Mn替代对Dy2AlFe16－xMnx化合物的结构和磁性的影响

通过X射线衍射及磁测量手段研究了Dy₂AlFe_16-xMn_x化 合物的结构和磁性.研究结果表明Dy₂AlFe_16-xMn_x化合 物具有六角相的Th₂Ni₁₇型结构.对x=1，2的样品采用X射线热膨胀 测定法在104—647K的温度范围内测量了其热膨胀性质，发现这些化合物在低温下存在热膨 胀反常现象，在居里点附近出现负膨胀性质.对自发磁致伸缩的研究结果表明Dy₂AlFe_16-xMn_x化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩，随 着Mn含量的增加，其低温下的自发体磁致伸缩减弱.磁测量结果表明Mn的替代导致Dy_{2< /sub>AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降. 关键词： 2}AlFe_16-xMn_x化合物')" href="#">Dy₂AlFe_16-xMn_x化合物 反常热膨胀 自发磁致伸缩 自发磁化强度     

Er2AlFe16－xMnx化合物的磁性及反常热膨胀

通过X射线衍射及磁测量手段研究了Er₂AlFe_16-xMn_x(x=1，2，3，4，6，8)化合物的结构和磁性. 研究结果表明Er₂AlFe_16-xMn_x化合物具有六角相的Th₂Ni₁₇型结构. 采用X射线热膨胀测定法在103—654K的温度范围内测量了Er₂AlFe_16-xMn_x(x=1，2，3，4)化合物的热膨胀性质，发现这些化合物在低温下存在热膨胀反常现象，在居里点附近具有负膨胀性质. 对自发磁致伸缩的研究结果表明Er₂AlFe_16-xMn_x化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩，低温下自旋重取向的出现使得化合物的自发体磁致伸缩有所增强. 磁测量结果表明Mn的替代导致Er₂AlFe_16-xMn_x化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降，并且使得化合物的磁晶各向异性发生显著改变. 关键词： 2AlFe_16-xMn_x化合物')" href="#">Er₂AlFe_16-xMn_x化合物 反常热膨胀 自发磁致伸缩     

电弧炉制备的Sm2Fe17-xCrx化合物的结构与磁性

通过X射线衍射、磁测量等手段对电弧炉制备的不同热处理条件的Sm₂Fe_17-xCr_x（x=1—3）化合物的结构和磁性进行了研究.结果表明1050 ℃下退火5 d的Sm₂Fe_17-xCr_x（x=1—3）化合物具有菱方相的Th₂Zn₁₇型结构,同样温度下退 关键词： 2Fe_17-xCr_x化合物')" href="#">Sm₂Fe_17-xCr_x化合物 磁体积效应 居里温度 磁晶各向异性     

Pb1－xMnxSe薄膜的光学特性

采用分子束外延的方法在BaF₂(111)衬底上制备出了高质量的Pb_1-xMn_xSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明，Pb₁-xMn_xSe薄膜为立方相NaCl型结构，没有观察到MnSe相分离现象，薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小，Mn含量由Vegard公式得到.通 关键词： 1-xMn_xSe外延薄膜')" href="#">Pb_1-xMn_xSe外延薄膜 透射光谱 带隙 折射率     

MnxGe1－x稀磁半导体薄膜的结构研究

利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的Mn_xGe_1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明，在Mn的含量较低(7.0%)的Mn_0.07Ge_0.93样品中，只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰，而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn_0.25Ge_0.75和Mn关键词： 磁控溅射 XRD XAFS xGe_1-x稀磁半导体薄膜')" href="#">Mn_xGe_1-x稀磁半导体薄膜     

