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1.
电流型大面积PIN探测器   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
研制了灵敏区面积为40,50和60mm,耗尽层厚度为200—300μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器,并对其物理性能进行了测量.测试和应用表明,这些探测器性能稳定,漏电流符合使用要求.与市场上的大面积PIN半导体探测器相比,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式,但也可用于计数模式,而目前的商用产品仅适用于计数测量. 关键词: 半导体探测器 大面积 电流型  相似文献   
2.
采用电阻率为10000—20000Ω.cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为60mm,耗尽层厚度~1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.  相似文献   
3.
 介绍了激光感生预分离荧光法(LIPF)的原理及一维与二维测量实验装置。利用可调谐KrF准分子激光器,在甲烷 空气火焰中测得了燃烧中间产物OH的系列荧光谱线及OH分子的二维荧光图象,对它的谱线结构进行了分析,并给出了燃烧火焰的一维温度值,测量的相对误差小于3%。二维荧光图象也定性表明燃烧火焰的OH分子密度分布和二维温度场等信息。  相似文献   
4.
远震P波群信号的自适应时—频分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
简要叙述了地震事件监测研究的历史和现状,结合远震信号的地震学特点,对远震P波群信号进行了自适应时—频分析。实验结果表明,特定台站一区域对的爆炸远震P波群的时—频分布具有极强的相似性。  相似文献   
5.
介质型脉冲高能中子探测器   总被引:2,自引:0,他引:2  
首次报道一种基于反冲质子法和高速带电粒子在物质表面引起二次电子发射的高能中子探测方法,研制成功的新一代强流脉冲高能中子探测器,即介质型脉冲高能中子探测器.与传统的强流脉冲中子探测器相比,该探测器对中子的探测及信号的传输过程是在介质中完成的,因而不需要真空和高压也可以正常工作,并具有多项优异的物理性能.该探测器的输出信号来自于高能中子在聚乙烯转换靶产生的高能反冲质子和这些质子穿越电荷收集极表面时产生的部分二次电子.选择适当的卡阈吸收片和电荷收集极材料,二次电子在探测灵敏度中的份额及其随能量的变化可由实验测定.  相似文献   
6.
用于强γ环境中测量中子参数的薄膜塑料闪烁探测器   总被引:4,自引:0,他引:4  
提出了在强γ环境中脉冲中子通量的薄膜闪烁体测量方法.根据其与中子、γ响应的理论计算结果,研制成功一种对γ不灵敏,用于探测快脉冲中子通量的新型探测器.该探测器由塑料薄膜闪烁体+光电探测器构成.与传统探测器相比,该探测器具有如下特点1.高中子灵敏度;2.高n/γ分辨;3.在给定能区具有平坦的能量响应.  相似文献   
7.
LIPF法对甲烷-空气火焰温度及OH分布场的测量   总被引:4,自引:4,他引:0  
介绍了激光感生预分离荧光法(LIPF)的原理及一维与二维测量实验装置。利用可调谐KrF准分子激光器,在甲烷一空气火焰中测得了燃烧中间产物OH的系列荧光谱线及OH分子的二维荧光图象,对它的话线结构进行了分析,并给出了燃烧火焰的一维温度值,测量的相对误差小于3%。二维荧光图象也定性表明燃烧火焰的OH分子密度分布和二维温度场等信息。  相似文献   
8.
远震P波群信号的自适应时-频分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
简要叙述了地震事件临测研究的历史和现状,结合远震信号的地震学特点,对远震P波群信号进行了自适应时-频分析。实验结果表明,特定台站-区域对爆炸远震P波群的时-频分布具有极强的相似性。  相似文献   
9.
具有统计增强效应的(CF2)n-PIN夹层探测阵列   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用灵敏区尺寸为φ60mm, 厚度1000μm的大面积电流型厚PIN半导体探测器+聚四氟乙烯片+PA101低噪声放大器, 构建了灵敏度为10-11C.cm2,具有显著统计增强效应的夹层高灵敏PIN探测阵列. 采用Monte-Carlo数值模拟方法, 研究了该探测阵列的统计增强效应和对γ射线探测灵敏度. 该阵列在极低强度脉冲γ射线探测中具有明显的统计增强效应, 且能量响应平坦, 单个阵列探测范围可达7个量级, 其γ灵敏度比直径为φ20mm, 厚度为250μm的单个PIN探测器高4个量级并可进行直接标定, 是低强度裂变n/γ混合场脉冲γ射线波形面积测量较理想的探测器, 已在有关科学实验中获得成功应用.  相似文献   
10.
狭缝式高灵敏裂变中子探测系统   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
研制了狭缝-外延式高灵敏大面积PIN裂变中子探测系统. 其对14MeV,2.5MeV中子灵敏度可达10-16C·cm2,比原有典型的脉冲裂变中子探测系统高4个量级. 采用外延式铅狭缝准直结构,研制灵敏区尺寸为60mm,厚度为200μm—300μm的大面积PIN半导体探测器、以Be膜为衬底,有效直径为60的235U裂变靶,解决了该探测器研制中的高灵敏度和n/γ分辨难题. 该系统已在实践中获得成功应用. 关键词: 裂变中子探测系统 大面积PIN探测器 大面积裂变靶 高灵敏探测系统  相似文献   
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