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浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究
引用本文:郭红霞,陈雨生,张义门,韩福斌,贺朝会,周辉.浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究[J].物理学报,2002,51(10):2315-2319.
作者姓名:郭红霞  陈雨生  张义门  韩福斌  贺朝会  周辉
作者单位:(1)西安电子科技大学微电子所,西安710071; (2)西安电子科技大学微电子所,西安710071,西北核技术研究所,西安710024; (3)西北核技术研究所,西安710024
摘    要:给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词: EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射

关 键 词:EEPROM  x射线  剂量增强剂量效应  同步辐射
文章编号:1000-3290/2002/51(10)/2315-05
收稿时间:1/2/2002 12:00:00 AM
修稿时间:2002年1月2日

Experimental study on x-rays dose enhancement effects for floating gate ROMs
Guo Hong-Xi,Chen Yu-Sheng,Zhang Yi-Men,Han Fu-Bin,He Chao-Hui and Zhou Hui.Experimental study on x-rays dose enhancement effects for floating gate ROMs[J].Acta Physica Sinica,2002,51(10):2315-2319.
Authors:Guo Hong-Xi  Chen Yu-Sheng  Zhang Yi-Men  Han Fu-Bin  He Chao-Hui and Zhou Hui
Abstract:
Keywords
Keywords:EEPROM  x  rays  dose enhancement effects  synchrotron radiation  
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