Thin Film Encapsulation of Light-Emitting Diodes with Photopolymerized Polyacrylate and Silver Films

A thin film encapsulation of organic light-emitting diodes （OLEDs） is investigated with a multi-layer stack of polyacrylate-Ag-polyacrylate-Ag-polyacrylate-Ag-polyacrylate （PAPAPAP）. It is shown that the fabrication of polyacrylate films by a wet process does not affect the electroluminescent （EL） characteristics of the devices and polyacrylate films together with the silver layers can perform to minimize oxygen and water diffusion into the organic light-emitting device. The structure of polyacrylate（20μm）-Ag（200nm）-polyacrylate（20μm）-Ag（200nm）- polyacrylate（20μm）-Ag（200nm）-polyacrylate（20μm） is demonstrated to enhance dramatically the lifetime of OLEDs.     

Round-trip imaging through scattering media based on optical transmission matrix

Traditional one-way imaging methods become invalid when a target object is completely hidden behind scattering media. In this case, it has been much more challenging, since the light wave is distorted twice.To solve this problem, we propose an imaging method, so-called round-trip imaging, based on the optical transmission matrix of the scattering medium. We show that the object can be recovered directly from the distorted output wave, where no scanning is required during the imaging process. We predict that this method might improve the imaging speed and have potential application for real-time imaging.     

Efficient Phosphorescent Organic Light Emitting Diodes Using FITCNQ as the Indium-Tin-Oxide Modification Layer

A phosphorescent organic light emitting diode by using tetrafluorotetracyanoquinodimethane （F4 TCNQ） as the indium-tin-oxide modification layer and 4,4＇-bis（earbazol-9-yl）biphenyl （CBP） as the hole transporting layer is reported. CBP doped with a green phosphorescent dopant, tris（2-（p-tolyl）pyridine） iridium（III） （Ir（mppy）3） is used as the emission layer in this device, and the maximum current efficiency of 31.3 cd/A is achieved. Further- more, low efficiency roll-off of 10.4% is observed with device luminance increasing from 100 cd/m2 （29. 7 cd/A） to lO000 cd/m2 （26.5 cd/A）. It is demonstrated that a charge-generation area is formed at F4 TCNQ/CBP interface, which will benefit hole injection into the hole transporting layer. Moreover, use of the CBP hole transporting layer will benefit the low efficiency roll-off by broadening triplet exciton formation, as well as by avoiding accumulation of unbalanced carrier at the hole transporting layer/emission layer interface.     

单顶角结构LED背光模组的设计与优化

由于LED（发光二极管）具有寿命长、色域宽、功耗低和环保（传统的光源CCFL含有汞气）等特性,在背光模组中采用LED代替CCFL（冷阴极荧光灯）是一种趋势。采用单光源顶角入射结构设计一个5.08cm(2inch)液晶背光模组。针对LED作为点光源带来的亮度不均匀的问题,采用旋转LED的入射角度和区域分割设计的方法,有效地解决了LED液晶背光模组中存在亮斑和暗区等不良的现象。通过模拟实验,可以得到光源出射均匀度为80.06%的导光板。     

光敏化铱配合物三线态材料

铱配合物由于高的激发单线态到三线态的量子转化效率和可调节的三线态寿命,近年来在三线态光敏化应用领域备受瞩目.科学家们就调控铱配合物发光波长和发光量子效率已建立起有效的分子设计策略和原则,但对如何调控铱配合物的可见光吸光响应,三线态量子产率和寿命等光敏化应用要求的重要光物理参数的相关探索并不多,相应的分子设计策略和原则远未建立.本文介绍了铱配合物与光敏化过程相关的光物理特征,改进铱配合物可见光吸收性能、调控三线态量子产率和寿命的分子设计策略,综述了铱配合物近年来应用于染料敏化太阳能电池、三线态-三线态湮灭能量上转化和光裂解水制氢的研究进展,梳理了铱配合物分子结构与光敏化性能之间的部分关联关系.     

