Nonpolar a-plane light-emitting diode with an in-situ SiNx interlayer on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapour deposition

We report on the growth and fabrication of nonpolar a-plane light emitting diodes with an in-situ SiN_x interlayer grown between the undoped a-plane GaN buffer and Si-doped GaN layer. X-ray diffraction shows that the crystalline quality of the GaN buffer layer is greatly improved with the introduction of the SiN_x interlayer. The electrical properties are also improved. For example, electron mobility and sheet resistance are reduced from high resistance to 31.6 cm²/(V·s) and 460 Ω/口 respectively. Owing to the significant effect of the SiN_x interlayer, a-plane LEDs are realized. Electroluminescence of a nonpolar a-plane light-emitting diode with a wavelength of 488nm is demonstrated. The emission peak remains constant when the injection current increases to over 20 mA.     

有机硼酸类催化剂在有机合成中的应用

综述了有机硼酸类作为催化剂应用于有机合成反应中的最新研究进展, 重点介绍了所发现的各种有机硼酸催化剂在缩合反应、羧酸还原反应、Diels-Alder反应中的催化活性以及反应机理. 硼酸催化剂因具有催化效率高、反应条件温和、可重复使用等优点, 必将在有机合成催化领域中得到更广泛的应用.     

多层前馈模糊神经网络在儿童综合素质测评中的应用

运用对偶标度统计方法计算儿童发展调查问题中原始数据的变量权和样本得分,从而确定评价因素集.采用多层前馈模糊神经网络——FM LP实现对儿童个体综合素质的定量评价.     

Effect of Interface Nanotexture on Light Extraction of InGaN-Based Green Light Emitting Diodes

We report the enhancement of the light extraction of InGaN-based green light emitting diodes （LEDs） via the interface nanotexturing. The texture consists of high-density nanocraters on the surface of a sapphire substrate with an in situ etching. The width of nanocraters is about 0.5 μm and the depth is around 0.1 μm. It is demonstrated that the LEDs with interface texture exhibit about a 27% improvement in luminance intensity, compared with standard LEDs. High power InGaN-based green LEDs are obtained by using the interface nanotexture. An optical ray-tracing simulation is performed to investigate the effect of interface nanotexture on light extraction.     

槲皮素在氧化锆修饰玻碳电极上的伏安行为及检测

制备了氧化锆修饰的玻碳电极,采用示差脉冲伏安法和循环伏安法探究了槲皮素在该电极上的电化学行为。结果表明,制备的修饰电极在pH=7.00的磷酸盐缓冲溶液（PBS）中对槲皮素的氧化还原具有明显的电催化作用。采用槲皮素的氧化峰电流作为分析信号。在浓度为2.5×10-8~5×10-5 mol/L的范围内,氧化峰电流和浓度成良好的线性关系,线性方程为ip（μA）=0.0825c-9.861 84,检出限为5.35×10-9 mol/L。     

芳基硼酸类化合物合成研究进展

芳基硼酸(酯)不仅是有机合成中的重要中间体,而且在生物学、医学及材料科学中有着广泛的应用.综述了近年来其合成方法学的研究进展,着重说明钯催化剂在氯代芳杂环及大位阻底物结构中硼基化的应用,并介绍了镍、铜、锌、铁、铑、钴等金属催化剂和非金属催化的芳基硼基化,以及光诱导合成芳基硼酸的反应.     

对化学教学中关于HCI跟MnO_2的反应机构等问题的看法

《化学通报》编辑同志:我是一个中学化学教师,由于在教学中碰到一些问题,产生了疑问,特提出自己的粗浅看法,请予指正,并请答复。一、关于 HCl 跟 MnO_2的反应机构戴安邦等同志编著的“无机化学教程”中第332页(1964年第二版)提到:“所起反应可认为先产生四氯化锰,然后由四氯化锰再分解为氯和二氯化锰:MnO_2 4HCl=MnCl_4 2H_2O;MnCl_4=MnCl_2 Cl_2”     

氧化钕-单壁碳纳米管修饰玻碳电极对鸟嘌呤和腺嘌呤的电催化氧化

制备了氧化钕-单壁碳纳米管修饰玻碳电极(Nd2O3-SWNTs/GCE)。采用循环伏安法(CV)探究了鸟嘌呤(G)和腺嘌呤(A)在该修饰电极上的电化学行为。结果表明:该修饰电极对G和A的氧化具有良好的电催化能力。在最佳条件下,用示差脉冲伏安法(DPV)对G和A进行检测,其氧化峰电流与浓度分别在10~50μmol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限(S/N=3)均为5.0×10-8 mol/L。该修饰电极可以用来同时测定DNA中的G和A。     

嘌呤磺胺衍生物的合成及抗肿瘤活性

合成了一系列结构全新的嘌呤磺胺类衍生物, 并应用溴化噻唑蓝四氮唑(MTT)法进行了初步体外抗肿瘤细胞增殖活性研究. 结果表明, 嘌呤环C2位、 N6位和N9位的取代对活性均有较大影响, C2位引入苯磺酰基哌嗪片段后有利于提高抗肿瘤活性. 化合物17d对3株肿瘤细胞PC-3, HCT116和K562 的增殖均有明显抑制作用, 且强度与阳性对照药Roscovitine相近.     

拱坝体型的多目标博弈设计

提出基于博弈理论的多目标求解方法,给出多目标问题的博弈描述和各博弈方策略空间的计算方法,研究:1)利用Nash均衡模型求解无目标偏好的多目标竞争问题;2)利用Stackelberg寡头模型求解有目标偏好的多目标竞争问题;3)利用合作竞争模型求解关注整体得益的多目标设计问题;并给出相应的技术步骤.以白鹤滩拱坝体型的三目标博弈设计为例,取体积目标、坝体最大主拉应力目标和坝体应变能目标为博弈方,分别采用Nash均衡模型、Stackelberg寡头模型和合作竞争模型进行博弈求解,设计结果显示拱坝的体积方量、应力、应变能和位移等较初始体型的变化改善情况,实现了各博弈模型的设计目的,表明了多目标博弈设计方法的有效性.