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介质型脉冲高能中子探测器 总被引:2,自引:0,他引:2
首次报道一种基于反冲质子法和高速带电粒子在物质表面引起二次电子发射的高能中子探测方法,研制成功的新一代强流脉冲高能中子探测器,即介质型脉冲高能中子探测器.与传统的强流脉冲中子探测器相比,该探测器对中子的探测及信号的传输过程是在介质中完成的,因而不需要真空和高压也可以正常工作,并具有多项优异的物理性能.该探测器的输出信号来自于高能中子在聚乙烯转换靶产生的高能反冲质子和这些质子穿越电荷收集极表面时产生的部分二次电子.选择适当的卡阈吸收片和电荷收集极材料,二次电子在探测灵敏度中的份额及其随能量的变化可由实验测定. 相似文献
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研制了狭缝-外延式高灵敏大面积PIN裂变中子探测系统. 其对14MeV,2.5MeV中子灵敏度可达10-16C·cm2,比原有典型的脉冲裂变中子探测系统高4个量级. 采用外延式铅狭缝准直结构,研制灵敏区尺寸为60mm,厚度为200μm—300μm的大面积PIN半导体探测器、以Be膜为衬底,有效直径为60的235U裂变靶,解决了该探测器研制中的高灵敏度和n/γ分辨难题. 该系统已在实践中获得成功应用.
关键词:
裂变中子探测系统
大面积PIN探测器
大面积裂变靶
高灵敏探测系统 相似文献
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