光折变聚合物中载流子特性对空间电荷场的影响

根据适用于光折变聚合物系统的空间电荷场形成的动力学微分方程,将陷阱情况分为四类,分别讨论了光折变聚合物中光生载流子的量子产生效率及其迁移率对空间电荷场的稳态和动态特性的影响.结果发现空间电荷场的稳态特性相对于光生载流子的量子产生效率的变化比较敏感,而空间电荷场的动态特性则易受到载流子的迁移变化的影响.     

Q有机聚合物材料中光生载流子传输的跳跃输运

本文描述了跳跃模型在有机聚合物光折变材料中空间电荷场理论上的应用.在Feinberg针对无机光折变晶体提出的电荷传输过程模型-跳跃模型(Hopping Model)基础上,根据有机聚合物光折变材料的特点,考虑了光生载流子产生过程中的电子空穴对的复合过程(对复合和双分子复合过程)和激发光场的频率(即激发光子的能量)对光生载流子产生的影响,给出了有机聚合物材料中光生载流子产生的量子效率和光生载流子的分布密度及其跳跃率的新表示,完成外加调制光场和静电场同时作用下有机聚合物材料中光生载流子传输的跳跃方程,得到空间电荷场建立的动态过程和稳态时的解析表达式及其数值计算结果.     

量子阱中光生载流子的瞬态衰减过程与发光效率

提出了量子阱系统中包括非辐射复合效应和载流子屏蔽效应在内的光生载流子瞬态复合过程的唯象模型．结果表明，荧光衰退时间与样品质量、掺杂浓度以及激发光强度有着密切的联系 关键词：     

In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器量子效率的理论仿真分析

研究了材料参数对In0.53Ga0.47As光电探测器量子效率的影响。分析发现量子效率的变化主要取决于入射光的方向,P区与N区载流子浓度以及各区的表面复合速度和厚度。当光从P区入射时,P区载流子的表面复合速度、载流子浓度以及厚度对量子效率均产生极大的影响。N区材料参数对量子效率也有轻微的影响。在高载流子浓度范围内(n1017cm-3),表面复合速度和厚度是主要影响因素。当光从N区入射时,载流子浓度n1017cm-3时,N区表面复合速度为影响量子效率的主要因素;而当载流子浓度n1016cm-3时,对量子效率产生影响的主要因素为材料厚度。     

(110)-GaAs量子阱中光生载流子对电子自旋弛豫的影响

我们实验研究了(110)-GaAs量子阱中光生载流子对电子自旋弛豫的影响。通过测量量子阱的荧光寿命和光学吸收计算,我们能得到不同泵浦光功率下的带间吸收所产生的空穴浓度;相对应地,通过双色磁光科尔旋转技术,我们测量了该GaAs量子阱中电子自旋的动力学过程。结合两者,我们得到了电子自旋弛豫速率与空穴浓度的关系。实验结果表明电子自旋弛豫速率与空穴浓度呈线性依赖关系,验证了BirAronov-Pikus机制主导该体系的电子自旋弛豫。     

用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

卤化银材料光作用过程的时间分辨谱测量

卤化银材料是重要的光信息材料，对于信息科学与技术的发展具有非常重要的作用。光作用过程的时间特性在很大程度上决定了卤化银材料性能的优劣。本文采用微波吸收技术来测量卤化银材料光作用过程的时间特性。卤化银材料样品被放入微波谐振腔中，在准分子激光的作用下，卤化银材料中生成了光生载流子，光生载流子的产生改变了卤化银材料的介电函数。因此，介电函数的变化体现光生载流子时间特性的信息，同时，介电函数的变化引起微波谐振腔品质因数的改变，品质因数的改变使腔输出了一个反射波，反射波包含卤化银材料光作用时间特性的信息，通过测量反射波、我们能获得卤化银材材料光作用过程的时间分辨谱并研究光作用过程的时间特性。本文获得了卤化银材料光作用过程的时间分辨谱，并对黑白、彩色和X－光片的光作用时间特性进行了分析。     

X光CCD响应特性

在北京同步辐射源上建立了Ｘ光ＣＣＤ量子效率实验标定方法,获得了１５０ｅＶ～１５００ｅＶ能区范围多个Ｘ光能点的量子效率实验结果,发展了Ｘ光ＣＣＤ量子效率简化计算模型,并对Ｘ光ＣＣＤ表面油沾污对量子效率的影响进行了实验研究和修正。     

发光光谱研究不同粒径CdS量子点与钴肟分子间的电荷转移

本文使用稳态及时间分辨发光光谱研究CdS量子点-钴肟(CoⅢ(dmgH)2(3-(OH)py)Cl)分子耦合光催化产氢体系中CdS量子点粒径大小在CdS-钴肟分子间电荷转移中的作用。粒径为3.9,4.4和5.0nm的CdS量子点都表现出带边发光及长波处的橙色缺陷发光。随CdS量子点粒径的减小,带边发光减弱,缺陷发光增强,且小粒径量子点表现出了更长的发光寿命。钴肟分子的引入迅速猝灭CdS量子点的带边发光和缺陷发光,且缺陷发光的猝灭常数比带边发光更大。CdS量子点的粒径越小,发光猝灭的效率越高。这些结果证明,CdS量子点的自由载流子和束缚载流子都可以转移到钴肟分子上,且束缚载流子的转移效率更高。CdS量子点粒径越小,CdS向钴肟分子的光生电荷转移效率越高。     

