铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究 |
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引用本文: | 孙晓绮,孟庆华,孟庆云.铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究[J].发光学报,2013(5):573-578. |
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作者姓名: | 孙晓绮 孟庆华 孟庆云 |
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作者单位: | 北京化工大学理学院;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11104008);北京自然科学基金(1103033)资助项目 |
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摘 要: | 通过低温化学方法在多孔硅柱状阵列(NSPA)衬底上制备得到铕掺杂ZnO(ZnO∶Eu)纳米棒阵列结构。实验方法简单、条件温和,有效地实现了ZnO纳米棒和铕离子之间的能量转移,丰富了ZnO纳米半导体材料体系的发光。X射线衍射以及X射线光电子能谱证实铕离子成功掺杂进了ZnO晶体中。室温荧光光谱测试结果表明:ZnO∶Eu纳米棒阵列可实现从紫外光到蓝-绿光的宽谱带发射,其中发光中心位于~380 nm的紫外光源于ZnO的带边发射,位于450~570 nm的蓝-绿光源于ZnO的本征缺陷发光,而位于~615 nm的红光发光则源于铕离子核外电子4f壳层结构。同时借助于能带示意图对光致发光机理进行了分析。
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关 键 词: | 铕离子 ZnO纳米棒阵列 低温化学法 光致发光 |
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