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1.
2.
定向凝固技术是制备太阳能级多晶硅的主要制备技术.在该技术路线之中,优化多晶铸锭炉的热场结构和控制硅熔体的对流形态是获得高品质多晶硅的有效途径之一.本文设计了三种热场保温层,通过分析不同保温层下坩埚内硅熔体的热场、流场、固液界面、氧含量等的变化,确定了优化的保温层结构.研究发现,在传统固化碳毡保温层中引入石墨层可以使多晶炉内形成两个“热源”,提高多晶炉的热效率,使其能耗降低了38.5;;在洛伦兹力的作用下硅熔体中仅存在一个上下贯通的涡流,有利于硅中杂质原子的挥发.同时,添加石墨保温层后固液界面的形状由“W”状转变为凹状,其上的氧含量有所降低,并且V/Gn值在整个固液界面范围内均大于临界值,可以有效抑制氧沉淀.可见,在感应加热多晶硅生长系统中,采用固化碳毡+石墨保温层时,有利于降低多晶硅的生产成本并提高多晶硅的品质. 相似文献
3.
介绍了一种条带束流位置监测器(BPM)的设计与仿真方法。在国家同步辐射实验室"太赫兹近场高通量材料物性测试系统"工程项目中,针对波荡器出口处真空室非正交对称性的问题,设计了矩形真空室和跑道形真空室下的两种非正交对称性条带BPM,并与传统的圆形真空室下条带BPM进行对比。基于边界元法,利用MATLAB软件分别对三种真空室下的条带BPM进行建模和仿真。仿真结果表明:相对于传统的圆形真空室下条带BPM,矩形和跑道形真空室下条带BPM灵敏度提高了30%,阻抗匹配误差相对降低了20%,束流位置拟合误差降低了80%。考虑加工精度,矩形真空室下的条带BPM更适用于该工程。 相似文献
4.
为了获得用于研究再入飞行器热防护系统的感应耦合等离子体风洞流场数据,基于流场、电磁场和化学场的多场耦合建立了非平衡态感应耦合等离子体数值模型。利用该模型对不同入口质量流率和不同工作压力下的感应耦合等离子体进行了数值模拟,得到了相应工作参数下感应耦合等离子体温度与速度的分布特性。计算结果表明:等离子体中心线上的速度随着入口质量流率的增大而增大,而随着工作压力的增大而减小;同时,等离子体中心线上的温度随着入口质量流率的增大而减小,而随着压力的增大先减小后增大。这些结果可为感应耦合等离子体风洞优化设计及其工业应用提供理论指导。 相似文献
5.
6.
介绍了工作电压为120kV的大电流同轴场畸变开关的设计参数及实验结果。结果表明:开关设计可靠,结构合理,可在几十千伏至一百二十千伏范围内稳定运行,在特定的运行条件下动作时延小于70ns,时间抖动小于3ns。 相似文献
7.
感应耦合等离子刻蚀技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数。 相似文献
8.
介绍了10MeV直线感应加速器使用的BITBUS局域网与STD总线工业控制微机组成的分布式分级监控系统。简要回顾了该系统建成以来的工作情况,总结了系统设计的优点和成功之处,也指出了有待进一步改进提高的地方。同时,分析了该系统扩展、提高之后,应用于更大规模的LIA监控的可行性,并给出一个同时监控两台LIA系统的设计方案。 相似文献
9.
10.
直线感应加速器束包络的计算编码(ABC)能给出束流从注入器经加速器直到最后聚焦的包络图,可以方便地研究各种磁场位形及隙压参数对束流输运的影响。作为算例,本文给出了束流为3kA,在长达40余米直线感应加速器的多种磁场位形下的束包络。束包络的计算对调试加速器磁场位形保证束流的正常输运及抑制束流不稳定性可提供帮助。 相似文献