赝二元固溶体TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)的结构与磁性

采用电弧熔炼法在高纯氩气保护下合成了一系列TbGa_1-xGe_x(0≤x≤0.4)样品. X射线粉末衍射数据表明,样品均为正交晶系的CrB型结构,空间群为Cmcm. TbGa_1-xGe_x化合物的晶格常数随Ge含量的增加而线性减小,TbGa和TbGe赝二元系在0≤x≤0.4范围内形成固溶体. 化合物的顺磁居里温度以及有效磁矩由热磁测量结果确定. 相变温度由交流磁化率的测量获得. 随Ge含量的增加,化合物的相变温度单调下降. 变温X射线粉末衍射实验表明,x=0.2和0.3的样品在110—273K范围内无结构相变. 关键词： TbGa-TbGe 赝二元系 CrB结构 居里温度 磁化强度     

MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的Mn_xSi_1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8％和17％)样品中存在着Mn₄Si₇化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的Mn_xSi_1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn₄Si₇模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出Mn_xSi_1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在Mn_xSi_1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn₄Si₇化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子. 关键词： xSi_1-x磁性薄膜')" href="#">Mn_xSi_1-x磁性薄膜 分子束外延 XRD XANES     

过渡族元素掺杂BaTiO3-Tb1-xDyxFe2-y层状复合材料中的磁电效应

用溶胶-凝胶法制备1.0%mol Mn,Cr,Co掺杂 BaTiO₃(BTO)粉体,在1350℃下烧结成多晶陶瓷样品.X射线衍射和差示扫描量热分析表明,室温下掺杂BaTiO₃具有四方钙钛矿结构;居里点和相变潜热随Cr,Mn,Co掺杂逐渐降低.将掺杂BaTiO₃与Tb_1-xDy_xFe_2-y(TDF)胶合制成双层磁电复合材料,并研究了Cr:BTO-TDF,Mn∶BTO-TDF,Co:BTO-TDF层状复合材料中的磁电效应.实验表明,在340×80 A·m^-1偏置磁场下, Cr:BTO-TDF的横向磁电电压系数达到最大值586 mV·cm^-1·(80 A·m^-1)^-1.在400×80 A·m^-1偏置磁场下,Mn∶BTO-TDF和Co:BTO-TDF的横向磁电电压系数的最大值分别为480 mV·cm^-1·(80 A·m^-1)^-1和445mV·cm^-1·(80 A·m^-1)^-1.研究表明掺杂BaTiO₃-TDF层状复合材料中具有较强的磁电耦合.作为无铅压电材料,掺杂BaTiO₃制备的磁电效应器件颇具应用前景. 关键词： 磁电效应 双层复合材料 3')" href="#">掺杂BaTiO₃ 1-xDy_xFe_2-y')" href="#">Tb_1-xDy_xFe_2-y     

Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn_1-xCo_xO (x＝0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn₁-xCo_xO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn_1-xCo_xO 稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn_1-xCo_xO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn_1-xCo_xO产生室温铁磁性的主要原因. 关键词： 1-xCo_xO稀磁半导体')" href="#">Zn_1-xCo_xO稀磁半导体 X射线吸收精细结构谱 脉冲激光气相沉积法     

Fe掺杂量对双层复合结构BaTi1-zFezO3+δ-Tb1-xDyxFe2-y中磁电耦合的影响

采用溶胶凝胶方法制备了Fe掺杂钛酸钡多晶系列陶瓷BaTi_1-zFe_zO_3+δ(0.005≤z≤0.02) (BTFO).X射线衍射实验显示,所制备的BTFO的结构仍然为四方相钙钛矿.差热分析表明,该BTFO样品的铁电-顺电转变温度及相变潜热随掺杂量z的增加而下降.将该BTFO极化后与Tb_1-xDy_xF 关键词： 磁电耦合 掺杂效应 掺杂钛酸钡     

Synthesis and magnetic properties of Fe100-xMox alloy nanowire arrays

The Fe100-xMox(13≤x≤25) alloy nanowire arrays are synthesized by electrodeposition of Fe 2+ and Mo 2+ with different ionic ratios into the anodic aluminum oxide templates.The crystals of Fe100-xMox alloy nanowires gradually change from polycrystalline phase to amorphous phase with the increase of the Mo content and the nanowires are of amorphous structure when the Mo content reaches 25 at%,which are revealed by the X-ray diffraction and the selected area electron diffraction patterns.As the Mo content increases,the magnetic hysteresis loops of Fe100-xMox alloy nanowires in parallel to the nanowire axis are not rectangular and the slopes of magnetic hysteresis loops increase.Those results indicate that the magnetostatic interactions between nanowires and the magnetocrystalline anisotropy both have significant influences on the magnetization reversal process of the nanowire arrays.     

