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芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列
引用本文:吴言,刘思琪,李胜强.芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列[J].计算物理,2019,36(4):483-490.
作者姓名:吴言  刘思琪  李胜强
作者单位:盐城师范学院新能源与电子工程学院, 江苏 盐城 224007;盐城师范学院新能源与电子工程学院, 江苏 盐城 224007;盐城师范学院新能源与电子工程学院, 江苏 盐城 224007
基金项目:国家自然科学基金青年科学基金(11504318)及江苏省大学生创新创业项目(201710324001Y)资助
摘    要:提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化、集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算、低维物理等方面有应用价值.

关 键 词:冷极性分子  静电表面阱  微阱阵列  蒙特卡罗(MonteCarlo)模拟
收稿时间:2018-04-09
修稿时间:2018-06-02

Electrostatic Trap and Microtrap Arrays for Cold Polar Molecules on a Chip Surface
WU Yan,LIU Siqi,LI Shengqiang.Electrostatic Trap and Microtrap Arrays for Cold Polar Molecules on a Chip Surface[J].Chinese Journal of Computational Physics,2019,36(4):483-490.
Authors:WU Yan  LIU Siqi  LI Shengqiang
Institution:School of New Energy and Electronic Engineering, Yancheng Teachers University, Yancheng 224007, Jiangsu, China
Abstract:An electrostatic surface trap for cold polar molecules with three charged poles is proposed. Distance between trap center and chip surface can be manipulated conveniently by altering voltages applied to the poles. Dynamic process of loading and trapping is simulated with classic method of Monte Carlo. It indicates that a loading efficiency of 40% for ND3 molecular beam with middle velocity of 11 m·s-1 is reached. Corresponding temperature of trapped molecules is about 25 mK. Our scheme can be further miniaturized and integrated to form one-dimensional and two-dimensional microtrap arrays which can be used in quantum computing and low-dimensional physics research.
Keywords:cold polar molecules  electrostatic surface trap  microtrap array  Monte Carlo simulation  
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