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为了澄清结构无序对电输运特性,特别是低温下电阻极小的影响,采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(100)基片上制备了两类La2/3Sr1/3MnO3薄膜.一块是在通40Pa氧气的气氛下沉积,沉积后不再进行通氧气的原位退火.另一块在同样通40Pa氧气的气氛下沉积,但沉积后再在6×104Pa的氧气气氛下进行原位退火.对两种薄膜的结构,磁特性和电输运特性进行了对比研究.结果表明:氧缺陷导致了薄膜结构的无序,更导致了类似自旋玻璃行为的磁无序.电输运特性结果表明原位退火使得薄膜的金属-绝缘体转变温度Tc从约195K提高到335K.对由于结构无序的存在对低温电阻较小行为的影响作了系统对比研究,曲线拟合的结果表明对于缺氧薄膜和进行了原位退火的薄膜的低温电阻较小行为的主要影响因素分别是类近藤散射作用和电子-电子相互作用,这一结果对于澄清庞磁电阻锰氧化物体系的低温电阻极小现象有一定积极意义. 相似文献
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系统研究了Mn位替代的La2/3Ca2/3Mn0.9Co0.1O3的电输运特性和磁诱导行为,这里替代Co离子的多价态对应有多重的自旋态变化.发现了存在于Co替代La2/3Ca1/3Mn0.9Co0.1O3电输运行为上的双峰效应,具体表现为除了居里温度Tc附近电阻-温度曲线的金属-绝缘(M-I)转变行为(TMIH约为182K)以外,在低温区域电输运行为出现二次性的类M-I转变现象(TMIL乱约为124K).通过对外加磁场下输运特性的研究表明,随外加磁场的增加,电阻-温度曲线整体呈现降低行为,即表现为负的磁电阻效应;同时,高温区峰值温度TMIH向高温区移动,这与传统CMR锰氧化物M-I转变特性完全一致;而低温峰值温度了TMIL则几乎不变,即TMIL表现出某种磁场无关的特征.结合样品磁特性测量结果,我们发现,除了场冷(FC)和零场冷(ZFC)曲线的分叉现象可能证明Co替代诱导Mn位的磁无序而导致体系出现不均匀的铁磁/反铁磁(FM/AFM)团簇外,在低温峰值温度TMIL乱附近没有观察到磁性异常变化.对照对Cu和Cr等相关体系的类似研究,证明这种低温二次M-I转变可能与Co替代导致体系的氧缺陷有关. 相似文献
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利用具有多自旋态的Co离子进行Mn位替代.制备了La2/3Ca1/3Mn1-xCoxO31(0≤x≤0.15)系列样品并研究了体系的结构和输运特性.结果表明,在替代范围内,样品呈现很好的单相结构,各晶格参数随替代量的增大而减小;Co替代导致体系出现电输运反常,具体表现为在居里温度Tc以下电阻-温度曲线的二次金属-绝缘转变(M-I)行为(双峰效应),且随Co替代量的增大,无论是高温峰还是低温峰,其峰值温度均向低温区移动;所不同的是,对Co替代样品而言,随外加磁场增加,高温峰值温度TPH向高温区移动,而低温峰值温度TPL.则保持不变,表现出磁场无关的特征;相应的峰值电阻率对Co替代和外加磁场表现出很强的依赖关系,随Co替代含量的增加,各峰值电阻率增加.而低温峰值电阻对Co替代更为敏感;对照样品磁特性测量结果,证明高温峰对应于未替代体系的M-I转变,低温峰对应的反常变化则与Co3 离子替代Mn4 后在体系中引入氧缺位和高的自旋态相关联. 相似文献
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