BaF2微晶的γ辐照缺陷

用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复. 关键词：     

BaCl2微晶辐照损伤的电子自旋共振研究

用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl₂的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。 关键词：     

645 MeV Xe35+离子辐照SiO2在线光发射的研究

离子辐照可以改变二氧化硅(SiO₂)的晶体结构和光学性质.采用645 MeV Xe³⁵⁺离子辐照SiO₂单晶,在辐照过程中,利用光栅光谱仪测量在200—800 nm范围内的光发射.在发射光谱中,观测到中心位于461和631 nm的发射带.这些发射带是弗伦克尔激子辐射退激产生的,其强度与辐照离子能量和辐照离子剂量密切相关.实验结果表明:发射光强随离子在固体中的电子能损呈指数增加.由于离子辐照对晶体造成损伤,发射光谱强度随辐照剂量的增加而降低.文中讨论了这些与晶体结构有关的发射带,结合能量损失机制讨论了激子形成和退激过程.快重离子辐照过程中发射光谱的原位测量对研究辐照改性具有重要意义,有助于揭示离子辐照引起晶体损伤的物理机制.     

α-Al2O3: Mn单晶的三维热释发光谱研究

测量了α-Al2O3: Mn单晶中子辐照前后的三维热释发光谱.观察到α-Al2O3: Mn:Mn单晶γ射线照射后测量的三维热释发光谱中，峰温在350℃波长为680nm处有一宽发光峰，这可能与Mn2+离子有关；波长为695nm峰温在170℃和350℃的线状光谱，叠加在680nm宽发光峰上，是Cr3+离子的发光谱线,其中可能有Mn4+离子的贡献.与纯α-Al2O3单晶的热释发光谱相比，掺入Mn杂质后，γ射线照射的三维热释发光谱中完全地抑制了波长为416nm的α-Al2O3的F心发光峰.经1017cm-2中子注量辐照和退火后，γ射线照射后测量的三维热释发光谱中，在150℃出现了波长为416和695nm的发光峰，以及在250℃波长为680和695nm的发光峰，其中695nm新发光峰的强度略超过了中子辐照前α-Al2O3:Mn在350℃波长为695nm的发光峰，说明中子辐照产生了大量浅陷阱能级和F心.然而，经1018cm-2中子注量辐照和退火后，γ射线照射后测量的三维热释发光谱中，出现了峰温150℃，190℃和250℃波长为520nm的Mn2+离子发光峰，以及300℃波长为680和695nm的Cr3+（或Mn4+）的发光峰，表明增高中子注量的辐照，产生了温度为190℃，250℃和300℃深陷阱能级和F心，并使Mn2+离子发光峰明显加强. 关键词： α-Al2O3:Mn 三维发光谱 缺陷结构 发光机理     

不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co⁶⁰γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

核辐照后YAG的晶格离子位移

Nd:YAG晶体在X荧光辐照后,晶格常数发生变化[1].LiF单晶在热中子辐照下,衍射面的峰值强度和积分半宽度变化均敏感[2].Si单晶在γ射线辐照下出现离子位移,其作用能主要消耗在碰撞上[3].红宝石激光晶体在γ射线辐照下,输出能量有所提[4].本文主要观察Nd:YAG多晶体辐照前后及恢复过程中的晶面间距的相对异常变化及其可逆性. 一、实验条件及结果 Nd:YAG多晶单相材料是在1650℃空气环境下烧结成的.一个样品的核反应堆的辐照条件为:功率 3000kW,通量中为 1.9× 109中子/cm2s,辐照10秒.男一个样品的辐射条件为:功率3000kW,通量为4.6×109中…     

浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词： EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射     

α-Al2O3单晶的热释光和光释光特性

研究了纯α-Al2O3单晶的热释光发光曲线和三维发光谱,以及光释光衰变曲线,对它们的发光机理和剂量学特性进行了分析和讨论.实验观察到α-Al2O3单晶β射线照射后立即测量的热释光发光曲线,有峰温为76℃和207℃两个发光峰.经γ射线照射数小时后测量的三维发光谱,只有峰温207℃波长为416 nm发光峰,它与α-Al2O3:C晶体的发光波长基本相同,是受热激发到导带的电子与F+心复合所生成的F心激发态3P跃迁至基态1S发的光.用热释光动力学方程拟合不同照射剂量的发光曲线,207 ℃发光峰的峰温基本不随剂量而变化,形状因子μg的平均值为0.415±0.001,该发光峰的剂量响应为线性-亚线性,表明它基本符合一级动力学模型所预言的发光峰.实验还测定了纯α-Al2O3单晶辐照不同剂量后,470 nm波长激发的光释光衰变曲线.用两个指数衰变函数拟合光衰变曲线得到的衰变时间常数τ1(平均值为2.63±0.07s)基本不随剂量而变化,而τ2则在0.12至12 Gy范围内有明显下降趋势,大于12 Gy时无明显变化,约75s.时间常数τ1对应的光释光强度和吸收剂量的关系为线性-亚线性.     

γ 射线辐照缺陷对单层 MoS2 光谱学性质的调控研究

围绕着过渡金属二硫族化合物( 简称 TMDs) 材料的研究在近十年来一直是相关领域的热点. 本文利用γ射线辐照, 在单层 MoS2 中引入辐照缺陷, 利用光谱学手段结合原子力显微术研究辐照缺陷对单层 MoS2 光谱性质和能谷特性的影响. 结果表明,γ 射线成功地在单层 MoS2 中引入了辐照缺陷, 辐照缺陷对其室温拉曼谱和光致发光谱(photoluminescence, 简称PL) 影响较小, 但对其低温PL 特性有显著影响, 并且缺陷态束缚激子呈现出与自由激子截然不同的谷极化特性; 相较于自由激子, 缺陷态束缚激子的谷极化度对外加磁场的变化更为敏感, 并在面外磁场>2 T 时达到饱和, 保持在约30% .     

PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性

研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1 MeV电子和⁶⁰Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律. 分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度 (室温, 100 ℃, 125 ℃)下随时间变化的关系, 讨论了引起电参数失效的机理. 结果表明: 1 MeV 电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤, 并且在正偏情况下比⁶⁰Coγ源辐照造成的损伤大; 辐照过程中, 不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大; 在不同的辐照源下, LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系, 而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关. 关键词： PNP 输入双极运算放大器 60Coγ源')" href="#">电子和⁶⁰Coγ源 偏置条件 退火     

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhancement effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段. 关键词： X射线 剂量增强因子 总剂量效应 剂量率效应     

X射线辐照后BaFC1中缺陷性质的研究

未掺Eu~(2+)的BaFCl粉末样品在80K下经X射线辐照后,在不同的温度条件下(从80K副273K),用580nm的光波激励样品时观测到310nm和380nm的发光峰.经分析认为,样品经X射线辐照后,在晶体中形成两种卤素离子的F-H’心对.当用F心吸收带的光波激励样品时,两种F—H心对衰变成相应的自陷激子态并复合发光.310nm和380nm分别对应于F-离子和Cl-离子的自陷激子的发光,并且它们的发光强度强烈地依赖于温度的变化。     

X射线辐照后BaFC1中缺陷性质的研究

未掺Eu2+的BaFCl粉末样品在80K下经X射线辐照后,在不同的温度条件下(从80K副273K),用580nm的光波激励样品时观测到310nm和380nm的发光峰.经分析认为,样品经X射线辐照后,在晶体中形成两种卤素离子的F-H''心对.当用F心吸收带的光波激励样品时,两种F—H心对衰变成相应的自陷激子态并复合发光.310nm和380nm分别对应于F-离子和Cl-离子的自陷激子的发光,并且它们的发光强度强烈地依赖于温度的变化。     

硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究

针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出单结晶体管基区主要的γ射线辐照机制位移效应较电离效应具有一定滞后性的观点,解决了原有矛盾,对器件加固的研究具有重要意义. 关键词： 单结晶体管 γ射线 实时监测 基区电阻     

γ射线辐照诱导Bi:α-BaB2O4单晶近红外宽带发光的研究

用提拉法技术生长出了掺Bi的α-BaB₂O₄单晶并经过γ射线辐照.测定了样品在室温下的吸收光谱、发射光谱及荧光衰减曲线.在808 nm波长光的激发下,经γ射线辐照后的α-BaB₂O₄单晶中发现了中心波长为1139 nm、半高宽为113 nm的近红外宽带发光现象.讨论了辐照条件和退火处理对Bi离子发光的影响.对于其发光机理进行了初步的探讨. 关键词： 近红外宽带发光 2O₄单晶')" href="#">α-BaB₂O₄单晶 辐照 退火处理     

存储器硬X射线损伤效应实验

文章给出了大规模集成电路浮栅ROM,SRAM器件在钴源和北京同步辐射装置BSRF(Beijing Synchrotron Radiation Facility)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了其两种辐照源的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变,给出基相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等关系.获得了浮栅ROM器件X射线剂量增强因子,给出不同集成度SRAM器件的X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

锆英石的抗γ射线辐照能力和Rietveld结构精修

为研究放射性核素固化介质备选矿物锆英石的抗γ射线辐照结构稳定性,以澳大利亚锆英石为研究对象,通过⁶⁰Co源γ射线辐照装置对样品施以1728 kGy的γ射线辐照.利用X射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的元素含量、γ射线辐照前后的微观形貌及物相变化进行表征,同时利用Rietveld方法对γ射线辐照前后的样品进行了结构精修.结果表明:澳大利亚锆英石经1728 kGy剂量的γ射线辐照后未发生物相变化,射线辐照前后样品的晶胞参数仅发生了10^-4 量级的变 关键词： 锆英石 γ射线 辐照 Rietveld结构精修     

新疆长绒棉辐射效应的谱学研究

用¹³C CP/MAS NMR谱、ESR谱和质子弛豫时间等方法,研究了经γ射线在室温下辐照后新疆长绒棉纤维的辐射效应. 结果表明随着辐照剂量的增加,长绒棉纤维内的自由基浓度明显的增大,并产生了多种自由基的混合物. 由辐照前后的长绒棉纤维的¹³C CP/MAS NMR谱可以得出,随着辐射剂量的增加,C1峰的谱宽趋向增宽,表明了自由基存在的位置. 各类弛豫时间的改变则反映出长绒棉纤维内部聚集态结构和大分子链运动随辐射剂量的变化.     

CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2-9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2-7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.     

γ辐射引发淀粉目由基衰减的动力学研究

用ESR方法研究了红薯淀粉在γ射线预辐照下,产生的淀粉自由基特性及其室温下的自由基衰减动力学反应。结果表明在室温条件下,淀粉自由基的相对浓度随辐射剂量的增大而增加。自由基相对浓度的室温衰减用二级反应动力学处理,求得了衰减速率常数和淀粉自由基反应的半衰期。