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专业分类

晶体学

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出版年

2003年

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合成GaP纳米晶过程的关键影响因素 总被引：1，自引：1，他引：0

刘振刚于美燕白玉俊郝霄鹏王琪珑于乃森崔得良《人工晶体学报》2003,32(3):224-227

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85;)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控. 相似文献