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1.
高端芯片制造所需要的极紫外光刻技术位于我国当前面临35项"卡脖子"关键核心技术之首.高转换效率的极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分.本文通过采用双激光脉冲打靶技术实现较强的6.7 nm极紫外光输出.首先,理论计算Gd18+—Gd27+离子最外层4d壳层的4p-4d和4d-4f能级之间跃迁、以及Gd14+—Gd17+离子最外层4f壳层的4d-4f能级之间跃迁对波长为6.7 nm附近极紫外光的贡献.其后开展实验研究,结果表明,随着双脉冲之间延时的逐渐增加,波长为6.7 nm附近的极紫外光辐射强度呈现先减弱、后增加、之后再减弱的变化趋势,在双脉冲延时为100 ns处产生的极紫外光辐射最强.并且,在延时为100 ns处产生的光谱效率最高,相比于单脉冲激光产生的光谱效率提升了33%.此外,发现双激光脉冲打靶技术可以有效地减弱等离子体的自吸收效应,获得的6.7 nm附近极紫外光谱宽度均小于单激光脉冲打靶的情形,且在脉冲延时为30 ns时刻所产生的光谱宽度最窄,约为单独主脉冲产生极紫外光谱宽度的1/3.同时... 相似文献
2.
本研究采用水热法,以柠檬酸为螯合剂,通过控制n(Sn4+)/n(Sn2+)的数值,合成了由具有丰富氧空位的SnO2纳米晶体组装成的微球。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)及UV-Vis漫反射光谱对SnO2纳米微球进行表征分析,结果表明:在酸性水热条件和柠檬酸的螯合作用下,二氧化锡纳米晶体聚集形成微球;在Sn4+/Sn2+摩尔比例为3:7时,其微球尺寸最小,整体分散性较好;同时适量二价锡离子的掺杂使得该样品氧空位浓度达到最佳,氧空位的存在将使得样品光吸收范围拓展至可见光,因而该样品显示出较强的可见光催化效率,在8 min内完全降解甲基橙。 相似文献
3.
Zhang Jia-Rui Zhang Jia-Qi Zheng Zhao-Lin Lin Da Shen Yu-Jia 《Nonlinear dynamics》2022,108(2):1005-1026
Nonlinear Dynamics - Parametrically excited oscillators are used in several domains, in particular to improve the dynamical behaviour of systems like in the case of the parametric amplification or... 相似文献
4.
Duh Yih-Shing Lin Ying-Cih Ho Ta-Cheng Kao Chen-Shan 《Journal of Thermal Analysis and Calorimetry》2022,147(21):12005-12018
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry - Thermal runaway phenomena of the Panasonic 21,700 LiNi0.8Co0.15Al0.05O2 lithium-ion batteries with 100, 50 and 25% capacity were studied under thermal... 相似文献
5.
Nonlinear Dynamics - The modal truncation is usually used in the dynamic response analysis of flexible multibody systems, in which, appropriate selection of modal shapes is very critical to achieve... 相似文献
6.
Luo Laizhen Wang Jiamei Zhang Lin Jing Yangping 《International Journal of Theoretical Physics》2021,60(7):2642-2652
International Journal of Theoretical Physics - In this paper, we will consider the exact calculation of differential entropy of induced random state ensemble by partial tracing a subsystem over... 相似文献
7.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。 相似文献
8.
9.
Mathematical Programming - We provide a control-theoretic perspective on optimal tensor algorithms for minimizing a convex function in a finite-dimensional Euclidean space. Given a function... 相似文献
10.
Asymmetric mode transformation in waveguide is of great significance for on-chip integrated devices with one-way effect, while it is challenging to achieve asymmetric nonlinear-mode-conversion (NMC) due to the limitations imposed by phase-matching. In this work, we theoretically proposed a new scheme for realizing asymmetric NMC by combining frequency-doubling process and periodic PT symmetric modulation in an optical waveguide. By engineering the one-way momentum from PT symmetric modulation, we have demonstrated the unidirectional conversion from pump to second harmonic with desired guided modes. Our findings offer new opportunities for manipulating nonlinear optical fields with PT symmetry, which could further boost more exploration on on-chip nonlinear devices assisted by non-Hermitian optics. 相似文献