立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究

低温(280℃)条件下,通过二甲苯中AlCl3和NaN3的反应制备出了AlN纳米微粒.700℃退火48h后,得到了纯的立方相AlN纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,验证了立方相AlN纳米晶的生成.经XRD和TEM分析,纳米晶的平均粒度约为3nm.色质联(GC-MS)检测结果显示,由于AlN纳米颗粒对二甲苯的催化作用,使二甲苯发生聚合和杂化环反应,得到了二联苯、萘、蒽、三甲基咔唑及咔唑胺等多环芳烃.作为对比实验,分别研究了NaN3和AlCl3对二甲苯的催化性能,发现没有多环芳烃的生成.     

溶剂热合成氮化硼纳米晶过程中氮源种类的影响

以NaNH2和BC l3为原料,利用溶剂热方法合成了六方氮化硼纳米微晶,并用红外吸收光谱(FTIR)、X射线粉末衍射(XRD)方法分析了微粒的结构,利用透射电子显微镜(TEM)观测了BN微粒的粒度和微观形貌。与早期用L i3N为氮源合成的氮化硼(产物中具有较多纳米棒)相比,本文中制备的氮化硼纳米晶主要呈球形,颗粒粒度明显增大,而且产率有较大幅度的提高。     

纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光

低温常压下,在有机溶剂中制备出了氮化铝纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,样品中立方相和六方相共存;经XRD和TEM分析,样品中颗粒的平均粒度约为50nm;在样品的PL谱中,在475nm有一个非常强的由氮空位引起的发射峰,而在550nm有一个由AlN的本征缺陷及纳米颗粒的表面效应引起的宽且弱的发射峰.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.     

利用纳米晶的催化性质合成二联苯

利用GaP纳米晶的表面催化作用, 从苯直接合成了二联苯, 并研究了合成反应过程中GaP纳米晶含量的影响. 结果表明：在没有GaP纳米晶时, 直到480℃也没有观察到苯的明显聚合; 而当有GaP纳米晶存在时, 参与聚合反应的苯的数量与GaP纳米晶的含量成正比, 在足够高的GaP纳米晶含量情况下, 高温(450~480℃)时苯几乎完全发生聚合, 而且二联苯的相对产率较高; 与之相反, 在低温条件(250~300℃)下, 即使有足够的GaP纳米晶存在, 苯也只有少量发生聚合, 二联苯的相对产率迅速降低. 对样品所做的红外、核磁共振、以及元素分析证实了样品是二联苯.     

Graphene Q-switched 0.9-μm Nd:La_(0.11)Y_(0.89)VO_4 laser

Graphene saturable absorber(SA) is used as the passive Q-switcher of a 0.9-μm solid-state laser.When the laser medium is a Nd:La0.11Y0.89VO4 crystal,the initial transmittance of the graphene SA is 78%;at an absorbed pump power of 7.62 W,the maximum average output power,largest pulse energy,and minimum pulse width are 0.62 W,2.58μJ,and 84 ns,respectively.This study shows that graphene is a promising and cost-saving SA for 0.9-μm pulse generation.