141Nd激发态的在束γ谱学研究

通过130Te(16O,5nγ)141Nd反应布居了141Nd的高自旋态能级. 对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ-γ符合测量. 建立了激发能达7614.5keV的141Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级. 基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了141Nd部分能级的自旋值. 用一个h11/2价中子空穴与142Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释141Nd的能级结构.     

高斯光束计算平板波导自由传输区远场分布及其修正

对近轴近似条件下求解亥姆霍兹方程得到的高斯光束显式传播公式做了分析，同时，基于基尔霍夫衍射理论，在菲涅耳近似的条件下给出了相应的高斯光束在远场的传播公式，在此基础上，对近轴近似条件做出了定量分析，给出了这个近似条件引入的误差，提出了一种计算高斯光束远场分布的修正方法，并采用有限差分-光束传播方法(FD-BPM)来检验各种方法的准确性。把这种修正方法应用到平面光集成波导器件，如阵列波导光栅(AWG)、蚀刻衍射光栅(EDG)等器件的设计和模拟中，可以大大降低工作的复杂性，同时可以得到精确的结果。     

吸附在银溶胶表面的2种卟啉化合物的荧光分析

研究了银溶胶对2种卟啉化合物——5,10,15,20-四对羟基苯基卟啉(简称T(4-HP)P)和5-羟基苯基-10,15,20-三苯基卟啉(HPTPP)的荧光猝灭行为,在5.0×10~6mol/L的T(4-HP)P,HPTPP溶液中分别加入1.5×10~(-4)mol/L的银胶后,两者的荧光猝灭效率都达90%以上,通过荧光猝灭曲线求得这2种卟啉与银胶之间表观作用常数分别为3.16×10~4(mol/L)~(-1),2.79×10~4(mol/L)~(-1),文中还讨论了银胶对T(4-HP)P,HPTPP荧光猝灭过程的动力学及2种卟啉分子与银胶之间的作用机理.     

荧光素酯与蒽甲酸酯之间的光致相互作用

我们合成了以不同链长连接的荧光素酯与蒽甲酸酯的四种二元化合物.在溶液中的构象研究表明.链呈不同程度的弯曲,但分子内两个发色团的相互作用是微弱的.激发蒽甲酸酯,无论是在分子间还在分子内,其单重态能量几乎都传递给了荧光素酯.激发荧素酯时,并未观测到分子内的光致电子转移,尽管计算和模型化合物分子间的对照实验都表明它们之间是可以发生这种电子转移的.最可能的原因是这个系列在溶液中,分子内的两个发色平面没有好的匹配,或者说 ,这些二元化合物在所研究的溶液中,不能满足分子内的光致电子转移对构象的要求.     

Wide-range optical sensors based on a single ring resonator with polarization multiplexing

Wide-range optical sensors based on a single ring resonator are investigated theoretically and experimentally.The sensor worked at the TE and TM modes simultaneously. Because the sensitivities of the TE mode and TM mode are different, the TE mode is used for the large measurement range, and the TM mode is used for the high sensitivity measurement. The experimental results showed that the measurement range for the TE mode was almost three times larger than that of the TM mode. A sensitivity of 233 nm/RIU was achieved for the wavelength interrogation of the TM mode.     

用于无创血糖检测的调频连续波激光雷达技术理论分析

连续无创血糖检测能够更好地实现对糖尿病的管理和治疗.提出一种利用调频连续波(FMCW)激光雷达技术实现无创血糖测量的方案,通过检测皮肤散射系数的改变来测量血糖浓度的变化.与传统的光学相干层析成像血糖检测法相比,结构更简单,利于实现仪器的小型化、便携化.FMCW激光雷达无创血糖测量系统采用差分干涉的方法,将时域的信号转移...     

用可控硅作开关和稳压的电容储能电源

一、引 言 以电容器储能放电作脉冲电源是人们在各类物埋实验装置中经常采用的方法,因为它具有简单可靠,脉冲上升时间快等优点.在脉冲强流离子源的实验中,用电弧放电形成高密度、大体积、均匀、稳定的等离子体,需要大功率脉冲电源.该电源的参数范围是:输出电流几十-几百安培;输     

Echelle dif fraction grating based high-resolution spectrometer-on-chip on SiON waveguide platform

An echelle diffraction grating based high-resolution spectrometer-on-chip on silicon oxynitride (SiON) waveguide platform operated at a wavelength range of 850 nm is demonstrated. The chip comprises 120 output waveguides with 0.25-nm wavelength channel spacing and has a size of only 11 × 6 (mm). The experimental results show that the insertion loss is-14 dB, the measured adjacent channel crosstalk is less than -25 dB, the 3 dB channel bandwidth is < 0.1 nm, and the channel non-uniformity is 3 dB for 56 channels with a wavelength ranging from 838 to 852 nm.     

氢离子轰击对TiC膜结构及界面影响的研究

本文研究荷能氢离子轰击对TiC薄膜的结构及其界面的影响。氢离子源为5A的脉冲离子注入器,能量25keV,脉冲宽度20ms。样品经轰击后发现。与受相同辐照的45~#钢样品相比,TiC薄膜表面无明显的损伤;TiC薄膜内的氢含量较高;薄膜的织构消除;TiC薄膜与基体间的结合力有明显提高。     

双奇核142Pm高自旋态能级纲图

利用能量为75—95MeV19F束流,通过反应¹²⁸Te(¹⁹F,5nγ)¹⁴²Pm研究了双奇核¹⁴²Pm的高自旋态能级结构.实验中进行了γ射线的激发函数、γ射线单谱和γγ符合测量.建立了激发能达7030.0keV的¹⁴²Pm的能级纲图,其中包括新发现的25条γ射线和13个新能级.基于实验测量的γ跃迁各向异性度,建议了¹⁴²Pm能级的自旋值.