超导临界温度理论(Ⅰ)

本文求出了Eliashberg方程在T=T_c时的解,得到了下面的临界温度级数表示式:T_c=α₀(μ^*)(λ〈ω²〉)^1/2{1+1/λα₁(μ^*)〈ω⁴>/〈ω²>²+1/λ²(α₂₁(μ^*)〈ω⁶>/〈ω²>³+α₂₂(μ^*)〈ω⁴>²/〈ω²>⁴) +1/λ³(α₃₁(μ^*)〈ω⁸>/〈ω²>⁴+α₃₂(μ^*)(〈ω⁴>〈ω⁶>)/〈ω²>⁵)+α₃₃(μ^*)〈ω⁴>³/〈ω²>⁶+…},其中α₀(μ^*),α₁(μ^*)等仅是μ^*的函数。新的T_c公式表明了,T_c不仅依赖于λ、μ^*和〈ω²〉,而且依赖于有效声子谱α²F(ω)的各级矩〈ω²ⁿ〉。     

磁场中的超导膜

本文将文献[1]的理论推广到较厚的超导膜。首先采用能隙是常数的模型,借助于Schrief-fer方法,导出磁场中超导膜的补偿方程和电流方程。利用所得的方程,研究了均匀外磁场对金属膜超导性质的影响,讨论了超导膜在磁场中的相变,给出了确定超导膜的能隙、磁矩、平衡临界场H_c,以及分别相应于过冷和过热区域边界的临界场H_(c1)和H_(c2)的一般公式。所有这些表达式,在局域极限下,化为Гинзбург-Ландау理论的相应结果;在薄膜情形下,回到文献[1]的结果,文中对一般情形下的非局域效应作了具体的讨论。     

合金薄膜的临界磁场

本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ₀而l任意时,或者2d《ξ₀而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ₀而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。     

在强磁场中金属薄膜的超导电理论(Ⅱ)——超导薄膜的临界磁场

在本文中,作者根据前文的理论,计算了超导薄膜的二级相变临界磁场,求出(△t)^3/2级修正项(磁场平行于膜的表面,△t=1-T/T_c)。所得结果与Douglass-Blumberg以及Toxen实验资料符合。     

空间羣算符的矩阵元

本文首先通过对波失星直接乘积的分析指出,如果 ^*K″∈^*K?^*K′,则波矢峯G_k″可以有下面四种情况:A)G_k同G_k′,是G_k″的子峯,B)G_k=G_k′=G_k″,C)G_k″=G_s, D)G_s是G_k″的子峯。根据上述四种情况,分别考虑积分A=μ″^i″(k″)|f_μⁱ(k)|f_μ′^i′(k′)>的简约。并且证明,对所有四种情况,积分A的值均可由短阵U的矩阵元统一地表达出来。矩阵U是使可约表示Г′简约的转换矩阵,对四种情况,可约表示Г′分别是:A)(Г_kⁱ?Г_k′^i′)^(?),B)Гⁱ?Г_k′^i′,C)Г_k^i(s)?Г_k′^i′(s),D)(Г_k^i(s)?Г_k′^i′(s))^(?)。最后,利用准投影算符的方法,对矩阵U进行了计算,导出空间峯Wigner-Eckart定理的表式。     

Be9(d,p),(d,t),(d,a)反应研究

本文在E_d=0.1—2.5MeV能量范围内,研究了Be⁹(d,p₀)Be¹⁰(0),Be⁹(d,p₁)Be¹⁰(3.368MeV),Be⁹(d,t₀)Be⁸(0),Be⁹(d,α₀)Li⁷(0)及Be⁹(d,α₁)Li⁷(0.478MeV)诸反应。在E_d=0.150,0.220,0.401,0.706,1.005,1.301,1.484,1.750,2.000,2.250和2.500MeV共十一个能量上分别测量了这五群出射粒子在θ_L=10—155°区间的角分布。在θ_L=135°,E_d=0.1—2.5MeV,在θ_L=95°,E_d=0.1—2.2MeV,和在θ_L=112.5°,E_d=0.5—2.5MeV测量了Be⁹(d,p₀)Be¹⁰的激发函数。在θ_L=135°和112.5°,E_d=1.2MeV,用较厚靶(100—300μg/cm²)测量了Be⁹(d,p₀)Be¹⁰(0)反应的截面绝对值,结果为σ_(p0)(θ_L=135°)=1.60mb/sr,σ_(p0)(θ_L=112.5°)=1.55mb/sr。这样就得到了在此能区内,这五群出射粒子的截面情况。对所得结果进行了一些讨论。     

N,N-二甲基硫代乙酰胺S3(ππ*)态的衰变动力学 (cited: 1)

采用共振拉曼光谱和完全活化空间自洽场方法研究了N,N-二甲基硫代乙酰胺在被激发至S₃(ππ^*)态后的衰减动力学. 指认了紫外吸收光谱和振动光谱. 获得了乙腈、甲醇和水溶剂中不同激发波长下的A带共振拉曼光谱,以探测Franck-Condon区域的结构动力学. 开展了CASSCF计算以确定低能单重激发态和锥形交叉点的电子激发能和优化几何结构. 通过共振拉曼强度分析和CASSCF计算获得了结构参数、A带结构动力学和S₃(ππ^*)态衰减机制. 提出了主要衰减通道为_3,FC(ππ^*)→S₃(ππ^*)/S₁(nπ^*)→_1(nπ^*).     

