熔融织构YBa2Cu2．99Li0．01Oy的交流磁化性质

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2．99Li0．01Oy样品交流磁化率的温度关系．基于非线性磁通耗散理论，研究了交流场的大小和频率x″的蜂值温度Tp的影响，获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系，U（J，Hdc，T）（J^-cHdc-0．75（1-T^2/Tc2）^3／2，其中μ约为0．13与理论预期的μ=1／7相一致，表明该样品中可能存在涡旋玻璃相变．     

超导体的交流磁化率测量

本文探讨利用交流磁化率研究超导电性.测量了MgB2样品的若干超导电参量,包括临界温度Tc,上临界磁场Hc2,临界电流密度Jc,不可逆场Hirr等与温度的关系,交流损耗与频率和温度的关系等.此外还简要介绍了交流磁化率在磁通动力学和非线性性质方面的研究方法.     

TFA-MOD法YBa2Cu3O（7-δ）超导薄膜的交流磁化率研究

通过三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)方法在LaAlO3单晶基片上制备了YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高温超导薄膜,并测定在垂直于a-b面的外加交变磁场下薄膜样品的交流磁化率随温度的变化关系,在频率543.2 Hz、振幅1 V条件下,样品的超导转变发生在91 K附近.交流磁化率虚部峰值温度Tp随着磁场振幅的变大而向低温区移动,随着频率的增大而向高温区移动,这些现象与磁通蠕动模型相一致,峰值温度TP与外交变磁场的振幅Hac满足Hcaε(1-Tp/Tct)n的关系,其n～1.55;而与频率之间满足1/Tp与lnf的线性关系,可能是由于TAF-MOD薄膜样品中较多孔洞和非位错缺陷的出现使其偏离一般物理气相沉积薄膜样品具有的SNS型连接(n～2).根据频率f与温度T的Arrhenius公式以及二维简约的Bean模型,得到当前薄膜样品的激活能U与电流密度J、以及J与温度T的标度关系.     

混合场中 (Pr1－yNdy)2/3Sr1/3MnO3体系磁转变行为研究

对(Pr1-yNdy)2/3Sr1/3MnO3(y=2/8,4/8,6/8)体系在42K—300K温度范围内混合场（即交流驱动场Hac与附加直流磁场H dc的叠加）下的磁转变行为进行了系统的实验研究. 结果表明，随着外加直流磁场强 度的增大，样品的直流磁化强度增大，交流磁化率逐渐减小；在混合场作用下，磁转变温度 （居里温度）附近样品交流磁化率的实部出现一个特征的尖峰. 对于(Pr1-yNdy)2/3Sr1/3MnO3体系，随着Nd掺杂量的增加，交流磁化率实部 的相对变化 (Eχ′=Δχ′/χ′dc)的峰值对应的温度降低，这一点与该系 统的磁电阻的变化规律一致. 对锰氧化物体系在混合场中的磁转变现象进行了讨论. 关键词： 锰氧化物 混合场 磁特性     

高Jc熔融织构YBa2Cu3Oy块材的磁性质与钉扎机制

在不同温度和磁场下测量了熔融织构YBa_2Cu_3O_y块材的磁衰减和磁滞回线.在20K关键词：     

磁场下Tl2Ba2Ca2Cu3Ox单相超导体交流磁化率的研究

测量了 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_z 单相超导体在不同外磁场及不同测量频率下的交流磁化率实部和虚部随温度的变化关系,发现实部曲线的起始转变温度 T_(onset)和虚部曲线的峰值温度 T_m,在一定测量频率下都与外磁场的2/3次方成线性关系,在一定外磁场下 T_(onset)与测量频率的对数成线性关系.并且我们认为 T_(onset)和 T_m 都不是一般意义的 T_c,而是受磁通格子熔化影响较大的特殊温度点,所以对 T_(onset)及 T_m 的研究可以反映超导体的磁通格子熔化特性,很值得进一步的研究.     

Pr0.7Ca0.3MnO3陶瓷晶界势垒的交流特性

采用固相烧结方法制备了Pr1-xCaxMnO3(x=0.3)钙态矿结构锰氧化物陶瓷样品,对其在磁场和电场下的直、交流输运性质做了系统研究.通过测量加磁场和零场下的Ⅰ-Ⅴ曲线,得到其居里温度为150K,与VSM测试结果一致.通过测量加磁场与零场下交流的阻抗频谱,发现加磁场后样品的晶界电阻明显减小,而晶粒电阻几乎保持不变,表明Pr1-xCaxMnO3陶瓷多晶样品的CMR效应源于样品的晶界.为确定晶界处的势垒高度,测量了样品在不同频率下的阻抗温谱,根据Arrhenius定律拟合得出势垒高度为117 meV,与用直流R-T数据拟合得出的激活能一致.     

YBa2Cu3O7超导管内磁场与外磁场的关系

本文报道了当外磁场H_e较低时(H_e<4H_rm,其中H_rm是超导管的最大捕获磁场),超导管的内磁场H_i与时间及外磁场的关系可表示为H₀+B₀(lnt+1-exp(-t/τ)),式中B₀Int与磁通蠕动有关,B_c(1-exp(-t/τ))与外磁场引起的磁通扰动有关。扰动随时间很快衰减.H₀,B₀及1/τ随外磁场增加,在H_e>H_rm时,这几个量增加较大。当直流外磁场H_e<1/2H_rm时,超导管可将其完全屏蔽,对交流场不能完全屏蔽,但其屏蔽效果仍优于最好的金属屏蔽筒。 关键词：     

弱场下熔融织构YBa2Cu3O7-δ样品局域磁通蠕动的实验研究

利用半导体霍尔探头测量法在液氮温度下研究了低场下圆柱状熔融织构YBa₂Cu₃O_7-δ样品的局域磁通蠕动行为.对瞬时加减场样品端面局域磁场的磁弛豫,磁滞回线以及不同扫场速率下局域磁场的变化进行了测量,观察到了对数时间磁弛豫的行为,发现由加场和去场数据所得的激活能U₀有明显的不同.磁滞回线测量中,局域点的磁场随外场几乎同步变化,不同扫场速率下局域磁场随外场变化的差别不大.实验结果表明,外场除对样品侧面外,对端面也有明显的穿 关键词： 局域磁通蠕动 激活能 磁弛豫     

直流背场下YBCO涂层导体交流临界电流依频变化（英文）

基于对不同条件下YBCO涂层导体交流临界电流的测量结果,本文研究了YBCO涂层导体的交流临界电流、频率与外加磁场幅值和角度之间的关系,提出了一个相应的经验公式.利用该公式可计算在任意频率、任意外加直流背场下YBCO涂层导体的交流临界电流,计算结果和实验结果相一致.另外,对于YBCO涂层导体交流临界电流依频变化提出了一种可能的机理,频率的增高使得磁通穿透区域变窄,因而需要更大的电流来实现样品的完全穿透,这就使得交流临界电流随着频率增高而增大.