二维辉钼材料及器件研究进展

经过几十年的发展, 集成电路的特征尺寸将在10–15年内达到其物理极限, 替代材料的研究迫在眉睫. 石墨烯曾被寄予厚望, 但由于其缺乏带隙限制了在数字电路领域的应用. 近年来, 单层及多层辉钼材料由于具有优异的半导体性能, 有可能超过石墨烯成为硅的替代者而引起了微纳电子领域的广泛关注. 本文对近二年国际上辉钼半导体器件研制、辉钼半导体材料的性能 表征及制备方法研究等方面的进展进行了综述, 并对大面积单层材料的研制提出了值得关注的方向. 关键词： 2')" href="#">MoS₂ 辉钼材料 纳米材料 集成电路     

FTIR-ATR技术考察TiO2膜对油酸的光催化氧化性能

采用Sol-Gel和PVD法在玻璃、陶瓷、铝片表面制备出TiO2膜,直接将食用油中的主成分油酸用溶剂稀释后均匀涂在膜表面,采用FTIR-ATR技术实现了对膜样品光催化自清洁性能的快速准确评价,并通过测量水的接触角评价了膜的亲水性。结果表明,Sol-Gel法和PVD法制备的TiO2/玻璃膜都具有较好的光致亲水性和光催化降解油酸性能,两者的亲水性没有明显差别,但前者的光催化活性稍优于后者。比较Sol-Gel法制备的TiO2/玻璃、TiO2/陶瓷和TiO2/铝片膜对油酸的光催化降解性能发现,光照3·5h后3个样品的降解率分别为92%,85%和46%,表明基底材料性质对TiO2膜的光催化活性有明显影响,镀在非导电性玻璃和陶瓷表面的TiO2膜比镀在导电性金属铝表面的TiO2膜对油酸有更高的光催化降解能力。     

红色长余辉材料Y2O2S : Eu,Si,M 的制备及发光性能

采用高温固相法合成了红色长余辉材料Y₂O₂S : Eu, Si, M(M=Mg,Ca,Sr,Ba),利用X晶体衍射、发光光谱、热释光测量等对材料的性能进行了表征。结果分析表明:Y₂O₂S : Eu,Si,M(M=Mg,Ca,Sr,Ba)长余辉材料的最大荧光发射和余辉发射峰完全一致都位于627 nm, 产生红光发射,是典型的Eu³⁺离子的⁵D₀-⁷F₂跃迁。激发停止后,能够产生较好的余辉性能。碱土金属离子能够增强其荧光发射峰强度并对余辉性能有一定促进作用,其中以Mg²⁺最好,其次是Ba²⁺。     

磁控射频溅射三SnO_2薄膜的气敏光学特性研究

采用磁控射频溅射在玻璃基片上制备SnO2薄膜,对采用不同工艺制备的薄膜进行了XRD和常温下的膜片在CO2、乙醇中的气敏光学特性与透射光谱测试。结果表明,该薄膜在常温下对测试气体有敏感效应,会引起透射光谱的变化,并且光谱透射率的变化与波长相关。     

锐钛矿相TiO2光学性质的计算

TiO₂具有良好的光学、电学和化学性质,锐钛矿相 TiO₂具有更突出的光催化特性,是一种有广泛用途的宽禁带氧化物半导体。利用基于密度泛函理论的第一原理全电势线性缀加平面波方法计算锐钛矿相TiO₂介电函数的实部、虚部和光学吸收系数,其中能隙值利用剪刀算符修正为3.2 eV。计算结果与实验符合得很好,同时说明广义梯度近似与局域密度近似相比对锐钛矿相TiO₂光学性质的计算没有明显的改善。     

光寻址2×2光学开关及3－D集成光学蝶形互连网络的实现

在光学多级互连网络的实现中，光学２×２开关的构造是至关重要的。本文介绍一种构成光寻址２×２光学开关的方法，该方法是在方解石晶体的双折射性质的基础上，利用普克尔斯只读光调制器（ＰＲＯＭ）来控制入射光的偏振态，从而实现光寻址２×２光学开关，这种开关具有许多优点，并且可以在３－Ｄ方向堆栈集成。利用该开关可以很方便地实现３－Ｄ集成的蝶形互连网络     

低成本溶胶-凝胶法制备SiO2/TiO2双层膜的减反射与自清洁性能

将玻璃基底依次在低成本的SiO₂溶胶和TiO₂溶胶中浸渍后,在500 oC下煅烧制备了同时具备减反射与自清洁性能的SiO₂/TiO₂双层膜．该膜的光学性能与结构特征分别通过紫外-可见分光光度计和场发射扫描电镜进行了表征．同时,源于超亲水性和光催化作用的自清洁性能也凸显出来．实验结果表明制备SiO₂/TiO₂双层膜对光的透射率最高可达到95%,同时具备自清洁性能．     

