InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。     

2＋1维双线性Sawada—Kotera方程的对称结构

对一类２＋１维双线性方程从两个不同程度建立了形式级数对称理论。从一已知的时间无关对称出发或从与一维空间坐标有关的任意函数发出，均可得到了包含时间任意函数的形式级数对称。对于２＋１维双线性Ｓａｗａｄａ－Ｋｏｔｅｒａ方程，存在６个载断对称。这些截断对称构成一无究维李代数。一些有意义的子代数（如Ｖｉｒａｓｏｒｏ代数等）也被给定。     

Kaup—Kupershmidt方程的对称代数

利用Ｍｉｕｒａ变换和Ｃｏｌｅ－Ｈｏｐｆ变换，证明了Ｋａｕｐ－Ｋｕｐｅｒｓｈｍｉｄｔ方程的１０族时间无关对称构成一个非Ａｂｅｌ李代数，与１０族对称相应的１０族方程具有共同的强对称。１０族可积模型的时间无关对称及其构成的李代数亦被给定。     

非晶SiO_2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究

利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论(TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰.     

Er离子注入GaP,GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

近年来掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,[1,2]其中又由于Er3+的4I13/2—4I15/2的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012～1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.     

非晶SiO2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究

利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷（SGs）可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论（TDDFT）对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰。     

GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。     

高精细度光学参考腔的自主化研制

高精细度超稳光学参考腔是获得超窄线宽激光的核心部件.本文报道了面向空间应用的高精细度球形超稳光学参考腔自主化研制及其初步测试结果.设计球形腔体直径为80 mm,腔长78 mm,采用平-凹腔镜结构,凹镜曲率半径为0.5 m.使用有限元方法计算了该参考腔的震动敏感度,最佳支撑位置的震动敏感度小于1×10~(-10)/g.采用超光滑表面三级抛光技术实现光学表面粗糙度小于0.4 nm(rms)的超精密加工,采用双离子束溅射法实现工作波长反射率大于99.999%、损耗小于4 ppm腔镜镀膜,干式光胶方法键合腔体和腔镜.利用扫腔线宽法和腔衰荡法对参考腔的线宽和精细度进行了测量,结果表明该参考腔的精细度约为195000,线宽为9.8 kHz.将698 nm半导体激光器锁定到该参考腔上测得其损耗5 ppm.与实验室进口同类型参考腔相比较,主要性能指标与其相当.     

Effect of a static pedestrian as an exit obstacle on evacuation

Building exit as a bottleneck structure is the last and the most congested stage in building evacuation. It is well known that obstacles at the exit affect the evacuation process, but few researchers pay attention to the effect of stationary pedestrians (the elderly with slow speed, the injured, and the static evacuation guide) as obstacles at the exit on the evacuation process. This paper explores the influence of the presence of a stationary pedestrian as an obstacle at the exit on the evacuation from experiments and simulations. We use a software, Pathfinder, based on the agent-based model to study the effect of ratios of exit width ($D$) to distance ($d$) between the static pedestrian and the exit, the asymmetric structure by shifting the static pedestrian upward, and types of obstacles on evacuation. Results show that the evacuation time of scenes with a static pedestrian is longer than that of scenes with an obstacle due to the unexpected hindering effect of the static pedestrian. Different ratios of $D/d$ have different effects on evacuation efficiency. Among the five $D/d$ ratios in this paper, the evacuation efficiency is the largest when $d$ is equal to $0.75D$, and the existence of the static pedestrian has a positive impact on evacuation in this condition. The influence of the asymmetric structure of the static pedestrian on evacuation efficiency is affected by $D/d$. This study can provide a theoretical basis for crowd management and evacuation plan near the exit of complex buildings and facilities.     

鸣鸣蝉（Oncotympana maculaticollis Motsch）发声肌动作特性的研究

本文由鸣鸣蝉发声肌的肌电图（ＥＭＧ）与同步鸣声的比较，揭示了其变音调鸣声与发声肌兴奋特性的关系．鸣鸣蝉的两侧发声肌交替收缩，在受控特性上为同步肌．惊鸣过程中发声肌ＥＭＧ的幅值平均为自发活动的２．６倍，宽度多数约增加１ｍｓ．与单峰ＥＭＧ对应的同步叫声第二陪音（ＵＰ２）主峰频率（ＭＰＦ）的幅值平均比双峰ＥＭＧ对应的同步叫声ＵＰＺ的ＭＰＦ约高９ｄＢ．同步叫声的潜伏期平均约为４．５ｍｓ．同时，双峰ＥＭＧ的首峰与第二峰融合后的演变过程中，第二峰的上升速率与首峰幅值呈显著性负相关，即随着首峰幅值的增高，第二峰的上升速率平均以３．４ｍＶ／ｍｓ递降．