LIGA—EDM复合技术的研究

提出LIGA-EDM复合技术技术,即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术,通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100,使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极,利用该电极进行微细电火花加工实验,在不锈钢上加工出异形小孔阵列．     

X光纳米充刻掩模的离子束制备法

重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。     

气体电子倍增器(GEM)聚酰亚胺膜结构的研制

气体电子倍增器(GEM, Gas Electron Multiplier)是近些年发展的一种新的气体探测器, 具有计数率和位置分辨率高等优点, 在粒子物理和X光成像等领域有着广泛的应用前景, 近些年来得到了很快的发展. 该探测器发展的关键问题之一就是GEM膜结构的制造, 该结构需要利用光刻等多项技术来完成, 工艺复杂, 研制困难. 本文介绍了开发GEM膜结构的研究结果, 通过干法和湿法腐蚀的研究和对比, 优化出GEM膜结构制造的一种工艺过程, 并利用该工艺成功完成了~GEM~膜结构的制造, 为国内GEM气体探测器的研究和应用奠定了基础.     

氮化硅/钽硅X射线光刻掩模研制及应用

经过三十多年的研发, 接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料, 如果选择金, 只能采用电镀工艺, 而且金会污染硅基集成电路；而钽硅材料可以采用干法刻蚀工艺, 不会污染硅基集成电路, 是一种理想的X射线掩模吸收体材料.本文论述了氮化硅/钽硅X射线掩模制作工艺, 不同于常规工艺, 电子束光刻显影后, 以ZEP520电子束光刻胶作为阻挡层,SF₆/CHF₃作为反应气体, 电感耦合等离子体直接刻蚀钽硅薄膜.初步的实验结果证明了这种X射线掩模制作工艺是可行的.     

Upgrading design of the 3B1A beamline for x-ray nanometre lithography of microelectronic devices at BSRF

Beijing Synchrotron Radiation Facility is a partly dedicated synchrotron radiation source operated in either parasitic or dedicated mode. The 3B1A beamline, extracted from a bending magnet, was originally designed as a soft x-ray beamline for submicro x-ray lithography with critical lateral size just below 1μm in 1988 and no change has been made since it was built. But later the required resolution of x-ray lithography has changed from sub-micrometre to the nanometre in the critical lateral size. This beamline can longer more meet the requirement for x-ray nano lithography and has to be modified to fit the purpose. To upgrade the design of the 3B1A beamline for x-ray nano lithography, a mirror is used to reflect and scan the x-ray beam for the nano lithography station, but the mirror's grazing angle is changed to 27.9mrad in the vertical direction, and the convex curve needs to be modified to fit the change; the tiny change of mirror scanning angle is firstly considered to improve the uniformity of the x-ray spot on the wafer by controlling the convex curve.     

BSRF上同步辐射深度光刻的实验研究

大结构深度和高深宽比是同步辐射深度光刻的突出优点.提出采用现有掩模,进行多次曝光、显影的方法,实验获得厚2.2mm的胶结构.系列研究掩模、光刻胶、基底、光谱和光强对深宽比的影响,实验获得深宽比104的胶结构.     

利用LIGA技术研制超微步进电机

文章慨述了超微步进电机的原理设计、结构设计、加工方法以及该电机的扫描电镀照片等。该电机的转于和定于由LIGA技术制造完成．线圈由手工在显微镑下绕制完成，转子直径2mm．整个电机直径5mm。     

制作深亚微米T型栅的X射线光刻技术

T型栅结构已经广泛应用于赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)的制作中去,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声.X射线光刻具有工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等诸多优点,更为重要的是,其技术已经比较成熟,它是最好的制作深亚微米T型栅技术手段.本文首先简要介绍我们自行研发的X射线掩模工艺,并对模糊对光刻胶表面的光强分布的影响进行了分析,最后对制作深亚微米T型栅的三层胶方法和在北京同步辐射装置上取得的75nm T型栅图形结果进行了介绍.