竹材的纳米TiO_2改性及抗菌防霉性能研究

竹材是一种重要的森林资源,但容易腐朽霉变,在户外使用受到限制。可采用溶胶-凝胶法,在低温条件下制备了TiO2溶胶,并通过浸渍提拉的方式,完成了竹材的纳米TiO2改性。同时利用电子核磁共振波谱仪(NMR)、场发射环境扫描电镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDAX)对TiO2进行形态和结构表征,重点研究了温度对TiO2薄膜形态、晶型及抗菌防霉性能的影响。研究结果表明,3种温度(20,60,105℃)处理的TiO2改性竹材不仅完全保持了竹材的天然颜色、纹理、结构,而且抗菌性能由不具抗菌性变为对大肠杆菌的杀菌率超过99%,防霉性能提高了10倍以上。这种方法有望成为竹材功能性改良的新手段,并对包括木材在内的其他天然生物质材料保护和改良也具有借鉴意义。     

短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究

研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达１０＾６，反射率对比度在１５％以上。     

Mg-Sn-Si合金中Mg2(Si,Sn)复合相的结构与性能研究

研究了铸态Mg-Sn-Si合金中Mg₂(Si,Sn)复合相的结构、 特性以及该相对Mg-Sn-Si合金变质作用的影响. 结果表明: Sn原子能取代Mg₂Si中的部分Si生成Mg₂(Si,Sn)复合相, 该三元相与Mg₂Si, Mg₂Sn相的结构相同, 属于面心立方结构, Mg₂(Si,Sn)相的元素含量并不固定, 在Si富集区形成的Mg₂(Si,Sn)相中, Si元素含量高, 在Si贫乏区形成的Mg₂(Si,Sn)相中, Si元素含量低. Si含量较多的Mg₂(Si,Sn)相性能与Mg₂Si相接近, Sn含量较多的Mg₂(Si,Sn)相性能与Mg₂Sn相接近, 实验中发现Mg₂(Si,Sn)复合相的纳米硬度、 弹性模量与维氏硬度等物理性能介于Mg₂Si与Mg₂Sn之间, Mg₂(Si,Sn)相对汉字状Mg₂Si相的变质处理起到桥梁作用. 关键词： Mg-Sn-Si合金 2Si')" href="#">Mg₂Si 2Sn')" href="#">Mg₂Sn 2(Si,Sn)复合相')" href="#">Mg₂(Si,Sn)复合相     

（FeCp_2）_（0.65）[Ni（C_3S_7）_2]的合成及电化学性质研究

合成了一种新型的导电配位型化合物（FeCp2）0.65[Ni（C3S7）2]。通过EA,ICP,1H NMR,UV对该化合物进行了表征,并通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究。结果表明分子中S原子个数增多以及二茂铁阳离子（FeCp2＋）的引入有利于导电性能的提高。     

A comparative study of electroluminescence from Ge／SiO2 and Si／SiO2 films

Ge/SiO_2 and Si/SiO_2 films were deposited using the two-target alternation magnetron sputtering technique. The Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures were fabricated and their electroluminescence (EL) characteristics were comparatively studied. Both Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures have rectifying property. All the EL spectra from the two types of the structure have peak positions around 650－660 nm. The EL mechanisms of the structures are discussed.     

二氧化碲非同向声光可调谐滤波器的设计分析

在分析非同向声光可调谐滤波器器件设计理论的基础上，同时考虑声光晶体的双折射和旋光特征，分析和计算了二氧化碲声光可调谐滤波器的超声波极角θａ和入射光波极角θｉ之间的关系以及超声波频率ｆａ和光波波长λ０之间的调谐关系。     

Improved photovoltaic properties of a-Si/β-FeSi2/c-Si double heterojunction by Al-doping

Al-doped β-FeSi₂ thin film was sputtered on Si substrate and then applied to the amorphous-Si/β-FeSi₂/crystalline-Si (a-Si/β-FeSi₂/c-Si) double heterojunction. The X-ray diffraction result confirmed the formation of β-FeSi₂ crystallization. The result of carrier lifetime measurement implied that Al-doping could improve the carrier lifetime and infrared response property of β-FeSi₂ thin film. Such improvements were ascribed to the reduction of Si vacancy density by Al atom occupation. Based on the improved Al-doped β-FeSi₂ thin film, the prepared a-Si/β-FeSi₂/c-Si double heterojunction exhibited prominent enhancements in open-circuit voltage, short-circuit current density, fill factor, and energy conversion efficiency than that of the un-doped β-FeSi₂ double heterojunction. These results reveal an attractive way to improve the photovoltaic property of a-Si/β-FeSi₂/c-Si double heterojunction using Al-doped β-FeSi₂ thin film.     