关於展开子

本文讨论展开子的一些性质。将展开子A_nrst变换至ξ表示,定义为〈ξ|〉=∑ξ₀^-n-1ξ₁^rξ₂^sξ₃^tA_nrst,立即可以看出〈ξ|〉在洛伦兹变换中的变换,正如标准表示中的变换。由此可以立即证明,在标志洛伦兹群的各种不可约表示的两个量J=-1/2I_klI^kl,I=1/2ε^klmnI_klI_mn中,对於展开子而言,I一定等於零。我们也证明了如果我们要求J的本徵函数〈ξ|〉在各处行为正常,便获得J<0,亦即展开子表示为么正的条件。对於在展开子空间(J,0)及其他空间(I′,J′)中作用的矢量算符,我们作出了计算。选择定则为(i)I′=0,J′=1+J±2(1+J)^1/2;(ii)I′=±(1+J)^1/2i,J′=1+J。我们又证明了ξ^vξ_v?/(?ξ^μ)/(ξ^μ)-(1±(1+J)^1/2)ξ_μ将(J,0)空间变为(1+J±2(1+J)^1/2,0)空间。利用上式中取“-”符号的算符,我们可以构成一个像(-ir_μp^μ+k)ψ=0的波动方程,其中ψ只在两个展开子空间中。     

超导In-Sn合金膜临界场的非线性非定域效应

本文对In+2％Sn,In+3％Sn的不同厚度合金膜的临界场H_c进行了研究,从实验上第一次提供了电子平均自由程l≠∞时的H_c～d的数据。这些实验结果表明,关于超导膜临界场问题只能用非线性非定域理论描述,在薄膜极限下,不论纯膜或合金膜,H_c∝d^-3/2;定域的London,Г-Л理论和线性非定域的Ittner理论皆不适用。一部分文献中给出H_c∝d^-1的结论,是由于那些作者分析实验结果的方法不恰当所致。     

在Tokamak装置中用中空超导环段冻结环向磁场的设想

本文提出一个设想:即将n个中空超导圆柱体放置于n饼纵场线圈之中,分段冻结环向磁场,则其所需要的电功率将比常规线圈降低到2/n倍。我们知道超导材料的冻结场可近似地写为。H_fj(r,T)=H_fj(r,0)[1-(T/(T_c))²。因此选定T=T₁,当轴向场H在大圆环的内壁达到H≥H_fj(r,T₁)时,中空体的内边缘达到临界场,则场进入中空区,再使H降到零,中     

钛离子辐照对MgB2超导薄膜的载流能力和磁通钉扎能力的影响

利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition, HPCVD)可以制备出高性能的MgB₂超导薄膜, 再对薄膜进行钛(Ti)离子辐照处理.经过辐照处理后的样品被掺入了Ti元素, 与未处理的干净MgB₂样品相比,其超导转变温度没有出现大幅度的下降, 而在外加磁场下的临界电流密度得到了明显的提高,同时样品的上临界磁场也得到了提高. 在温度5 K, 外加垂直磁场为4 T的情况下, Ti离子辐照剂量为1× 10¹³/cm²的样品的临界电流密度达到了1.72× 10⁵ A/cm², 比干净的MgB₂要高出许多,而其超导转变温度仍能维持在39.9 K的较高水平.     

Cl(2P)+D2→DCl+D反应中波恩-奥本海默近似有效性的交叉分子束研究

本文利用高分辨的里德堡态氘原子标识-交叉分子束装置，研究了碰撞能为4.5∽6.5 kcal/mol范围内Cl(²P)[Cl(²P_3/2)和Cl^*(²P_1/2)]与D₂的反应. 虽然自旋轨道激发态反应Cl^*(²P_1/2)+D₂在波恩-奥本海默(B-O)近似下本应是禁阻的，但实验中观测到了该反应的贡献. 通过测量靠近后向的碰撞能相关的微分散射截面连线，发现低碰撞能下的产物主要来自于B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂. 随着碰撞能的提高，自旋轨道基态反应Cl+D₂的反应性增加明显要比自旋轨道激发态反应Cl^*+D₂更快，并且在高碰撞能下成为产物的主要来源. 实验结果表明：在低碰撞能下，Cl^*中自旋轨道激发态的额外能量，可以帮助B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂越过势垒；然而当碰撞能接近和高于反应势垒时，B-O近似允许的反应Cl+D₂占主导地位. Cl/Cl^*+D₂反应中B-O近似有效性的特征与其同位素反应Cl/Cl^*+H₂是一致的.     

