一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备

采用Li3N掺杂电子注入层Alq3:Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3:Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3N n型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力;在Al阳极与空穴传输层之间...     

利用氧等离子体处理阳极银实现高效率顶发射有机电致发光

主要报道在器件结构为玻璃衬底/Ag(阳极)/NPB(空穴传输层)/Alq3(电子传输及发光层)/Sm(半透明阴极)/Alq3的顶发射有机电致发光器件中,利用氧等离子体对阳极银的表面进行处理来降低阳极和空穴传输层(Ag/NPB)界面处的空穴注入势垒,提高顶发射有机电致发光器件的性能。主要研究了氧等离子体处理时间对阳极银和顶发射有机电致发光器件光电特性的影响。紫外光电子能谱表明,氧等离子体处理能有效降低Ag/NPB界面处的空穴注入势垒。通过优化处理时间获得最佳器件性能,优化后的器件最大效率可达6.14cd/A。     

空穴注入层对蓝色有机电致发光器件性能的影响

以DPVBi为发光层,NPB为空穴传输层,在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT:PSS,制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs):ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT:PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al,研究了不同空穴注入材料对蓝色OLEDs发光性能的影响,并与没有空穴注入层的器件进行了比较.其中CuPc分别采用旋涂和真空蒸镀两种丁艺,比较了不同成膜工艺对器件发光特性的影响.结果表明:加入空穴注入层的器件比没有空穴注入层器件性能要好,其中插入水溶性CuPc的器件,其发光亮度和效率虽然比蒸镀CuPc器件要低,但比插入PEDOT:PSS 器件发光性能要好.又由于水溶性CuPc采用旋涂工艺成膜,与传统CuPc相比,制备工艺简单,所以为一种不错的空穴注入材料.     

有机/有机界面污染对有机电致发光器件稳定性的影响(英文)

有机电致发光器件的稳定性是其实用化面临的主要难题之一。为了研究有机/有机界面性质对有机电致发光器件稳定性的影响,采用溶液旋涂的NPB(NPBSC)作为器件的空穴传输层制备了两种异质结电致发光器件:ITO/NPBSC/Alq3/LiF/Al和ITO/NPBSC/NPB/Alq3/LiF/Al,对比研究了器件的发光性能和工作稳定性。研究结果表明:完全使用NPBSC作为空穴传输层的器件性能和稳定性都较差,这归因于不稳定的NPBSC/Alq3界面,在空气中旋涂制备NPB层时,空气中的水蒸气和氧气分子会粘附在空穴传输层表面,这样就会引起界面处Alq3分子的发光猝灭。插入10 nm真空蒸镀的NPB层可以显著地提高器件的发光性能和稳定性,10 nm的NPB层把污染界面与激子复合区界面分开,避免了水蒸气和氧气分子对Alq3分子的发光猝灭,器件的效率增加了1.15 cd/A,半衰期寿命提高了4倍。     

高色饱和度的微腔结构蓝色顶发射有机发光器件的光谱分析

制作了具有微腔结构的蓝色有机顶发射电致发光器件。利用TBADN∶3%DSAPh为发光材料,结构为Ag/ITO/CuPc/NPB/TBADN∶3%DSAPh/Alq₃/LiF/Al(Ag)。在玻璃基片上,制备Ag为阳极反射层,CuPc作为空穴注入层,NPB作为空穴传输层,ITO为光程调节层;Al/Ag作为半透明阴极,电极的透射率在30％左右。得到了半高宽仅为17nm发光光谱,实现了窄带发射。通过改变ITO的厚度,得到了纯度较高的蓝色发光光谱,色坐标为(0.141,0.049),实现了高色饱和度的发射。在文章中,作者研究了微腔器件的发光强度,当选择合适的阴极透射率时可以使发光强度达到最大。根据相关的公式,计算出了发光强度随阴极透射率(或者反射率)变化的近似曲线。     

倒置异质结有机太阳能电池的电子传输层

制备了结构为ITO/BCP或Alq3(x=0,2,6,10,20,40 nm)/C60(50 nm)/Rubrene(50 nm)/MoO3(5nm)/Al(130 nm)的倒置异质结有机太阳能电池,其中BCP或Alq3作电子传输层。实验结果表明:当BCP或Alq3≤6 nm时,器件性能随电子传输层厚度的变化不大;当BCP或Alq3≥10 nm时,随电子传输层厚度的增加,含Alq3器件的性能衰减很快,含BCP器件的性能衰减相对较慢,且其开路电压保持不变。分析表明:当电子传输层较薄时,粗糙的ITO使电子较容易从C60注入到ITO;当电子传输层较厚时,BCP/C60之间的能带弯曲使二者之间几乎不存在势垒,含BCP器件性能较差主要源于BCP较差的电子迁移率,而含Alq3器件性能较差主要源于Alq3/C60之间的势垒。     