半导体中相干控制光电流对光场的偏振依赖性

采用黄金定则方法和Kane六能带模型，分析了半导体中的量子干涉控制光生电流效应.计算了不同偏振光场下载流子在动量空间的初始布居分布，从微观上阐明了相干电流对光场的偏振依赖特性.在平行线偏振情况下，相干电流方向沿光场的偏振方向；而在正交线偏振情况下，电流方向与倍频光的偏振方向相同.还证明了只有当单光子跃迁和双光子跃迁相平衡时才能获得最大的电流注入效率. 关键词： 量子干涉 光电流 线偏振光     

Quantum efficiency and signal bandwidth of thallium atomic line filters

We derive a new, simplified method for the computation of trapping effects in coupled three-level atomic systems. The linearity of the Holstein radiation trapping equation allows the reduction of the general rate equation to the solution of the basic two-level Holstein equation and to an algebraic eigenvalue problem. The method is applied to the numerical simulation of the quantum efficiency and the signal bandwidth of thallium atomic line filters. With a pumping scheme that achieves population inversion between the ground state and the metastable state, 90% quantum efficiency and 10 MHz signal bandwidth can be achieved, while in noninverting pumping schemes, even quite high pump intensities result in less than 60% quantum efficiency and 8 MHz signal bandwidth. A tradeoff between quantum efficiency, signal bandwidth and pump power is possible.     

Photon trapping photodiode design in HgCdTe mid-wavelength infrared focal plane array detectors

Photon trapping photodiode design in HgCdTe mid-wavelength infrared focal plane array detectors is investigated in this work, utilizing the finite-difference time-domain technique. The quantum efficiency and the current–voltage characteristics have been numerically simulated, using Crosslight Technology Computer Aided Design software. Simulation results indicate that dark current is reduced more significantly in the photon trapping photodiode than in the mesa photodiode while maintaining the same quantum efficiency.     

Ion trapping for quantum information processing

In this paper we have reviewed the recent progresses on the ion trapping for quantum information processing and quantum computation. We have first discussed the basic principle of quantum information theory and then focused on ion trapping for quantum information processing. Many variations, especially the techniques of ion chips, have been investigated since the original ion trap quantum computation scheme was proposed. Full two-dimensional control of multiple ions on an ion chip is promising for the realization of scalable ion trap quantum computation and the implementation of quantum networks.      

Fluorescence reabsorption and its effects on the local effective excitation lifetime

A spectral theory of fluorescence reabsorption is presented that allows us to describe the effects of radiation trapping, which especially occurs in barrel-polished laser rods, as an effective change of the excitation lifetime. This effect causes a local fluorescence lifetime difference in the laser medium and thus a local change in the quantum efficiency. The theory is compared to experimental results obtained with an Er³⁺:YAG rod with good agreement.     

Efficiency at Maximum Power Output of a Quantum-Mechanical Brayton Cycle

The performance in finite time of a quantum-mechanical Brayton engine cycle is discussed, without intro- duction of temperature. The engine model consists of two quantum isoenergetic and two quantum isobaric processes, and works with a single particle in a harmonic trap. Directly employing the finite-time thermodynamics, the efficiency at maximum power output is determined. Extending the harmonic trap to a power-law trap, we find that the efficiency at max/mum power is independent of any parameter involved in the model, but depends on the confinement of the trapping potential.     

芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列

提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s^-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化、集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算、低维物理等方面有应用价值.     

低强度飞秒激光激发下CdTe和CdTe/CdS核壳量子点的荧光上转换研究

利用400 nm和800 nm不同波长的低强度飞秒激光,对CdTe和CdTe/CdS核壳量子点溶胶进行激发,研究其稳态和时间分辨荧光性质.800 nm飞秒激光激发下,CdTe和CdTe/CdS核壳量子点产生上转换发光现象,上转换荧光峰与400 nm激发下的荧光峰相比蓝移最多达15 nm,而且蓝移值与荧光量子产率有关.变功率激发确认激发光功率与上转换荧光强度间满足二次方关系,时间分辨荧光的研究表明荧光动力学曲线服从双e指数衰减.提出表面态辅助的双光子吸收模型是低激发强度上转换发光的主要机理.CdTe和CdT 关键词： CdTe量子点 CdTe/CdS核壳量子点 时间分辨荧光 上转换荧光     

Quantum motions of ultracooled atoms in resonant laser field

The analysis has been made of quantum motions of cooled atoms in a resonant light field. The existence of the band structure of energetic levels is predicted of quantum atom motions in a standing light wave field. Cooling and trapping of atoms has been described from the quantum point of view. The possibility of detection r.f. photons on the transitions of ultracooled atoms and molecules in a standing light wave field is proposed.     

晶硅太阳电池中Fe-B对与少子寿命、陷阱浓度及内量子效率的相关性

以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命τ、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率（IQE）的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿命分布;对于双面扩散后的样品,Fe-B对浓度显著降低（在135×10¹¹ cm^-3左右）,已不及其他杂质和缺陷对少子寿命的影响.结合瞬态微波衰减信号和陷阱模型,对单、双面吸杂前后硅片的陷阱浓度进行数值计算,发现经过扩散 关键词： 少子寿命 陷阱浓度 内量子效率 Fe-B对     

Dynamic trapping of light in modulated waveguide lattices

A discrete analogue of the dynamic (Kapitza) trapping effect, known for classical and quantum particles in rapidly oscillating potentials, is proposed for light waves in modulated graded-index waveguide lattices. In particular, it is shown that, while a graded-index potential in a nonmodulated waveguide lattice can confine light at either normal or Bragg angle incidence, periodic modulation of the potential in the longitudinal direction enables one to trap optical beams at both normal and Bragg incidence angles.