带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k₁{N²·(L-d₁)²+［1/k₁+(L-d₁)］²}^1/2，且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明，纳米线突出栅孔的部分(L-d₁)与栅孔半径越大，则场增强因子越大；而纳米线半径越小，则场增强因子越大；当L远大于d₁时满足β∝L/r₀.其中N=N₁(k₁r₀)/N₀(k₁r₀)，N₀(k₁r₀)和N₁(k₁r₀)分别代表零阶和一阶Neumann函数，k₁=0.8936/R，R为栅孔半径，L为纳米线长度，r₀为纳米线半径，d₁表示阴极与栅极间距.     

金属氢超导性能的研究

 本文用强耦合超导理论研究了金属氢的一些超导性能，求出了具有超导性的金属氢的同位素效应值，热力学临界磁场，比热和T_c，H_c及Δ对有效声子谱α²F(ω)的泛函导数：dT_c/dα²F(ω)，dH_c/dα²F(ω)和d(2Δ/k_BT_c)/dα²F(ω)等与ω的关系曲线，说明超导性的一些参数与金属氢的电子-声子作用的关系。     

夸克模型中的Dsj(2317),Dsj(2460)衰变

用夸克模型结合D_s,D_s^*, 讨论窄共振态D_sj^*(2317),D_sj(2460). 除η－π⁰混合角由D^*_s衰变宽度给出, 所有的参数均取自Godfrey和Isgur的夸克模型. 得到的电磁衰变宽度与实验数据和其他作者的结果相一致. 但是, 与现有的实验结果比较, D_sj^*(2317), D_sj(2460)的π介子衰变宽度要小一个数量级. 我们怀疑简单的手征夸克-π轴矢相互作用的哈密顿量不适合于D_sj^*(2317), D_sj(2460)的强衰变.     

解除β、γ带简并的一种方案

假设相互作用的哈密尔顿H=(α₀+α₁n_d)L L—βC₂(SU(3)),用一级微扰论计算了¹⁵⁴Gd、¹⁵⁶Gd的能谱,说明了转动惯量随L增大的离心效应.     

超导膜的能隙和磁场的依赖关系

本文计算出超导膜在磁场中的能隙。所得到的表达式适用于所有的温度,但磁场要满足((ehp₀/(mc) A/(πk_BT_c))²《1条件,其中A是矢势,hp₀是Fermi动量。理论结果和实验进行了比较,符合得还好。     

3-二甲氨基-2-甲基丙烯醛S2激发态结构动力学 (cited: 3)

采用共振拉曼光谱和完全活性自洽场理论计算研究了3-二甲氨基-2-甲基丙烯醛(DMAMP)光激发到S₂(ππ^*)态后的光物理性能．在B3LYP/6-311++G(d,p)水平计算确定了DMAMP与其三种异构体之间的基态异构化能垒,指认了振动光谱．采用涵盖紫外强吸收带的激光波长,获得了DMAMP在环己烷、乙腈和甲醇溶剂中的A-带共振拉曼光谱,含时密度泛函方法计算确定了该光谱中基频的相对强度,发现振动-电子耦合发生在S₂(ππ^*)态的Franck-Condon区域．CASSCF计算方法确定低单重和三重激发态、势能面锥形交叉点和系间窜跃点的激发能．共振拉曼光谱强度模式分析和CASSCF计算获得了DMAMP的A-带短时结构动力学和其后的衰变动力学表明,C1=O6和C2=C3之间的瞬时去共轭效应发生在S₂(ππ^*)态的Franck-Condon区域,激发态电荷重分布机制表明,C3和二甲氨基之间以及C1和C2之间的共轭增强效应发生在波包离开Franck-Condon区域后．C1=O6和C2=C3之间的去共轭效应使得-C3=N(CH₃)₂沿着C2-C3键旋转更加容易,C1-C2之间以及C3和N(CH₃)的共轭增强效应使得绕C1-C2和C3-N5旋转变得比较困难．这些表明DMAMP初始结构动力学沿着CI-1(S₂/S₀)交叉点展开,而沿CI-2(S₂/S₀)和CI-3(S₂/S₀)交叉点展开的几率可以忽略．提出了DMAMP分子受光激发从S_2,FC(ππ^*)经由各锥形交叉点和各系间窜跃点回到S₀或T_1,min的两个衰变通道.     

Bd0→φK0极化反常和Bd→φKS CP不对称的研究

在模型Ⅲ下, 仅考虑来自于中性规范玻色子H⁰, h⁰和 A⁰产生的树图阶味改变中性流的贡献, 并利用QCD因子化方法, 对B_d⁰→φK^*0衰变过程的极化反常和 B_d→φK_S衰变过程的CP不对称进行了研究, 经过计算发现, 在147<|λ_bsλ_ss|<165的参数范围内, 这两个过程中存在的反常现象能够同时给予解释.     

B介子稀有衰变与荷电PG玻色子企鹅图贡献

计算了荷电PG玻色子P^±和P^±₈对B介子稀有衰变过程B→X_s,dνν和B_s,d→1⁺1^－(l=e,μ,τ)的企鹅图和箱图贡献.计算表明:(a)荷电PG玻色子可以对B介子稀有衰变分枝比Br(B→X_s,dνν)和Br(B_s,d→1⁺1^－)给出3～5倍的增强;(b)在大部分参数空间内,色八重态PG玻色子P₈^±起主要作用.