Alq_3发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

文章以MoO3为空穴注入层,NPB为空穴传输层,改变发光/电子传输层Alq3的厚度,考察了器件电学和光学性能的变化。结果表明,随着Alq3层增加厚度,器件的电流逐步减小,由此获得Alq3薄膜的电场分布情况;器件发光光谱有少量红移,但长波端明显展宽,短波端强度下降。该文拟合了器件电致发光谱,与实验曲线吻合较好。同时拟合结果也表明,干涉效应主要影响光谱在长波端的强度分布,发光区域分布决定光谱在短波端的强度分布。     

氧化石墨烯作为共蒸镀掺杂材料在OLED中的应用

通过共蒸镀掺杂的方法,分别用氧化石墨烯和NPB掺杂作为空穴传输层以及氧化石墨烯和Alq3掺杂作为电子传输层和发光层,制备了两种不同的有机电致发光器件。器件性能测试结果表明:相对于未掺杂的参比器件,氧化石墨烯与NPB共蒸镀掺杂的器件性能降低,与Alq3共蒸镀掺杂的器件性能提高。其中,氧化石墨烯掺杂量为Alq3的10%时,器件发光亮度为掺杂前的1.2倍,电流效率为掺杂前的2倍。这一工作为进一步提高OLED性能提供了新的途径。     

缓冲层和掺杂的电子传输层对有机电致发光器件发光效率影响的研究

针对有机发光器件需要提高发光效率问题,利用其最高被占用分子轨道(HOMO)有利于改善空穴注入的特点,将氧化钼(MoO3)插入m-MTDATA与NPB之间;将羟基喹啉锂(Liq)掺入4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(Bphen)作n型电子传输层,制备具有空穴缓冲层和n型掺杂电子传输层的有机电致发光器件。通过单载流子电子器件J-V曲线的比较,将掺杂质量分数确定为w(Bphen)∶w(Liq)=65∶35。在完整器件中,随着MoO3厚度的增加,器件效率改善显著,当MoO3厚度达到1nm时,器件性能最佳,此后趋于饱和,对厚度变化不敏感。说明使用MoO3及n型掺杂后空穴及电子的注入传输均获得明显提高,并在发光区域达到有效平衡,器件的亮度及发光效率获得明显改善,与控制器件相比,电流效率、功率效率及亮度分别提高约62%、约98%和约60%,电压V下降了约28%。     

具有Au/MoO_3空穴注入层的有机发光二极管

研究了单层MoO3(5nm)和复合Au(4nm)/MoO3(5nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率。     

Low driving voltage in an organic light-emitting diode using MoO3/NPB multiple quantum well structure in a hole transport layer

The driving voltage of an organic light-emitting diode(OLED) is lowered by employing molybdenum trioxide(MoO3)/N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phe-nyl)-benzidine(NPB) multiple quantum well(MQW) structure in the hole transport layer.For the device with double quantum well(DQW) structure of ITO/[MoO3(2.5 nm)/NPB(20 nm)]2/Alq3(50 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(120 nm)],the turn-on voltage is reduced to 2.8 V,which is lowered by 0.4 V compared with that of the control device(without MQW structures),and the driving voltage is 5.6 V,which is reduced by 1 V compared with that of the control device at the 1000 cd/m2.In this work,the enhancement of the injection and transport ability for holes could reduce the driving voltage for the device with MQW structure,which is attributed not only to the reduced energy barrier between ITO and NPB,but also to the forming charge transfer complex between MoO3 and NPB induced by the interfacial doping effect of MoO3.     

Energy distribution in white organic light-emitting diodes with three primary color emitting layers

Two types of organic light-emitting diodes with structures of ITO/N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl,1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPB)/tris(8-hydroquinolinato)aluminum(Alq 3)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline(BCP)/Alq 3:4-dicyanomethylene-2-(tert-butyl)-6-methyl-4H-pyran(DCJTB)/Alq 3 /Al and ITO/NPB/BCP/Alq 3 /Alq 3:DCJTB/Alq 3 /Al were studied.NPB was chosen as a hole-transporting/blue-emitting layer.Alq 3 adjacent to BCP acted as a green emitting layer while that adjacent to the Al cathode acte...     

水溶性酞菁化合物对有机电致发光器件亮度和效率的影响

以水溶性酞菁铜(CuTcPc)为空穴注入层制备多层有机电致发光器件.ITO表面经过CuTcPc溶液修饰,能够提高空穴的注入能力,增加器件的电流密度和亮度.在有机电致发光器件中,空穴传输材料的空穴迁移率一般大于电子传输材料的电子迁移率,空穴是多数载流子;但是,CuTcPc修饰处理不仅提高了器件的电流密度和亮度,也提高了器...     

