全文获取类型
收费全文 | 4605篇 |
免费 | 706篇 |
国内免费 | 2650篇 |
专业分类
化学 | 5865篇 |
晶体学 | 116篇 |
力学 | 35篇 |
综合类 | 69篇 |
数学 | 30篇 |
物理学 | 1846篇 |
出版年
2024年 | 81篇 |
2023年 | 310篇 |
2022年 | 294篇 |
2021年 | 325篇 |
2020年 | 234篇 |
2019年 | 235篇 |
2018年 | 146篇 |
2017年 | 170篇 |
2016年 | 169篇 |
2015年 | 217篇 |
2014年 | 371篇 |
2013年 | 401篇 |
2012年 | 314篇 |
2011年 | 337篇 |
2010年 | 285篇 |
2009年 | 270篇 |
2008年 | 293篇 |
2007年 | 281篇 |
2006年 | 267篇 |
2005年 | 270篇 |
2004年 | 241篇 |
2003年 | 307篇 |
2002年 | 266篇 |
2001年 | 266篇 |
2000年 | 178篇 |
1999年 | 141篇 |
1998年 | 149篇 |
1997年 | 152篇 |
1996年 | 134篇 |
1995年 | 110篇 |
1994年 | 94篇 |
1993年 | 112篇 |
1992年 | 108篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 79篇 |
1989年 | 109篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 21篇 |
1986年 | 33篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 20篇 |
1983年 | 21篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 2篇 |
排序方式: 共有7961条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
纳米级自旋电子学材料取得重要进展 总被引:1,自引:0,他引:1
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料,故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视.文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展:通过大规模系统的高精度第一原理计算,作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性,并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料,便于应用于纳米级自旋电子学器件。 相似文献
4.
5.
6.
7.
室温下,通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3),经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质,并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。 相似文献
8.
报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
9.
We analyse the influence of properties of organic/organic interface (OOI) on the characteristics of recombination efficiency of organic double-layer light-emitting diodes. Based on the disordered hopping theory model, spatial and energetic disorder of hopping states are also discussed for the case of space charge limited currents in hole transmitting layers but injection-limited currents in electron transporting layers. The results show that the recombination efficiency increases firstly and then decreases for different OOI parameters, and there is a maximum value changed with different spatial disorder parameters and energetic disorder scale. Different spatial disorder parameters make carrier mobilities change greatly, and the energetic disorder scale causes various localized state densities. Our calculated results are qualitatively in agreement with the experimental data. 相似文献
10.