| InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究 |
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| 引用本文： | 戴银,李林,苑汇帛,乔忠良,孔令沂,谷雷,刘洋,李特,曲轶,刘国军.InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究[J].光学学报,2014(11). |
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| 作者姓名： | 戴银 李林 苑汇帛 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 李特 曲轶 刘国军 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;艾强(上海)贸易有限公司; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60976038,61107054,61308051,61370043);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301) |
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| 摘 要： | 利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
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| 关 键 词： | 薄膜 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光 |
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