超导体交流磁化率的研究

测量了 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_z 单相超导体在不同外磁场及不同测量频率下的交流磁化率实部和虚部随温度的变化关系,发现实部曲线的起始转变温度 T_(onset)和虚部曲线的峰值温度 T_m,在一定测量频率下都与外磁场的2/3次方成线性关系,在一定外磁场下 T_(onset)与测量频率的对数成线性关系.并且我们认为 T_(onset)和 T_m 都不是一般意义的 T_c,而是受磁通格子熔化影响较大的特殊温度点,所以对 T_(onset)及 T_m 的研究可以反映超导体的磁通格子熔化特性,很值得进一步的研究.     

准一维梯状结构化合物Sr14-xCaxCu24O41磁化率随外磁场的变化性质

采用常规的固相反应方法制备了Sr14-xCaxCu24O41系列样品(x=0.0,3.5,6.0,8.4).X-ray衍射结果显示,所有样品均为单相,并且随着掺杂离子含量的增加,样品的晶格常数a,b,c的值均逐渐减小.在10 K～200 K温度范围内测量了不同磁场强度(H=1 T,3 T,5 T)Ca掺杂样品(x=0,3.5,6,8.4)的磁化率温度曲线.磁化率测量结果表明,磁场的增强导致居里-外斯贡献降低,并且导致自旋能隙变小.进一步拟合结果表明,参与磁化率贡献的自旋数目随Ca掺杂浓度的变化不明显,而随磁场强度的增大而减小.     

垂直磁场中YBCO薄膜的磁通密度和电流密度分布

通过使用扩展后的Mikheenko等人提出的临界态模型,我们用数值计算方法找出了圆盘状超导薄膜在垂直外磁场中的磁通密度分布和电流密度分布.其中考虑到临界电流密度Jc会随外磁场Ha改变而变化,所以我们采用了Kim型表达式Jc(H)=J0/(1+(|H|/H0)n).计算出的初始磁化曲线和磁滞回线与YBCO薄膜的实验曲线（T=51～77K）符合得很好,说明这个方法在这段温区内比较成功.另外我们也得出并讨论了特征参数J0,H0随温度的变化关系.     

混合场中 (Pr1－yNdy)2/3Sr1/3MnO3体系磁转变行为研究

对(Pr1-yNdy)2/3Sr1/3MnO3(y=2/8,4/8,6/8)体系在42K—300K温度范围内混合场（即交流驱动场Hac与附加直流磁场H dc的叠加）下的磁转变行为进行了系统的实验研究. 结果表明，随着外加直流磁场强 度的增大，样品的直流磁化强度增大，交流磁化率逐渐减小；在混合场作用下，磁转变温度 （居里温度）附近样品交流磁化率的实部出现一个特征的尖峰. 对于(Pr1-yNdy)2/3Sr1/3MnO3体系，随着Nd掺杂量的增加，交流磁化率实部 的相对变化 (Eχ′=Δχ′/χ′dc)的峰值对应的温度降低，这一点与该系 统的磁电阻的变化规律一致. 对锰氧化物体系在混合场中的磁转变现象进行了讨论. 关键词： 锰氧化物 混合场 磁特性