| 硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究 |
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| 引用本文： | 赵鸿飞,杜磊,何亮,包军林.硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究[J].物理学报,2011,60(2):28501-028501. |
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| 作者姓名： | 赵鸿飞 杜磊 何亮 包军林 |
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| 作者单位： | (1)西安电子科技大学大学微电子学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60376023)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200603)资助的课题. |
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| 摘 要： | 针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出单结晶体管基区主要的γ射线辐照机制位移效应较电离效应具有一定滞后性的观点,解决了原有矛盾,对器件加固的研究具有重要意义.
关键词：
单结晶体管
γ射线
实时监测
基区电阻
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| 关 键 词： | 单结晶体管 γ射线 实时监测 基区电阻 |
| 收稿时间： | 2009-11-24 |
| 修稿时间： | 6/1/2010 12:00:00 AM |
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