合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85;)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.     

水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素

在水热条件下成功合成了氮化硼晶体 ,为了优化实验条件 ,本文对实验过程中的影响因素进行了研究 ,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间。通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道 ,当反应原料摩尔配比N2 H4·H2 O∶H3 BO3 ∶NaN3 ∶NH4Cl为 1∶1∶3∶1时 ,在 4 0 0℃下反应 4 8h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件。     

InGaAs/InP异质结界面层的应变研究

采用液态的叔丁基砷（tertiarybularsine,TBAs）和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine,TBP）为源材料,用有机金属气相外延（metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE）生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InGaAs与InP单异质结界面处,存在一个压应变的界面层. 可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果. 该结果表明,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响.为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变,它先把Ⅲ族源转入反应室,以此来降低TBAs对InP表面的影响,由此得到的超晶格的平均应变减小,光致发光的峰值能量出现蓝移.     

基于石墨烯可饱和吸收被动锁模超快全固体激光器的研究

石墨烯具有饱和恢复时间极短、导热性好、吸收带宽、损耗低、成本低廉且容易制备等优点,被认为是光电子应用中理想的半导体可饱和吸收体材料,近几年受到广泛的关注。介绍了本课题组最近在石墨烯锁模超快全固体激光器研究中取得的一些进展。在用液相剥离方法成功制备出尺寸大于20μm的石墨烯薄片的基础上,将其应用于全固态Nd∶GdVO4激光器,实现了脉宽16 ps、平均功率360 mW的锁模激光输出,单脉冲能量为8.4 nJ;继而在宽带增益介质Yb∶KGW晶体中又实现了脉宽为489 fs的超快激光,平均功率564 mW。     

利用水引发固相反应方法合成氮化铝纳米粉

以AlCl3和Li3N为前驱物，利用过量Li3N与水反应大量放热现象，引发两种前驱物之间的固相反应合成了AlN纳米粉．X射线衍射分析、红外吸收光谱、透射电子显微镜以及X射线光电子能谱测试结果表明，利用这种新的合成方法制备的氮化铝主要是六方相，而且颗粒细小．另外，这种方法反应迅速、操作过程简便，有利于降低制备成本和扩大制备规模．     

HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素.采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果.     

基于石墨烯可饱和吸收被动锁模超快全固本激光器的研究

石墨烯具有饱和恢复时间极短、导热性好、吸收带宽、损耗低、成本低廉且容易制备等优点,被认为是光电子应用中理想的半导体可饱和吸收体材料,近几年受到广泛的关注.介绍了本课题组最近在石墨烯锁模超快全固体激光器研究中取得的一些进展.在用液相剥离方法成功制备出尺寸大于20 μm的石墨烯薄片的基础上,将其应用于全固态Nd:GdVO4...     

A novel route to synthesize diphenylene by the catalytic effect of GaP nanocrystals

Diphenylene was synthesized directly from benzene under the catalytic effect of GaP nanocrystals, and the effect of GaP nanocrystals content was studied. The experimental results showed that no reactions took place without GaP nanocrystals. The more the GaP nanocrystals added, the more the reaction complete. Furthermore, at high temperatures (450-480℃), when the content of GaP nanocrystals was high enough, almost all benzene polymerized and the yield of diphenylene was rather high. On the contrast, even if there are enough GaP nanocrystals in the reaction mixture, almost no polymerization reaction took place at low temperature (for example, 250-300℃), and the yield of diphenylene was very poor. The analytical results of XRD, IR, elemental analysis and NMR proved that the sample was truly diphenylene.     

InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine

Lattice-matched InGaAs/lnP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine (TBAs), tertiarybutylphosphine (TBP) as the group V sources. The results of X-ray diffraction on InGaAs/lnP single herterostructure show that there is a compressive-strained interfacial layer at the InP-to-InGaAs interface. X-ray diffraction of InGaAs/ InP superlattices is successfully simulated by using the same interfacial layer. TBAs purging of InP surface has a significant influence on the interfacial strain. A novel gas switching sequence, which switches group III to the run line earlier than TBAs, is proposed to reduce this interfacial strain. As a result, the average compressive strain of superlattices decreases, and a blue shift of photoluminescence ( PL) peak energy and narrowing in PL width are obtained.