Crystal structure and magnetic properties of Nd（Mn1-xFex）2Si2 compounds

X-ray powder diffraction,resistivity and magnetization studies have been performed on polycrystalline Nd(FexMn1-x)2Si2 (0 ≤ x ≤ 1) compounds which crystallize in a ThCr2Si2-type structure with the space group I4/mmm.The field-cooled temperature dependence of the magnetization curves shows that,at low temperatures,NdFe2Si2 is antiferromagnetic,while the other compounds show ferromagnetic behaviour.The substitution of Fe for Mn leads to a decrease in lattice parameters a,c and unit-cell volume V .The Curie temperature of the compounds first increases,reaches a maximum around x = 0.7,then decreases with Fe content.However,the saturation magnetization decreases monotonically with increasing Fe content.This Fe concentration dependent magnetization of Nd(FexMn1-x)2Si2 compounds can be well explained by taking into account the complex effect on magnetic properties due to the substitution of Mn by Fe.The temperature’s square dependence on electrical resistivity indicates that the curve of Nd(Fe0.6Mn0.4)2Si2 has a quasi-linear character above its Curie temperature,which is typical of simple metals.     

组合结构化合物Ho2Ni7-xFex(x=0-3.0)的晶体结构、结构转变和磁性

在金属间化合物的结构演变中,原子尺寸因素起着重要的作用.由于密堆积效应,不同原子半径比的元素往往形成不同的结构.而自由电子填充于原子构成的晶体结构的间隙中,它对化合物的结构也有影响.基于组合结构化合物Ho2Ni7-xFex,结合原子尺寸与自由电子对晶体结构的不同影响,文章探讨一种单位体积内自由电子浓度的经验方法来判断Ho2Ni7-xFex化合物中两种异构体间的转变.随着Fe含量的增加,Ho2Ni7-xFex化合物先结晶成Gd2Co7型三方结构,然后结晶成Ce2Ni7型六方结构.利用Rietveld精修技术和磁测量,获得了化合物的晶体结构参数和饱和磁化强度.化合物晶胞常数随Fe含量增加而增加,饱和磁化强度则随之减少(dMs/dx=-2).分析结果表明,单位体积内自由电子浓度更高,化合物形成三方结构,反之则形成六方结构.     

The crystal structures and physical properties of the solid solution compound Ba5Y8-xMn4O21-1.5x (x=0, 1)

New oxometallides with the formula Ba5Y8 xMn4O21 1.5x(x = 0,1) are prepared through an atmospherecontrolled solid-state reaction.Two single-phase samples with Ba/Y/Mn atomic ratios 5/8/4(Y8) and 5/7/4(Y7) are obtained.The crystal structures and the physical properties of the compounds are investigated by X-ray powder diffraction,magnetization,conductivity,and dielectricity measurements.The Ba5Y8 xMn4O21 1.5x compound is demonstrated to be a Y-deficient solid solution.The solid solution compound Ba5Y8 xMn4O21 1.5x crystallizes into tetragonal symmetry with the space group I4/m.Detailed structure analysis by Rietveld refinement of the X-ray powder diffraction data reveals that the Y vacancies occur preferentially at the Y(2) site.Thermal magnetization measurements indicate the presence of antiferromagnetic interaction between Mn ions in the compounds,and temperature-dependent resistivity measurements show that insulator-semiconductor transitions occur around 175 K and 170 K for the Y8 and Y7 samples,respectively.Strong frequency dependences of the dielectric constant are observed above ～175 K for the two compounds.