基于非准直外腔的单频激光高阶回馈效应研究

对基于非准直外腔的单频激光高阶回馈现象及产生机理进行了研究,获得了调制幅度不均匀的高分辨率多重高阶回馈条纹,分析了多重高阶回馈条纹的特点及产生机制。提出采用基于光路阻挡的实验方法,在回馈镜反射率大于90%的强回馈中,发现了单重高阶回馈效应,获得了调制幅度均匀、无大包络的高分辨率单重高阶回馈条纹,其分辨率达到/10,而且还有进一步提高的潜力。单重高阶回馈条纹不但具有多重高阶回馈时高分辨率的优点,还具有传统弱回馈时调制幅度均匀、类正弦等特性,对进一步研制高精度回馈测量系统具有重要意义。     

Synthesis,Structure Characterization and Optical Properties of β Lithium Zinc Phosphate

β-LiZnPO_4 single crystal was successfully synthesized via hydrothermal method. It crystallizes in the trigonal space group R3 with a = b = 13.6490 ?, c = 9.1123 ?, γ = 120.00° and Z = 18. Structure of the crystal is constructed by LiO_4, ZnO_4 and PO_4 tetrahedral units to form a three-dimensional(3 D) framework. The crystal has a high transmission ranging from 350 to 800 nm with UV cut-off edge at 220 nm. The nonlinear optical efficiency of the as-prepared β-LiZnPO_4 is about 1.2 times as large as that of KDP(KH_2PO_4) standard. Additionally, band structure and density of states calculations for β-LiZnPO_4 were performed using the total-energy code CASTEP, based on density functional theory(DFT).     

铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间，是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上，通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散，实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明，外加电场，退火温度为400℃，退火时间为60min时，薄膜的晶化率大于60％；退火温度为450℃退火时间为30min时，薄膜已经呈现明显的晶化现象；退火温度为500℃退火时间为15min时，薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3—4倍. 关键词： 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 外加电场     

飞秒孤子在色散渐增光纤中谱压缩的数值分析

通过数值求解修正了的广义非线性薛定谔方程,研究了孤子在色散渐增光纤中的谱压缩进程.详细分析了入射脉冲峰值功率对输出脉冲的谱宽和中心波长的影响,并描述了脉冲的脉宽、谱宽及啁啾在光纤中的演化过程.计算结果表明,脉宽200 fs、中心波长1 550 nm的基孤子在群速度色散从－1 ps2/km 至－11 ps2/km线性变化的长100 m的色散渐增光纤中传输时,脉冲谱宽由12.6 nm压缩至5.2 nm,即可获得最大压缩比为2.42.     

矩形谱宽带光抽运的布里渊慢光中脉冲失真的分析

在小信号增益条件下推导出了高斯光脉冲经过矩形谱宽带光抽运的布里渊慢光系统后输出脉冲时域振幅包络的近似解析表达式,适用于抽运光频谱具有陡峭上升(下降)沿和平坦顶部的情况.定量分析和比较了光纤色散以及受激布里渊散射增益不均衡和增益所致色散效应对延迟信号光脉冲失真的影响.计算结果表明:当信号光脉冲的频谱处于布里渊有效增益谱内时,解析解与数值解符合,布里渊增益所致三阶色散效应是导致延迟信号光脉冲失真的主要物理因素,制约了窄脉冲延迟量的提高.     

飞秒孤子在色散渐增光纤中谱压缩的数值分析

通过数值求解修正了的广义非线性薛定谔方程,研究了孤子在色散渐增光纤中的谱压缩进程.详细分析了入射脉冲峰值功率对输出脉冲的谱宽和中心波长的影响,并描述了脉冲的脉宽、谱宽及啁啾在光纤中的演化过程.计算结果表明,脉宽200fs、中心波长1550nm的基孤子在群速度色散从-1ps2/km至-11ps2/km线性变化的长100m的色散渐增光纤中传输时,脉冲谱宽由12.6nm压缩至5.2nm,即可获得最大压缩比为2.42.     

溅射功率对Fe-Si-B-Nb-Cu薄膜微结构与磁性的影响

通过射频磁控溅射法制备了Fe_Si_B_Nb_Cu薄膜，采用x射线衍射与Mssb auer谱相结合分析了薄膜的微结构形态，研究了不同溅射功率对薄膜微结构的影响.其结果 表明：在较低溅射功率密度下，薄膜为无定型结构；随着溅射功率密度升高，沉积薄膜无需 热处理，便呈现出晶态和非晶态的混合相结构，晶态为纳米级的α_Fe(Si)和α_Fe(B)固溶 体；α_Fe(Si)相和α_Fe(B)相的体积分数、微结构组态、磁矩取向及宏观磁性能均随着溅 射功率的变化而变化. 关键词： 溅射功率 Fe_Si_B_Nb_Cu合金 薄膜微结构 磁矩取向