半导体量子阱中激子波函数及其 Fourier系数的计算和应用

利用准玻色子方法发展的激子动力学方程是研究半导体纳米结构中激子超快动力学的有效理论手段. 为了将这种方法应用于半导体量子阱, 需要知道量子阱中的激子波函数及其在动量空间的表示, 从而得到激子动力学方程中所必须的系数. 详细讨论了理想和实际量子阱中的激子波函数, 特别是其在动量空间的表示, 并进一步讨论了激子动力学方程中所必须系数的计算方法. 通过求解这些系数, 对量子阱中因激子密度变化而引起的太赫兹脉冲作用下激子能级间跃迁过程中的非线性效应进行了理论预测, 得到了与实验符合很好的结果.     

热激活延迟荧光OLED稳定性研究

以双极性材料4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体,绿色热激活延迟荧光材料(4s,6s)-2,4,5,6-tetra(9H-carbazol-9-yl)isophthalonitrile(4CzIPN)为客体,制备了一种多层有机发光二极管.通过改变4CzIPN的掺杂浓度,研究了掺杂浓度对器件光电性能及稳定性的影响,发现4CzIPN掺杂浓度为12%时器件性能最佳.通过设计正向恒流反向恒压的交流驱动电路并对交流驱动电路参数进行优化,研究了驱动方式对延迟荧光有机发光二极管寿命的影响,揭示了交流驱动参数对延迟荧光器件寿命的影响规律.研究表明,基于热激活延迟荧光的有机发光二极管在使用频率为50 Hz,反向偏压为0 mV,50%占空比的交流驱动时,可获得更高的器件寿命.通过比较直流驱动和交流驱动下相同器件的寿命曲线,发现使用交流驱动时器件寿命是直流驱动时的1.5倍左右.     

锡基钙钛矿太阳能电池研究进展

自2009年以来,有机-无机卤化物钙钛矿因其独特的光学和电学性能,在光电材料领域受到了广泛的研究,尤其是Pb基的卤化物钙钛矿太阳能电池,目前光电转换效率高达创纪录的约25.2%,显示出强大的商业化潜力。然而,Pb元素的毒性及因而导致的环境隐患问题,一直是其产业化过程中的顾虑之一。因此,寻求能替代Pb的环境友好的元素,是一个十分重要的课题。Pb基钙钛矿材料优异的光电特性来源于Pb²⁺的最外层6s2孤对电子,与Pb元素同主族的Sn元素能够形成三维钙钛矿结构且同样具有惰性5s2外层电子结构,因而是替代Pb的首选。本文系统地介绍了Sn基钙钛矿的光学和电学性质,并从薄膜制备方法和不同的器件结构方面介绍Sn基钙钛矿太阳能电池的最新进展。     

相干态和压缩态光场与二能级原子相互作用的演化特性

本文着重讨论了在相干态、压缩态光场与二能级原子的相互作用中某些物理量的演化特性.并找出了几种具有实际意义的压缩效应的演化过程.     

有机/有机界面污染对有机电致发光器件稳定性的影响(英文)

有机电致发光器件的稳定性是其实用化面临的主要难题之一。为了研究有机/有机界面性质对有机电致发光器件稳定性的影响,采用溶液旋涂的NPB(NPBSC)作为器件的空穴传输层制备了两种异质结电致发光器件:ITO/NPBSC/Alq3/LiF/Al和ITO/NPBSC/NPB/Alq3/LiF/Al,对比研究了器件的发光性能和工作稳定性。研究结果表明:完全使用NPBSC作为空穴传输层的器件性能和稳定性都较差,这归因于不稳定的NPBSC/Alq3界面,在空气中旋涂制备NPB层时,空气中的水蒸气和氧气分子会粘附在空穴传输层表面,这样就会引起界面处Alq3分子的发光猝灭。插入10 nm真空蒸镀的NPB层可以显著地提高器件的发光性能和稳定性,10 nm的NPB层把污染界面与激子复合区界面分开,避免了水蒸气和氧气分子对Alq3分子的发光猝灭,器件的效率增加了1.15 cd/A,半衰期寿命提高了4倍。