高稳定性的红色有机薄膜电致发光器件

有机薄膜电致发光作为新型的平板显示器件受到人们广泛的关注。有机发光器件研究的一个目标是发展全色显示。目前绿色和蓝色器件都实现了高亮度和长寿命。有关红色有机发光器件也有一些报道。如 Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ等报道的 ＤＣＭ红光器件［１］,Ｊ．Ｋｉｄｏ［２］利用稀土有机物作为红色发射体,Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｕｓ报道的ＴＰＰ掺杂［３］Ｙ．Ｈａｍａｄａ报道的ＺｎＴＰＰ掺杂［４］, Ｍ． Ａ． Ｂａｌｄｏ利用ＰｔＯＥｐ［５］都得到红光。最近 Ｙ． Ｈａｍａｄａ报道利用ｒｕｂｒｅｎｅ作为辅助掺杂得到的红光器件色度不随电压的…     

DPVBi空穴阻挡层对OLED性能的优化

研究了宽带隙有机小分子材料DPVBi作为空穴阻挡层对OLED器件效率和亮度的优化作用.DPVBi的引入有效地改善了以PEDOT:PSS做空穴注入层的OLED器件的空穴过剩问题.实验结果表明:通过优化DPVBi的厚度,插入30 nm厚的DPVBi空穴阻拦层可以有效地平衡OLED器件的电子和空穴浓度,降低器件的工作电压,优...     

利用NPB/MoO3/NpB作为空穴传输层的低驱动电压的有机发光器件

通过引入(NPB/MoO3)x/NPB作为空穴传输层,获得了低驱动电压的有机电致发光器件(OLEDs),(NPB/MoO3)x为多层结构(x为0,1和2).通过对比发现,在相同亮度下,x=1对应的器件具有最低的工作电压.这是由于在NPB和MoO3之间产生了电荷转移复合物(charge transfer,CT),这将会降低器件的空穴注入势垒,从而降低其工作电压,文中所研究器件为基于8-羟基喹啉铝(tris(8-hydroxyquino-line)aluminum,Alq3)的绿光器件.与x=0时的普通器件相比,在亮度为1 000 cd·m-2时,x=1时的工作电压降低了 0.8 V.     

PS-TPD空穴传输层的高亮度绿光有机电致发光器件的研究

研究了不同质量比的聚苯乙烯(PS)三苯基二胺(TPD)复合空穴传输层对有机电致发光器件(OLED)性能的影响。采用此掺杂体系作器件的空穴传输层,利用旋涂工艺制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS)∶N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine(TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminium(Alq3)/Mg∶Ag的双层有机电致发光器件。为便于比较,另直接蒸镀TPD薄膜做空穴传输层制备了相似结构的器件。利用飞行时间法对不同PS-TPD质量比例的薄膜的空穴迁移率进行了表征,并对器件的电致发光特性进行了测试。测试结果表明,掺杂薄膜的空穴迁移率比纯TPD膜的低1~2个数量级。当质量比为m(PS)∶m(TPD)=10∶90时,器件具有最高光亮度14280 cd/m2和最高流明效率1.2 l m/W。说明适当质量比PS的引入相对降低了薄膜的空穴迁移率,调节了TPD的空穴传输能力,更有效地平衡了复合区内正负载流子的数目,从而提高了器件的发光亮度和效率。     

顶发射白光OLED微型显示器的蓝光掺杂特性研究

白光OLED微型显示器在信息显示领域具有重要的应用。采用真空镀膜系统,依次蒸镀Ag/ITO复合薄膜作为阳极结构,共蒸制备Mg∶Ag复合膜作为半透明阴极结构,NPB作为空穴传输材料和黄光主体材料,rubrene作为黄光掺杂料,AND作为蓝光主体料,DSA-Ph作为蓝光掺杂料,Alq3作为电子传输材料,以结构和工艺简化的蓝、黄光互补色来实现白光,通过共蒸发形式制备了结构为Ag/ITO/NPB/NPB∶rubrene（1.5%）/ADN∶DSA-Ph（x%/x=2,5,8）/Alq3/Mg∶Ag的白光OLED微型显示器,利用由Photo Research PR655光谱仪、Keithley 2400程控电源组成的光谱测试系统对器件的光电性能进行表征,研究了蓝光掺杂比对白光OLED微型显器性能的影响。结果表明,随着蓝光掺杂比的增加,白光OLED微型显示器的亮度先增加后降低,蓝光、黄光峰位有所偏移,色坐标发生一定的漂移,蓝光色纯度增加,可通过调控发光材料掺杂比实现白光OLED微型显示器性能的可控制备。初步优化获得的蓝、黄混合白光OLED微型显示器的器件,当驱动电压为5.0 V时,器件亮度达到3 679 cd·m-2,CIE坐标为（0.263,0.355）。