助催化剂Co与单晶MoS_2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用

为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS_2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了E_F能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在E_F附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS_2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。