The potential energy surface and chaos in 2D Hamiltonian systems

We provide a new insight into the relationship between the geometric property of the potential energy surface and chaotic behavior of 2D Hamiltonian dynamical systems, and give an indicator of chaos based on the geometric property of the potential energy surface by defining Mean Convex Index (MCI). We also discuss a model of unstable Hamiltonian in detail, and show our results in good agreement with HBLSL's (Horwitz, Ben Zion, Lewkowicz, Schiffer and Levitan) new Riemannian geometric criterion.     

High temperature thermoelectric properties of highly c-axis oriented Bi₂Sr₂Co₂O_y thin films fabricated by pulsed laser deposition

High-temperature thermoelectric transport property measurements have been performed on the highly c-axis oriented Bi2Sr2Co2Oy thin films prepared by pulsed laser deposition on LaAlO3(001).Both the electric resistivity ρ and the seebeck coefficient S of the film exhibit an increasing trend with the temperature from 300 K-1000 K and reach up to 4.8 m·Ω· cm and 202 μV/K at 980 K,resulting in a power factor of 0.85 mW/mK which are comparable to those of the single crystalline samples.A small polaron hopping conduction can be responsible for the conduction mechanism of the film at high temperature.The results demonstrate that the Bi2Sr2Co2Oy thin film has potential application in high temperature thin film thermoelectric devices.     

Probing the thermoelectric transport properties of n-type Bi2Te3 close to the limit of constitutional undercooling

Bulk n-type Bi2Te3 single crystals with optimized chemical composition were successfully prepared by a high temperature-gradient directional solidification method. We investigate the influence of alloy microstructure, chemical composition, and growth orientation on the thermoelectric transport properties. The results show that the composition of single-crystal Bi2Te3 alloy, along the c axis direction, could be slightly tuned by changing the growth rate of the crystal. At a rate of 18 mm/h, the formed Bi2Te3 crystal exhibits good thermoelectric properties. At 300 K, a maximum Seebeck coefficient of -245 μV/K and an electrical conductivity of 5.6 × 10 4 S/m are acquired. The optimal power factor is ob- tained as 3.3 × 10 -3 W/K2m, with a figure of merit of 0.74. It can be attributed to the increased tellurium allocation in the Bi2Te3 alloys, as verified well by the density functional theory caLculations.     

利用SU（2）_（q，s）量子代数的两参数变形振子实现讨论SU（2）_（q，s）相干态

利用ＳＵ（２）ｑ，ｓ量子代数的两参数变形振子实现构造出与Ｐｅｒｅｌｏｍｏｖ相干态形式不同的ＳＵ（２）ｑ，ｓ相干态．证明了ＳＵ（２）ｑ，ｓ，量子代数的表示基是正交的，并讨论了它的相干态的归一性和完备性．指出ＳＵ（２）ｑ，ｓ相干态的相干性受参数ｑ，ｓ的影响，它比单参数变形ＳＵ（２）ｑ相干态更具一般性．     

甘氨脱氧胆酸钠胶束对Ca~(2+)离子的“缓冲”作用及其机理

采用浊度滴定、激光光散射谱、透射电子显微镜和傅里叶变换红外光谱等方法研究了甘氨脱氧胆酸钠(NaGDC)胶束对Ca2+的"缓冲"作用及其机理。结果表明,NaGDC浓度在CMC以上时,将延缓甘氨脱氧胆酸钙盐的沉淀,浓度越高"缓冲"能力越大。可能的作用机理是当NaGDC浓度小于CMC时,Ca2+直接与GDC-离子作用,形成甘氨脱氧胆酸钙沉淀;当NaGDC浓度大于CMC时,首先,Ca2+与NaGDC胶束亲水面上的羧基作用,使NaGDC小胶束通过Ca2+桥连接形成纤维状的大胶束。而后,随着Ca2+浓度的增加,纤维状胶束中与Ca2+作用的COO-逐渐增多,当胶束中Ca2+/Na+比增大到一定值时,最终形成NanCam(GDC)n+2m沉淀,从而延缓了甘氨脱氧胆酸钙盐的生成。为研究胆汁中表面活性与金属离子的复杂相互作用给出了新思路。     

HL-2M �������Inconel 625 ���������о�

HL-2M真空室的主体材料被选为Inconel 625。通过研究3个产地的Inconel 625母材和焊缝的性能,对比分析了该种材料的各项性能参数。通过比较得到进口Inconel 625母材和焊接接头综合性能均最优。各项试验结果及分析对真空室部件的制造有重要的指导意义。