微纳器件热传导中的基础物理问题

纳米功能器件中的温度控制已经成为世界各国迫切需要解决的关键技术.在文章中,作者简单回顾了纳米器件发展的历程和现状;以碳纳米管和石墨烯为例,重点介绍了纳米尺度热传导研究中的一些基础物理问题,以及近年来该领域中一些热点研究方向和新奇物理效应.同时,还讨论了影响纳米材料热传导性质的主要物理机制.研究这些系统本身的热传导特性,不仅对于深入理解纳米尺度能量输运的基本物理原理具有重要意义,而且与微纳电子器件的未来发展密切相关,具有广阔深远的应用前景.     

我国数学类专业的教育改革

引　言1 994年原国家教委高教司制定了“高等教育面向 2 1世纪教学内容和课程体系改革计划” ,并要求各高等院校各专业以专题立项的形式参加此项改革工作 .1 995年经过批准 ,由北京大学、复旦大学、吉林大学、中国科技大学、北京师范大学、南开大学、四川大学、西安交通大学、武汉大学、浙江大学、厦门大学、西北大学、河北大学、云南大学等 1 4所大学的数学系 (或应用数学系、统计系 )联合组成了“面向 2 1世纪数学类专业教学内容和课程体系改革”项目组 .项目组负责人是北京大学姜伯驹院士 .项目组成立后 ,对我国大学数学类专业的教学状况…     

部分穿透井的稳定自由边界问题

<正> 井打入地下含水层中,随着抽水时间之延长,无压水的自由水面便趋于一个稳定状态.此时地下水的运动,归结为一个椭圆型方程的自由边界问题.Cryer 和 Zhou 在文[2]中研究了部分穿透井(即抽水井未打到含水层的底板)的情况,证明了相应的自由边界问题的解存在.本文的第一部分证明该问题的解还是唯一的.其次,在文[2]所讨论的问题中,井水位是作为已知数据出现的.可是由于抽水的干扰,井水位难以准确获得,而水泵却能较方便地测定抽水量.为此,本文的第二部分讨论,在井水位未知而抽水量已知的     

三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究

利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev-1,不含有antidot阵列)和器件二(Dev-2,含有周期较大的antidot阵列)是始终由一个导电通道主导的量子输运系统,但在器件三(Dev-3,含有周期较小的antidot阵列)中能明确观察到较低温度下存在两个独立的导电通道,而在较高温度下Dev-3表现为由一个导电通道主导的量子输运系统.     

TRANSPORT PROPERTIES OF μc-Si:H FILMS PREPARED BY VERY HIGH HYDROGEN-DILUTED SILANE PLASMA

Highly hydrogen-diluted silane plasma is used to fabricate microcrystalline silicon films in a plasma-enhanced chemical vapour deposition system. X-ray diffraction and micro-Raman scattering spectroscopy are utilized to characterize their microstructure properties. Dark conductivity and drift mobility are measured by the travelling wave method. With the decreasing gas flow ratio of silane-to-hydrogen from 2% to 0.2%, the crystalline volume fraction and the drift mobility increase at room temperature. Meanwhile, the dark conductivity increases initially and then decreases. The relationship between the microstructures and transport properties is discussed.     

工科化学化工实践-实验教学模式探讨

对目前工科化学化工类实验的实践教学情况进行了分析,探索了集化学、化工、制药学科为一体的具有化工特色的“三层次、五模块”的实验课程体系,构建了实训－实验－实践-创新的实验教学新模式。     

无界区域上非稳定井流的自由边界问题

<正> 本文考虑区域为无界时的非稳定井流自由边界问题.当区域有界时,相应问题已有不少研究成果,例如非稳定水坝问题([9][4][5][10]),非稳定井流问题([6]等.当区域扩展成无界时,问题的讨论有新的难点.本文试图对这类问题的处理方法作初步研究.     

可压缩井流问题解的正则性

在文献[1]中利用[2-4]中引进的Torelli变换把可压缩井流问题归结为一个发展型变分不等方程,研究了解的存在唯一性,本文在此基础上研究解的正则性。     

A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet

We report on the transport study of a double quantum dot (DQD) device made from a freestanding, single crystalline InSb nanosheet. The freestanding nanosheet is grown by molecular beam epitaxy and the DQD is defined by the top gate technique. Through the transport measurements, we demonstrate how a single quantum dot (QD) and a DQD can be defined in an InSb nanosheet by tuning voltages applied to the top gates. We also measure the charge stability diagrams of the DQD and show that the charge states and the inter-dot coupling between the two individual QDs in the DQD can be efficiently regulated by the top gates. Numerical simulations for the potential profile and charge density distribution in the DQD have been performed and the results support the experimental findings and provide a better understanding of fabrication and transport characteristics of the DQD in the InSb nanosheet. The achieved DQD in the two-dimensional InSb nanosheet possesses pronounced benefits in lateral scaling and can thus serve as a new building block for the developments of quantum computation and quantum simulation technologies.     

关于非均质水坝问题

本文研究带有蒸发或降雨补给、底板不隔水且具有一般几何形状的非均质水坝自由边界问题,证明了解的存在性、唯一性及解和自由边界的其他性质.