超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升

采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响。结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω·cm减至3.86×105Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3cm2·V-1·s-1。UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率。     

空穴传输层掺杂SrF2的高效率蓝色磷光OLED器件

通过在OLED器件的空穴传输层中掺杂不同比例的SrF2制作出了高效率蓝色磷光OLED器件.这种器件能有效提高蓝色磷光OLED器件的空穴注入与传输特性,降低器件的的工作电压,提高流明效率(19.11m/W)、电流效率(26.9 cd/A)以及亮度(22 220 cd/m2),和未经掺杂的参比器件相比,分别提高了85.4％...     

超薄EuF3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升

采用EuF₃薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF₃对器件性能的影响。结果表明,EuF₃的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×10⁵ Ω·cm减 至3.86×10⁵ Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10^-3 cm²·V^-1·s^-1提高到4.65×10^-3 cm²·V^-1·s^-1。 UPS测试结果表明,薄层EuF₃在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率。     

DPVBi空穴阻挡层对OLED性能的优化

研究了宽带隙有机小分子材料DPVBi作为空穴阻挡层对OLED器件效率和亮度的优化作用.DPVBi的引入有效地改善了以PEDOT:PSS做空穴注入层的OLED器件的空穴过剩问题.实验结果表明:通过优化DPVBi的厚度,插入30 nm厚的DPVBi空穴阻拦层可以有效地平衡OLED器件的电子和空穴浓度,降低器件的工作电压,优...